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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LM74500-Q1 反極性保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74500-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的控制器,可與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為低損耗反極性保護(hù)解決方案。3.2 ...
LM74701-Q1 具有集成 VDS 箝位的汽車類 3.2V 至 65V 電池反向保護(hù)理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74701-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管,用于實現(xiàn)低損耗反...
TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22998 是一款單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 ...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 292 0
TPS22992 5.5V 6A 8.7mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22992x 產(chǎn)品系列由兩個器件組成:TPS22992 和 TPS22992S。每個器件都是一個單通道負(fù)載開關(guān),帶有一個 8.7mΩ 功率 MOS...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)引腳 280 0
LM74501-Q1 具有集成 VDS 箝位的汽車類 3.2V 至 65V 反極性保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74501-Q1 與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為低損耗反極性保護(hù)解決方案。該器件支持 3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍。3.2...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及...
LM74720-Q1 具有有源整流和負(fù)載突降保護(hù)功能的汽車級低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74720-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
LM74502H 具有負(fù)載斷開、OVP 和高柵極驅(qū)動的 3.2V 至 65V 工業(yè) RPP 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74502 LM74502H 是一款控制器,可與外部背靠背連接的 N 溝道 MOSFET 配合使用,以實現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)和負(fù)載斷開解決方案。該器件...
LM74502-Q1 汽車反極性保護(hù)控制器,過壓保護(hù),柵極驅(qū)動強度 60 μA數(shù)據(jù)手冊
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是一款符合汽車 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的控制器,可與外部背靠背連接的 N 溝道 MOSFET 配合使用,作...
LM74721-Q1 汽車級 TVS less 低 IQ 反接電池保護(hù) 理想二極管控制器 有源整流數(shù)據(jù)手冊
LM74721-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
TPS22953-Q1 具有可調(diào)上升時間和電壓監(jiān)控功能的汽車級 5.7V、5A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS2295x-Q1 是具有受控導(dǎo)通功能的小型單通道負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.7 V 至 5.7 V 的輸入電壓范...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)輸入電壓 324 0
TPS22954-Q1 汽車5.7-V, 5-A, 14-mΩ負(fù)載開關(guān),帶可調(diào)上升時間、電壓監(jiān)控和輸出診斷功能數(shù)據(jù)手冊
TPS2295x-Q1 是具有受控導(dǎo)通功能的小型單通道負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.7 V 至 5.7 V 的輸入電壓范...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)輸入電壓 240 0
LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和負(fù)載突降保護(hù)的汽車級低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...
TPS7H2221-SEP 耐輻射 1.6V 至 5.5V 輸入 1.25A 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS7H2221-SEP 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V ...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 184 0
TPS22995 具有可調(diào)上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET筆記本電腦負(fù)載開關(guān) 323 0
TPS22995H-Q1 具有可調(diào)上升時間的汽車類 5.5V、3A、19mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22995H-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),包含一個 19mΩ N 溝道 MOSFET,可在 0.8 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān) 323 0
LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極管控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊
LM7480 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 6...
LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高柵極驅(qū)動的 3V 至 65V 背靠背 NFET理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74810 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V...
TPS22997 具有電源正常功能的 5.5V 10A 4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22997 是一款單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.1 V 至 ...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)輸入電壓 282 0
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