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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用
隨著全球能源需求不斷上升,我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展,近年來光伏儲(chǔ)能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...
隨著電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對碳化硅(SiC)功率器件需求的增加,加速了市場的增長。在這一過程中,終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...
秋天的氣溫會(huì)下降,且空氣濕度較低,可能會(huì)導(dǎo)致皮脂腺油脂分泌減少,從而導(dǎo)致出現(xiàn)皮膚干燥、起皮等癥狀。
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng)—探頭的CMRR
在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來觀測波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會(huì)...
為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片,而非Si MOSFET?
英飛凌作為電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)先企業(yè),其取得的一大顯著成就是,開發(fā)了用于集成功率模塊(IPM)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場...
該電路由一個(gè)瞬時(shí)按鈕開關(guān)控制。在按下 SW1 之前,整個(gè)電路處于睡眠模式,消耗的電流為零。關(guān)閉 SW1 允許 Q2 在 IC1 的幫助下導(dǎo)通,IC1 是...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
產(chǎn)品概述#UCC27714 4A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)...
LM3478 2.97~40V 寬輸入范圍升壓/SEPIC/反激式 DC-DC 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM3478 是一款用于開關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N 溝道 MOSFET 控制器。它適用于需要低側(cè) MOSFET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如升壓、反激式、SEPIC ...
許多工程師經(jīng)過對上海雷卯的 ESD TVS 二極管多年的驗(yàn)證使用后產(chǎn)生信任,進(jìn)而開始選用雷卯的 MOSFET。上海雷卯始終致力于嚴(yán)格把控產(chǎn)品質(zhì)量以及滿足...
2024-09-29 標(biāo)簽:二極管ESD開關(guān)電路 642 0
重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
2023-12-14 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開關(guān)元件 639 0
電機(jī)控制和轉(zhuǎn)換效率對汽車應(yīng)用至關(guān)重要
對于越來越多的汽車應(yīng)用來說,電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制應(yīng)用的效率是一項(xiàng)始終需要關(guān)注的設(shè)計(jì)規(guī)范要求?,F(xiàn)代內(nèi)燃機(jī)汽車越來越多地使用低壓三相電機(jī)控制系統(tǒng),包括燃油泵、...
基于安森美MOSFET的12V EPS系統(tǒng)解決方案
汽車行業(yè)競爭激烈,節(jié)奏飛快,只有快速適應(yīng)和持續(xù)創(chuàng)新才能讓企業(yè)立于不敗之地。在本成功案例中,安森美(onsemi)深入理解并解決客戶痛點(diǎn),及時(shí)快速向客戶交...
30V N通道功率MOSFET SMN3003ALU產(chǎn)品概述
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展的重視,電動(dòng)交通工具噴涌而出,應(yīng)運(yùn)而生;研究和開發(fā)高性能、高安全性的動(dòng)力電池管理系統(tǒng)成為整個(gè)車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要課題。
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSF...
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