ADI發(fā)表全新的高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列

美商亞德諾公司(Analog Devices；ADI)發(fā)表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管)驅(qū)動(dòng)器家族，能提供2A與4A的峰值電流，同時(shí)具有14ns至35ns(毫微秒)的最低傳播延遲，以及10ns至25ns的邊緣上升/下降時(shí)間。

全新的ADP 36xx MOSFET驅(qū)動(dòng)器家族以其過熱保護(hù)功能、電壓過低鎖定(UVLO)功能與精密關(guān)閉能力，使系統(tǒng)的保護(hù)性與可靠性獲得改善。這些驅(qū)動(dòng)器可用來補(bǔ)強(qiáng)脈寬調(diào)變(PWM)控制器(如ADP 1043A數(shù)字控制器)，進(jìn)而改善系統(tǒng)的效率，同時(shí)使隔離式電力轉(zhuǎn)換與馬達(dá)控制系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中的高切換頻率得以實(shí)現(xiàn)。

這個(gè)高電流驅(qū)動(dòng)、雙高速18伏特驅(qū)動(dòng)器的新家族，能夠驅(qū)動(dòng)兩組獨(dú)立的N通道電力MOSFET，并且采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的封裝尺寸。這些組件具有內(nèi)部的溫度傳感器，提供兩種位準(zhǔn)的過熱保護(hù)功能：在極端接合點(diǎn)溫度下的過熱警告以及過熱關(guān)閉。藉由精密的內(nèi)部比較器所產(chǎn)生的關(guān)閉功能，提供了允許多余過電壓保護(hù)的快速系統(tǒng)致能或是關(guān)閉，補(bǔ)強(qiáng)了開關(guān)器的保護(hù)功能。

此外，寬廣的輸入電壓范圍使驅(qū)動(dòng)器能夠與模擬式和數(shù)字式PWM控制器兼容。數(shù)字電力控制器乃是由低電壓電源提供電力，而驅(qū)動(dòng)器則是由較高電壓的電源提供電力。與低電壓數(shù)字控制器搭配使用時(shí)，UVLO以及磁滯(hysteresis)功能允許較高電壓電源供應(yīng)的安全啟動(dòng)與關(guān)閉。該組件家族采用耐熱度增強(qiáng)的SOIC_N_EP以及MINI_SO_EP封裝，藉以使其在小區(qū)域印刷電路板(PCB)中的高頻率驅(qū)動(dòng)能力最大化。

高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器ADP 36xx家族的主要特點(diǎn)與優(yōu)點(diǎn)：高達(dá)18伏特的輸入，使這些組件適用于12伏特的電源供應(yīng)；高速度的切換為效率的改善與高切換頻率作業(yè)提供了低傳播延遲以及快速的邊緣上升/下降時(shí)間；過熱警告以及過熱關(guān)閉的特點(diǎn)使系統(tǒng)的安全性與保護(hù)獲得改善；精密關(guān)閉功能提供對(duì)抗災(zāi)難失誤(catastrophic failure)與損害的備用保護(hù)功能。UVLO功能為所有的啟動(dòng)與關(guān)閉架構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)整合性提供了保證。