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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案
本文介紹一種大屏電視等大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案。它能突破電壓模式控制的諸多限制,具有更瞬速的動態(tài)反應(yīng),可顯著實(shí)現(xiàn)輕載和滿載時(shí)的高能效及超低待機(jī)能耗。
2016-01-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4114 0
電壓轉(zhuǎn)電流電路的工作原理與設(shè)計(jì)示例
電壓轉(zhuǎn)電流的電路常見于工業(yè)場合,接下來介紹其工作原理與設(shè)計(jì)示例。
2023-05-01 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器運(yùn)放 4111 0
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
MOSFET管柵極為什么放置一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻
在一周前看到在公眾號“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”(點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文),對...
2022-07-25 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOSFET柵極 4103 0
在LLC拓?fù)渲?,選擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么
在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下,提高電子設(shè)備的能效,取得高性能同時(shí)降低能耗,成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢,世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)...
基于555定時(shí)器的負(fù)電壓發(fā)生器電路圖 負(fù)電壓發(fā)生器的工作原理和應(yīng)用
負(fù)電壓發(fā)生器,顧名思義,是一種能夠產(chǎn)生負(fù)電壓的電子設(shè)備。在電子電路中,電壓的極性對于電路的功能和性能具有重要影響。雖然大多數(shù)電子設(shè)備主要使用正電壓,但在...
首先,類似 液晶背光或者我們用的臺燈等對于光亮強(qiáng)度比較敏感的LED應(yīng)用場景是不建議用恒壓驅(qū)動 ,因?yàn)殡妷旱牟▌訒苯佑绊懙搅鬟^LED的電流;而LED也會...
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
回到 ENIAC 時(shí)代,計(jì)算機(jī)本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計(jì)算機(jī)一般可以在多個(gè)電壓等級下工作,看過 CPU SMPS...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 4078 0
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。
詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
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