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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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在需要高速讀寫與數(shù)據(jù)永久保存的工業(yè)、汽車及高可靠性系統(tǒng)中,存儲器的選擇至關重要。MR2A08A-4Mb磁阻隨機存取存儲器(MRAM)憑借其SRAM兼容的...
32Kx8 MRAM串行SPI磁性隨機存儲芯片Everspin總代理
這是一款采用先進磁性隨機存取存儲器(MRAM)技術的串行存儲芯片,以其256Kb(32Kx8)的容量、高速無延遲讀寫及出色的可靠性,為工業(yè)控制、汽車電子...
在存儲技術快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機存取存儲器)以其獨特的性能,逐漸成為業(yè)界關注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來存儲數(shù)...
在嵌入式存儲應用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表,Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制...
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,傳統(tǒng)存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯...
串行接口MRAM存儲芯片面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片,基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建,這款串行接口M...
MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢介紹
在當今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎設施和數(shù)據(jù)中心中,Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲器——EMD4E00...
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器...
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),...
作為磁阻存儲器領域的重要分支,SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計,正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層...
2025-10-24 標簽:MRAM 401 0
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存,在非易失性內(nèi)存領域(即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲)多年來占據(jù)著標準地位。然而,隨著工藝技術尺寸縮小至28nm以下,這些...
馳拓科技完成12億元B輪融資,加速MRAM產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調(diào)基金、國調(diào)科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應用
磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應用
2024-03-28 標簽:電池管理系統(tǒng)MRAM國芯思辰 1.5k 0
瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術,以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
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