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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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CISSOID新型柵極驅(qū)動器板亮相紐倫堡PCIM 2019展會
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT...
聞泰科技收購安世半導(dǎo)體通過中國反壟斷調(diào)查
根據(jù)公司戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)需求,并結(jié)合公司全資子公司昆明聞泰通訊有限公司(以下簡稱“昆明聞泰”)的實(shí)際經(jīng)營情況,公司擬對昆明聞泰進(jìn)行增資,主要用于擴(kuò)大產(chǎn)能及...
2019-05-09 標(biāo)簽:MOSFET安世半導(dǎo)體聞泰科技 5.6k 0
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC適合高壓領(lǐng)域,GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
如何使用Soatherm進(jìn)行MOSFET熱模型的設(shè)計(jì)
在高功率水平下,驗(yàn)證熱插拔設(shè)計(jì)是否不超過MOSFET的能力是一個(gè)挑戰(zhàn)。幸運(yùn)的是,熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPI...
LTC3731和LTC3853控制器的特點(diǎn)與應(yīng)用
電壓與電流模式控制多相DC / DC轉(zhuǎn)換器中的Curent共享 - LTC3731,LTC3853_zh
高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器的應(yīng)用
快速150V保護(hù)高側(cè)Driver_zh
1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓,并且超越到達(dá)了一定的才能從而招致MOSFET失效。 2:SO...
大晶磊半導(dǎo)體最新研發(fā)的針對中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動解決方案
目前,大晶磊半導(dǎo)體可以為市場提供通過90kV BIL測試的碳化硅驅(qū)動模塊。而且此驅(qū)動模塊可以將碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容...
從工業(yè)到智慧工業(yè),半導(dǎo)體廠商可以做什么?
從第一次工業(yè)革命開始到現(xiàn)在,工業(yè)領(lǐng)域發(fā)生了翻天覆地的變化,現(xiàn)在及未來的工業(yè)將會更加智能化。
2019-04-10 標(biāo)簽:MCUMOSFET電機(jī)驅(qū)動 9.3k 1
MOSFET2019年價(jià)格預(yù)估有衰退可能 英飛凌提及擴(kuò)大委外代工鞏固主要營收市場
市場普遍認(rèn)為,MOSFET 在 2019 年價(jià)格預(yù)估有衰退可能,原因來自全球 MOSFET 需求吃緊狀況減緩,以及中國自有 12 吋廠功率半導(dǎo)體逐步放量...
國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽三亞站結(jié)束 揭密極速賽車的幕后英雄
隨著2018-19賽季ABB國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽第六輪比賽結(jié)束,衛(wèi)冕冠軍讓-埃里克維爾涅在車隊(duì)主場2019電動方程式FWD富衛(wèi)三亞站拿下本賽季首個(gè)分...
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
MOSFET開始止?jié)q回跌,最高降價(jià)兩成!
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率半導(dǎo)體 3.5k 0
國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價(jià)格預(yù)期仍將上漲
全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 8.5k 0
IGBT選型需要注意事項(xiàng) IGBT怎么選型一文講清楚
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時(shí)擁有...
滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用,...
需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.7...
DRAM大跌價(jià)、硅晶圓庫存堆積、MOSFET產(chǎn)能過剩 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆冷
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由于政策減稅、政府補(bǔ)貼,迎來一波又一波小陽春。各大半導(dǎo)體上市企業(yè),你追我趕的瘋漲潮。今天,卻集體被割了一波韭菜。
首款100V DC-DC轉(zhuǎn)換器橋式功率級模塊的性能與應(yīng)用介紹
視頻簡介:DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員正設(shè)法減少設(shè)計(jì)的尺寸/提高輸出功率。在本視頻中,我們將為您介紹行業(yè)首款100 V橋式功率級模塊FDMF8811,能以緊...
2019-03-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動器 7.5k 0
采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關(guān)器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
視頻簡介:目前,市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大,從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低,已經(jīng)成為主要開關(guān)器件...
2019-03-06 標(biāo)簽:開關(guān)mosfet安森美半導(dǎo)體 4.4k 0
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