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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性優(yōu)勢及典型應(yīng)用
隨著功率電子市場的發(fā)展,傳統(tǒng)硅(Si)器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”,因此近年來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)前兩期中,我們分別從歐美和日系兩大陣營解析了MOSFET主流玩家的主要產(chǎn)品。無論是一直以來以強橫實力始終保持平穩(wěn)的歐美廠商...
2021-10-22 標(biāo)簽:電阻MOSFET半導(dǎo)體器件 4.1k 0
東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-M...
2022-04-01 標(biāo)簽:MOSFET東芝東芝半導(dǎo)體 4.1k 0
東芝TLP3910是一款由高輸出GaAlAs(鋁鎵砷化物)LED光電耦合器和高速光電探測器組成的光伏輸出光耦,適用于高壓功率MOSFET的柵極驅(qū)動。
反激變換器連續(xù)導(dǎo)通模式和斷續(xù)導(dǎo)通模式的工作原理
反激變換器連續(xù)導(dǎo)通模式和斷續(xù)導(dǎo)通模式的工作原理? 反激變換器是一種電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,它能夠?qū)⒁环N特定電壓和電流的直流電能轉(zhuǎn)化為另一種電壓和電流的直流電能。反...
功率MOSFET平均售價持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點
自2018年開始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(ASP)持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成...
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布雙通道Power-SO8 MOSFET LFPAK56D產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO...
2012-09-26 標(biāo)簽:MOSFET恩智浦半導(dǎo)體模擬芯片 4.1k 0
開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的核心部件是功...
2024-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源功率開關(guān) 4k 0
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列,可支持1700 V IGBT
美國加利福尼亞州圣何塞,2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者(納斯達克股票代號:POWI)今天推出SC...
據(jù)外媒報道,美國威斯康星大學(xué)麥迪遜分校(UW Madison)的研究人員們,已經(jīng)同合作伙伴聯(lián)手實現(xiàn)了一種突破性的方法。不僅大大簡化了低成本高性能、無線靈...
NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動器的特性與應(yīng)用分析
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻...
2019-10-03 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動器安森美半導(dǎo)體 4k 0
8A30V耐壓MOS管 n溝道 場效應(yīng)管(MOSFET)HC3600M介紹
型號:HC3600M 參數(shù):30V 8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻22mR 低結(jié)電容445pF? 封裝:貼片(SOT23-3) 低開啟電壓1.5V ...
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 4k 0
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件...
我們之前有介紹過什么是IGBT,不過主要是從結(jié)構(gòu)上對其進行了剖析,并未深入介紹,今天金譽半導(dǎo)體再從其他角度來充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有...
AOS發(fā)布最低內(nèi)阻MOSFET:AON6250
萬國半導(dǎo)體(AOS)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS (αMOS)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多...
2013-05-14 標(biāo)簽:MOSFET萬國半導(dǎo)體AON6250 4k 0
國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認證
2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247...
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)...
2023-10-22 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管 4k 0
Allegro Microsystems推出經(jīng)ASIL認證的全新BLDC MOSFET驅(qū)動器
今年圣誕有驚喜,杭州博聯(lián)CEO劉宗孺剛在云接入市場投下了4顆震撼彈,最大的一顆是宣布博聯(lián)3大云平臺全面免費向照明、電工、電機類產(chǎn)品開放。目前其它云接入廠...
2018-12-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器PCB設(shè)計 4k 0
上面這個例子顯示,當(dāng)驅(qū)動電壓為0,Vds達到200V的時候,Id這個電流達到了250uA,這個時候認為已經(jīng)達到擊穿電壓。
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