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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
納微GeneSiC碳化硅器件在電動(dòng)長途卡車的應(yīng)用詳解
4月10日,在武漢舉辦的2024年世界碳化硅大會(huì)獲得圓滿成功,在大會(huì)上,諸多碳化硅產(chǎn)業(yè)的專業(yè)人員分享了這個(gè)行業(yè)目前的進(jìn)展以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的研究進(jìn)度。
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vie...
NP2309EMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2309EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 ...
意法半導(dǎo)體高壓功率MOSFET研討會(huì)即將來襲
???????? 即刻報(bào)名誠邀您參加意法半導(dǎo)體高壓功率(HV)MOSFET研討會(huì) - 11.19杭州站/11.21深圳站!了解更多ST HV MOSFE...
2024-11-07 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體先進(jìn)封裝 1.1k 0
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。40...
近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)和芯片方案提供商 —— 上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱 “瞻芯電子”),憑借技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)化成果與高成長性,接連入選...
森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
中國上海,2014年11月20日–日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,東芝參加了于2014年11月16日至2...
4月17日,為期三天的2025慕尼黑上海電子展在上海新國際博覽中心收官。作為全球電子行業(yè)的年度盛會(huì),本次展會(huì)吸引了近1800家展商,覆蓋半導(dǎo)體、傳感器、...
2025-04-18 標(biāo)簽:MOSFET慕尼黑上海電子展揚(yáng)杰科技 1.1k 0
Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)
近日,碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性,旨在為高功率應(yīng)...
ADI發(fā)表全新的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器系列
ADI發(fā)表全新的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器系列 美商亞德諾公司(Analog Devices;ADI)發(fā)表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場...
2009-11-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0
IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡...
車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元
按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...
NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
小米30W立式雙線圈無線充拆解:捷捷微電MOSFET驅(qū)動(dòng)極速高效充電
捷捷微電核心技術(shù)再獲行業(yè)認(rèn)可!近日,小米30W立式無線充電器(型號(hào)MDY-17-EM)正式搭載捷捷微電JMSL1040AGD雙NMOS功率器件,以卓越性...
2025-06-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng) 1.1k 0
中瓷電子:國聯(lián)萬眾部分1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已批量供貨中
據(jù)悉,國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,部分型號(hào)產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場。另一方面,針對比亞迪在內(nèi)的多方...
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