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      標(biāo)簽　>　mram

      mram

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      MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。

      文章：222個(gè) 瀏覽：32783次 帖子：28個(gè)

      mram資訊

      MRAM在智能電表中的重要優(yōu)勢(shì)

      由于智能電表必須不斷記錄數(shù)據(jù)，因此需要高耐久性的內(nèi)存。另外，OTA功能的加入，使得內(nèi)存的高效寫入速度更加關(guān)鍵。MRAM的應(yīng)用是最理想的存儲(chǔ)器，它能滿足智...

      2023-02-23 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 840 0

      2023年ReRAM技術(shù)開始進(jìn)入主流市場(chǎng)

      ReRAM 代工工藝由臺(tái)積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持，ReRAM 由瑞薩（通過(guò)收購(gòu) Adesto）、富士通、Microchip...

      2023-02-23 標(biāo)簽：NOR閃存framMRAM 2.1k 0

      xSPI STT-MRAM--EM064LX產(chǎn)品系列的主要優(yōu)勢(shì)

      Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz...

      2022-12-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器MRAM 1k 0

      STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

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      蓄勢(shì)待發(fā)的MRAM

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daught...

      2022-11-29 標(biāo)簽：MRAM 3.5k 0

      存儲(chǔ)器迎來(lái)怎樣的2023？

      存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。...

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      非易失MRAM是BBSRAM完美替代產(chǎn)品

      MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器，使用壽命幾乎無(wú)限。所具有的綜合性能是任何其他...

      2022-11-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器sramMRAM 1.1k 0

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      2022-11-17 標(biāo)簽：微控制器MRAM非易失性存儲(chǔ)器 976 0

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      三星半導(dǎo)體宣布，通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了基于MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)）的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算（In-Memory Computing），進(jìn)一步拓展了三星下世代低功...

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      具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

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      2022-08-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器Nand flashMRAM 954 0

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      2022-07-25 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)納米MRAM 1.4k 0

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      一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開關(guān)的。

      2022-07-22 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心MRAM 2.2k 0

      可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

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      Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片—MR25H40CDF

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      MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...

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      2022-01-15 標(biāo)簽：新能源汽車MRAM 1.0萬(wàn) 0

      STT-MRAM存儲(chǔ)器具備無(wú)限耐久性

      在 MRAM 這類內(nèi)存寫入時(shí)，組件的穿隧氧化層會(huì)承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這意味著即使ST...

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      2021-12-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器MRAM 583 0

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        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽(yáng)能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
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        +關(guān)注
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      james1110

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