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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器源極 631 0
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...
高性能N溝道MOSFET是開關(guān)、放大和驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的最優(yōu)選擇
N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵源電壓高于閾值電壓時(shí),柵極下方會(huì)形成N型導(dǎo)電溝道,源極電子在電場(chǎng)作用下流向漏極,...
小小MOSFET,大有乾坤。在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET作為核心元件扮演著至關(guān)重要的角色,支撐從數(shù)據(jù)中心到通訊基站等各種開關(guān)電源應(yīng)用。雖然其應(yīng)用廣泛且...
2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝開關(guān)電源 627 0
超大規(guī)模計(jì)算通常依賴于具有超高可擴(kuò)展性的服務(wù)器架構(gòu)和虛擬網(wǎng)絡(luò)。要確保設(shè)備全天24小時(shí)保持連接,熱插拔功能仍然是一種關(guān)鍵功能。但是,要在開關(guān)效率和強(qiáng)大安全...
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
隨著開關(guān)電源的工作頻率增加,以及隨著同步整流控制器對(duì)控制閾值精度以及響應(yīng)速度要求的不斷提高,開關(guān)損耗更低、高頻特性更好的第三代化合物半導(dǎo)體同步整流將是更...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源同步整流 625 0
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開...
2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 623 0
ST NPI 新上架開發(fā)板 【EVL250WMG1L】
ESDAxxWY系列:汽車應(yīng)用中的ESD保護(hù)。在確保汽車應(yīng)用安全性的同時(shí)縮減PCB尺寸。ESDAxxWY采用緊湊的SOT323-3L封裝,使PCB尺寸減...
? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動(dòng)...
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè),從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜...
2023-05-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 619 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動(dòng)電壓的影響以及驅(qū)動(dòng)...
2025-05-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 617 0
當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí),工程師面臨兩種選擇:使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案,不過這兩種選擇的成本可...
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電源電路 617 0
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于其具有高耐壓和低電阻的特點(diǎn)。相較于普通高壓VDMOS,超結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小,適用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用。...
為了正確預(yù)測(cè)MOSFET的開關(guān)和EMC行為,必須有一個(gè)精確的模型,了解其在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。這些信息使設(shè)計(jì)人員能夠使用SPICE軟件包...
電子設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)離不開“邏輯”的精密驅(qū)動(dòng)。例如,當(dāng)我們?cè)谑謾C(jī)上滑動(dòng)屏幕時(shí),背后就有無數(shù)個(gè)CMOS邏輯電路在默默工作,它們通過復(fù)雜的邏輯運(yùn)算,將我們的觸摸...
降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的最新進(jìn)展已經(jīng)消除了檢流電阻,而是用壓降代替低側(cè)MOSFET(同步整流器)兩端。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)節(jié)省了檢測(cè)電阻的成本和空間,并適度...
2023-02-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 607 0
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