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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌與快捷半導(dǎo)體共同簽訂車用創(chuàng)新MOSFET H-PSOF TO無導(dǎo)線封裝技術(shù)授權(quán)協(xié)議
英飛凌和快捷半導(dǎo)體宣布,針對(duì)英飛凌先進(jìn)的車用 MOSFET 封裝技術(shù) H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權(quán)協(xié)議,該技術(shù)是符合 JE...
用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能
所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí),仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競(jìng)爭(zhēng)愈來愈激烈,功能急劇增加,但是...
2012-04-05 標(biāo)簽:MOSFET智能MOSFET醫(yī)療設(shè)計(jì) 1.6k 0
次級(jí)側(cè)同步整流:同步整流也被稱為“有源”整流,它采用MOSFET替代二極管。同步整流用于提升整流效率。通常,二極管的壓降會(huì)在0.7V至1.5V之間變化,...
2012-04-03 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET晶閘管 2.8萬 0
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速...
MAX8857A尺寸最小、內(nèi)置MOSFET、7通道2 AA DSC PMIC
MAX8857A PMIC為數(shù)碼相機(jī)(DSC)和數(shù)碼攝像機(jī)(DVC)提供完整的電源解決方案。和現(xiàn)有的2節(jié)AA電池和雙電池設(shè)計(jì)相比,MAX8857A提供了...
飛兆半導(dǎo)體小體積低導(dǎo)通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器...
2012-03-01 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET 784 0
瑞薩電子推出P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體MOSFET系列μPA2812T1L
瑞薩電子"今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET系列產(chǎn)品,包括用于筆記本電腦中鋰離子Li-ion二級(jí)電池的充電控制開...
Vishay Siliconix推出新款P溝道30V芯片級(jí)MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道3...
飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technolog...
由于功率電平較低,集成緊湊型熒光燈(CFL)鎮(zhèn)流器通常不需要進(jìn)行功率因數(shù)校正(PFC)。然而,隨著這款具有節(jié)能優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品的市場(chǎng)需求日益旺盛,在不久的將來...
2012-02-07 標(biāo)簽:MOSFET功率因數(shù)熒光燈鎮(zhèn)流器 3.5k 2
TI推出支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器LM5017
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器,進(jìn)一步壯大其高電壓負(fù)載點(diǎn)產(chǎn)品陣營(yíng)。該 600 mA LM5017 是...
MAX17601-MAX17605 Dual MOSFET Drivers
MAX17601 - MAX17605設(shè)備高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器的漏/源4A的峰值電流的能力。該設(shè)備具有不同的反相和同相部分選項(xiàng)提供更大的靈活性,控制M...
要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用,需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括阻抗耗散和開關(guān)耗散:PDDEVICETOTAL=PDRESIS...
散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差,一般說來主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗,每只器件的參數(shù)參差不齊,并不是一樣的,而且在芯片上各處的溫度也是不同的。
MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化
在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電流通過MOSFET通道電阻所造成的功率損耗是總功...
2011-12-27 標(biāo)簽:MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓 5.6k 0
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
低壓超級(jí)接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能
采用超級(jí)接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn),亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 標(biāo)簽:MOSFET 2.2k 0
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