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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的...
2016-05-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.6k 0
英飛凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提升效率和性能
英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化,兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)...
據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校(UW Madison)的研究人員們,已經(jīng)同合作伙伴聯(lián)手實(shí)現(xiàn)了一種突破性的方法。不僅大大簡(jiǎn)化了低成本高性能、無(wú)線靈...
Diodes 40V車用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度...
Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能
全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power M...
Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下 開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋...
對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而降低功耗,尤其是在重載的情況下。
Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對(duì)大電流...
中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室采用是德科技低頻噪聲測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行器件可靠性研究
Keysight EDA E4727A是一款高性能的噪聲分析儀,可執(zhí)行快速、精確和可重復(fù)的低頻噪聲(LFN)測(cè)量。它支持閃變?cè)肼暫碗S機(jī)電報(bào)噪聲的晶圓映...
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出ST新款高性能功率MOSFET
致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh? M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V...
2016-01-05 標(biāo)簽:MOSFETST大聯(lián)大友尚 1.6k 0
Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開(kāi)關(guān)損耗
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的...
Diodes 30V MOSFET使大容量電容器快速及安全放電
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用,確保在現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)...
Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太...
性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電...
2015-10-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3.3k 0
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2.4k 0
Diodes推出高效率單繞組電感 500V降壓LED驅(qū)動(dòng)器
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出AL1678 LED驅(qū)動(dòng)器系列,適合驅(qū)動(dòng)那些毋須符合功率因數(shù)高於0.7的通用照明產(chǎn)品內(nèi)...
2015-08-28 標(biāo)簽:MOSFETDiodesLED驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0
Diodes雙向開(kāi)關(guān)提供單芯及雙芯鋰電池充電保護(hù)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)雙N通道增強(qiáng)型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX,為電池充...
2015-07-20 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMN2014LHAB 1.7k 0
滿足各不同應(yīng)用領(lǐng)域嚴(yán)苛的能效要求非常復(fù)雜,這讓各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的設(shè)計(jì)工程師常常為上市時(shí)間而頭疼,而模塊化、高可靠性的產(chǎn)品則可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程,這也是飛兆半導(dǎo)體...
2015-03-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET智能電源 2.8k 0
Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產(chǎn)品功率密度和可靠性
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VS...
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