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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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新形式功率MOSFET晶體管研發(fā),能夠處理超過(guò)8000伏的電壓
6月3日消息,美國(guó)布法羅大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種新形式的功率MOSFET晶體管,這種晶體管可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓,可能會(huì)提升電動(dòng)汽車(chē)電力電子...
2020-06-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)mosfet晶體管 3.4k 0
PowerDI? 3333-8 D 型封裝的 3D 結(jié)構(gòu)有助增加整體功率效率,且高電壓與額定電流大幅擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。完全接地墊片設(shè)計(jì)可帶來(lái)良好的散熱效能...
面向汽車(chē)ECU的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)TPD7107F的介紹
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出柵驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線(xiàn)盒和車(chē)身控制模塊等車(chē)載控制單元(EC...
2020-05-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器ECU 3.8k 0
采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用
全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類(lèi)豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來(lái)更多選項(xiàng),有助于選擇應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想功率器件。
2020-05-14 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET電池管理系統(tǒng) 1.4k 0
意法半導(dǎo)體推出超實(shí)惠的6引腳封裝同步整流控制器
SRK1000A和SRK1000B兩款產(chǎn)品都能用于各種反激式控制器,包括高達(dá)300kHz固定頻率的準(zhǔn)諧振(QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓?fù)?,?jiǎn)化...
2020-05-13 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體同步整流控制器 1.5k 0
意法半導(dǎo)體推L99UDL01中控鎖整體解決方案,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和提升安全性
2020年5月11日——意法半導(dǎo)體L99UDL01通用型車(chē)門(mén)鎖IC集成6個(gè)MOSFET半橋輸出和兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,以及電路保護(hù)和診斷功能,可提升方案安...
2020-05-11 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體 2.8k 0
全新650 V CoolMOS? CFD7A系列為汽車(chē)應(yīng)用帶來(lái)量身定制的超結(jié)MOSFET性能
憑借在汽車(chē)領(lǐng)域的多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn),英飛凌將遠(yuǎn)超AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)的最高品質(zhì)與出色的技術(shù)知識(shí)相結(jié)合,推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET車(chē)載充電器 1.4k 0
Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅(jiān)固LFPAK56封裝
LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu),由Nexperia率先應(yīng)用,已在汽車(chē)等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。
疫情之后,功率半導(dǎo)體加速?lài)?guó)產(chǎn)替代!
功率半導(dǎo)體在經(jīng)歷了2017年的行業(yè)高點(diǎn)之后,整體營(yíng)收開(kāi)始逐漸下滑,在2019年第一季度增速進(jìn)入最低點(diǎn),至-3.47%,隨后開(kāi)始回升,在2019年第三季度...
2020-05-07 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體IGBT模塊 9.2k 0
聞泰科技擬加大投資安世中國(guó)引入高功率MOSFET生產(chǎn)線(xiàn)
4月26日晚間,發(fā)布公告,擬募集配套資金最高不超過(guò)58億元,用于安世中國(guó)先進(jìn)封測(cè)平臺(tái)及工藝升級(jí)項(xiàng)目、云硅智谷4G/5G半導(dǎo)體通信模組封測(cè)和終端研發(fā)及產(chǎn)業(yè)...
【硬見(jiàn)小百科】看完這篇,請(qǐng)不要再說(shuō)不懂MOSFET!
01 認(rèn)識(shí)功率器件 1.1 功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌: 1.2 ...
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過(guò)36%的空間。
MOSFET企業(yè)尚陽(yáng)通科技電動(dòng)工具表現(xiàn)優(yōu)異
仔細(xì)分析國(guó)內(nèi)對(duì)MOSFET有高需求的行業(yè),電動(dòng)工具占據(jù)了重要一席。國(guó)內(nèi)電動(dòng)工具行業(yè)在承接國(guó)際分工轉(zhuǎn)移的過(guò)程中不斷發(fā)展壯大,市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升,技術(shù)上快速升...
2020-04-21 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 3.9k 0
華為入場(chǎng)推進(jìn)IGBT發(fā)展,國(guó)內(nèi)IGBT發(fā)展現(xiàn)狀如何
根據(jù) IC Insights 的預(yù)測(cè),未來(lái)半導(dǎo)體功率器件中,MOSFET 與 IGBT 器件將是最強(qiáng)勁的增長(zhǎng)點(diǎn)。IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,?..
2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元,英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)
根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說(shuō)到2024年...
科銳推出650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,為應(yīng)用領(lǐng)域提供高功率解決方案
作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳(Cree Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFE...
2020-04-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)mosfet可再生能源 4.5k 0
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
MOSFET是對(duì)稱(chēng)的,只有柵極是確定的,哪一端是源級(jí),哪一端是漏極只有加載了電壓才能確定。對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō),它靠電子導(dǎo)電,電子的“源泉”定義為源級(jí)。所以...
需求增長(zhǎng) 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣回升
2019 下半年以來(lái),在國(guó)產(chǎn)化替代的加速推動(dòng)下,CIS、電源管理芯片、指紋識(shí)別芯片 、mcu、IGBT、MOSFET 等代工需求強(qiáng)勁,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣...
從工程師的角度來(lái)看功率器件的標(biāo)定及選擇
對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC 及功率器件特性無(wú)法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率開(kāi)關(guān)...
2020-03-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 3.5k 0
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