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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5665個(gè) 瀏覽：220288次 帖子：1132個(gè)

      mosfet技術(shù)

      一文詳解MOSFET

      一文詳解MOSFET

      晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過(guò)使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱為IGF...

      2023-12-29 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 4307 0

      深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

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      碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

      2024-01-24 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 4306 0

      10A電子保險(xiǎn)絲可為48V電源提供緊湊型過(guò)流保護(hù)

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      傳統(tǒng)上，保險(xiǎn)絲用于過(guò)流保護(hù)。然而，保險(xiǎn)絲體積龐大，響應(yīng)緩慢，跳閘電流容差寬，并且在一次或幾次跳閘后需要更換。本文介紹一種緊湊、扁平、快速的 10 A 電...

      2022-12-14 標(biāo)簽：電源MOSFET電路板 4297 0

      MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

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      必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。

      2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET電容雙極晶體管 4291 0

      功率MOSFET設(shè)計(jì)–功耗計(jì)算

      功率MOSFET設(shè)計(jì)–功耗計(jì)算

      功耗是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的總和，傳導(dǎo)損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面，開關(guān)損耗也稱為動(dòng)態(tài)損耗。

      2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET功耗計(jì)算 4285 0

      通過(guò)Buck降壓調(diào)光驅(qū)動(dòng)器的數(shù)字調(diào)光閃爍方案

      通過(guò)Buck降壓調(diào)光驅(qū)動(dòng)器的數(shù)字調(diào)光閃爍方案

      為了驅(qū)動(dòng)高側(cè)的MOSFET，線路中存在BOOT電容。在每次二極管導(dǎo)通過(guò)程中，芯片內(nèi)部路徑會(huì)對(duì)BOOT電容充電。

      2021-03-13 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器Boot 4285 0

      有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出特性，如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流？

      有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出特性，如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流？

      本文會(huì)著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出級(jí)特性，以及如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流。

      2023-07-04 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)電流輸出 4284 0

      一文讀懂何為IGBT

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET...

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      碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...

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      如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被...

      2023-02-24 標(biāo)簽：二極管MOSFETSiC 4273 0

      MOSFET晶體管的工藝制造流程

      MOSFET晶體管的工藝制造流程

      本文通過(guò)圖文并茂的方式生動(dòng)展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程，并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造工藝流程包括光刻、刻蝕、...

      2024-11-24 標(biāo)簽：芯片MOSFET晶體管 4264 0

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      雪崩光電二極管（APD）被作為接收器探頭用于光通信中。APD的高靈敏度和高帶寬受到了設(shè)計(jì)者的廣泛認(rèn)可。

      2020-08-08 標(biāo)簽：MOSFET接收器升壓轉(zhuǎn)換器 4264 0

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      隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn)，雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中，隨著外延層（或單晶）厚度、電阻率的的增加，MOSF...

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      當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...

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      采用采用反激轉(zhuǎn)換器如何消除米勒效應(yīng)

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      MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

      MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的...

      2023-07-11 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管TTL電平 4216 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      jf_36730788 jf_97492079 chuanh001 古玥問(wèn)問(wèn)去玩 我是初來(lái)乍到 jf_64860441 jf_76703045 jf_49700615 jf_61424177 360zky lijing380939807 jf_63230987

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