美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:121699 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:2038554 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
東芝將進一步擴大其MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率，進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271633 
中國上海， 2023 年 3 月 9 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT---
2023-03-13 09:56:121078 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:501327 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴(yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率
2018-10-23 16:21:49
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
等級，同時，在器件導(dǎo)通時，形成一個高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計在不同的區(qū)域，就可以實現(xiàn)上述的要求?；诔?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)
2018-10-17 16:43:26
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應(yīng)用：
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PFC)
深圳市芯
2025-07-15 16:22:02
特性：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應(yīng)用：
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PFC
2025-07-09 13:35:13
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，通常可以增大散熱器，提高器件通過電流的能力。底部沒有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
的短路魯棒性：10微秒短路脈沖時間、Tvjop=150°C? 在結(jié)溫升高（高達Tvjop=150°C）下的最高輸出功率和在結(jié)溫降低下的最高功率循環(huán)功能之間具備理想的靈活性總之，設(shè)計工程師利用650V
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
轉(zhuǎn)換器IC的特點和優(yōu)點：?內(nèi)置ROHM獨有的650V超級結(jié)MOSFET→高效率和小型化?電流模式PWM控制、逐周期過電流限制功能→提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的速度?開關(guān)頻率 65kHz→開關(guān)損耗與外圍元器件尺寸
2019-07-11 04:20:12
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14924 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-11-10 15:40:039 近日，東芝宣布推出適用于NAS平臺的MN07系列12TB和14TB 3.5英寸硬盤。東芝MN07系列采用充氦密封的機械設(shè)計實現(xiàn)高達14TB和12TB的容量。較之前的10TB“空氣型”7,200rpm機械設(shè)計，14TB型號可將工作效率提高大約55%。
2018-08-05 10:54:395155 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 為驅(qū)動快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對開關(guān)性能的影響，以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:203459 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 如今，市場對于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:292040 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:551515 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
超級結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑崿F(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復(fù)超結(jié) MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應(yīng)用
2022-11-15 20:17:570 上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
－ 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內(nèi)置超級結(jié)MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種
2023-02-20 15:46:150 新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲?b class="flag-6" style="color: red">效率和可靠性 ? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時間(trr)，以及出色
2023-02-22 15:26:581508 功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342033 引言： 在現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換和電子系統(tǒng)中，高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號，具備許多引人注目的特點和廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從
2023-06-13 14:06:481244 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02621 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162413 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:021787 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:508 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:062 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:412195 
帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點，是焊接切割設(shè)備，開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊?？焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10
2024-05-27 11:16:471408 
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36869 
Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265 
產(chǎn)品。然而，由于這類器件能夠持續(xù)在性能、效率和成本效益之間達到平衡，因此在優(yōu)化許多新應(yīng)用的電子電源設(shè)計時不可或缺。 硅基超級結(jié) MOSFET 早在本世紀(jì)初就已投入商業(yè)應(yīng)用，它是通過交替堆疊 p 型和 n
2024-10-02 17:51:001664 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:100 NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261547 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
650V碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
2025-02-08 07:56:071203 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531194 隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
LP8728是一款適合于副邊控制反激應(yīng)用的PWM控制器，集成 650V 高壓 MOSFET。PWM 工作狀態(tài)時，采用峰值電流控制模式，并且在中載以下開始降低頻率以提升平均效率，在輕載或者空載時，系統(tǒng)
2025-04-27 09:35:390 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場景的N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-29 10:31:10190 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1576
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