10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效
2022-06-24 09:57:45
2122 
導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343811 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341675 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開發(fā)第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內(nèi)開始量產(chǎn)。該器件降低了導通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201805 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
動態(tài)導通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測量技術(shù)的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠
2025-09-12 19:43:02774 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關(guān)
2019-03-08 15:06:392742 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073575 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
，設(shè)計工程師已經(jīng)習慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來自 Nexperia 的最新特定應(yīng)用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結(jié)技術(shù)，可產(chǎn)生較低的導通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導通電阻
2018-12-05 10:00:15
。在隔離型1/16thbrickDC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗，從而
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低?！ ⌒阅芴攸c： ●COOLiRFET硅技術(shù) ●實現(xiàn)傳導損耗最低 ●系統(tǒng)尺寸減小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關(guān)和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計，且高溫下的導通電阻也很低?！ ?. 驅(qū)動門極電壓和導通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
設(shè)計，且高溫下的導通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)了低的導通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
器件相比，具有更低的導通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來源：ROHM Semiconductor）標準硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時，RDS(on) 導通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
的元件中，難于實現(xiàn)低導通電阻及將開關(guān)應(yīng)用的能耗降至最低。為了實現(xiàn)這些參數(shù)的高質(zhì)量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷?！ ∫苿釉O(shè)備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
的根本原因?！ 。?）降低高壓MOS管導通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流 以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導通電阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 36 A Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms Vgs
2020-04-01 11:07:48
小的MOSFET晶胞并聯(lián)組成,在單位的面積上，并聯(lián)的MOSFET晶胞越多，MOSFET的導通電阻RDS(ON)就越小。同樣的，晶元的面積越大，那么生產(chǎn)的MOSFET晶胞也就越多，MOSFET的導通電阻
2016-09-26 15:28:01
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
實現(xiàn)了良好的二極管導電性。優(yōu)化設(shè)計的1.2kV級SBD嵌入式MOSFET導通電流特性評估結(jié)果證實，采用格子花紋設(shè)計將嵌入式SBD靠近體二極管可以有效限制寄生二極管雙極性導通，相同SBD占位面積條件下
2023-04-11 15:29:18
性和低噪聲特征，超級結(jié)MOSFET有一些變化。從下篇開始，將介紹每種變化的特征。關(guān)鍵要點:?Si-MOSFET的產(chǎn)品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級結(jié)結(jié)構(gòu)可保持耐壓的同時，降低導通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
（屏蔽柵極槽）技術(shù)。是一款高效、低導通電阻的N溝道MOSFET，適合用于各種高頻、高效電源管理應(yīng)用，尤其在DC/DC轉(zhuǎn)換器、無線充電和同步整流等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
---產(chǎn)品特點---
· 低導通電阻
2024-10-14 09:40:16
幾乎被外 延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOSFET結(jié)構(gòu)所導致的高導通電阻的根本原因?！ ?、降低高壓MOSFET導通電阻的思路 增加管芯面積雖能
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏極-源極間導通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展-減小漏源通態(tài)電阻Rds(on):近些年來，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開關(guān)的性能迅速提高。本文對該方面的新發(fā)展進行了論述。本文上篇著
2009-12-13 20:02:04
11 因為功率MOSFET的導通電阻和耐壓有以下的關(guān)系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在總芯片面積相等的情況下，如把幾個低壓MOSFET串聯(lián)連接，比1個高耐壓MOSFET的導通電阻低。
2010-05-25 08:16:05170 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有
2009-11-10 10:53:135089 
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI發(fā)布具備更低導通電阻的集成負載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅(qū)動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:402499 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關(guān)，集合了頂級FETIP與系統(tǒng)級保護功能。
2017-09-19 17:34:597 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。
2019-11-29 09:00:183948 半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263713 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 導通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超
2022-07-06 16:13:221106 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種
2023-02-20 15:46:150 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:561060 Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：低RDS(ON)的解決方案
2023-12-13 14:17:401102 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有1.8V邏輯器件的36V、低導通電阻、2:1 、4通道精密開關(guān)TMUX6234數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:53:000 近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
的創(chuàng)新LFPAK系列器件。這些精心設(shè)計的NextPower MOSFET，以超低的RDS（on）（導通電阻）與卓越的Qrr（反向恢復電荷）性能為亮點，旨在服務(wù)器、電源供應(yīng)、高速充電器、USB-PD應(yīng)用以及廣泛的電信、電機控制等工業(yè)領(lǐng)域，實現(xiàn)前所未有的能效提升與尖峰電壓抑制。
2024-08-07 14:53:321274 近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求，Nexperia（安世半導體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強的短路耐受性，是電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機驅(qū)動的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365 
Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關(guān)支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關(guān)包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637 
導言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，寬禁帶半導體（GaN、SiC）器件扮演著越來越關(guān)鍵的角色。然而，理解這些器件在高速開關(guān)過程中的真實性能，特別是其動態(tài)導通電阻（RDS
2025-09-12 17:14:581026 
Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電阻
2025-09-18 18:19:141110 圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監(jiān)測和輸出放電功能的低導通電阻負載開關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤和手持設(shè)備。
2025-11-05 17:24:162153 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
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