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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)...
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl(串行外圍接口)是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串...
Netsol MRAM非易失存儲芯片是數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的優(yōu)選
因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同,無需電壓...
工業(yè)機(jī)械專用Netsol Parallel STT-MRAM
工業(yè)機(jī)械是指在工業(yè)建設(shè)及工業(yè)制造過程中所使用的代替人工勞動力或輔助人工勞動力的機(jī)械設(shè)備。 ? ? ??工業(yè)設(shè)備通常即使在惡劣的操作環(huán)境中,也需要防止數(shù)據(jù)...
2023-02-27 標(biāo)簽:存儲MRAM工業(yè)設(shè)備 497 0
專門用于便攜式醫(yī)療機(jī)械Netsol Serial STT-MRAM
Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序,至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它...
由于智能電表必須不斷記錄數(shù)據(jù),因此需要高耐久性的內(nèi)存。另外,OTA功能的加入,使得內(nèi)存的高效寫入速度更加關(guān)鍵。MRAM的應(yīng)用是最理想的存儲器,它能滿足智...
2023年ReRAM技術(shù)開始進(jìn)入主流市場
ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購 Adesto)、富士通、Microchip...
xSPI STT-MRAM--EM064LX產(chǎn)品系列的主要優(yōu)勢
Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達(dá)200MHz...
STT-MRAM非易失存儲器特點(diǎn)及應(yīng)用
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時間長的存儲。...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚(yáng))磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史,最早可以追溯到1984年,Arthur Pohm和 Jim Daught...
2022-11-29 標(biāo)簽:MRAM 3.8k 0
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm,28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的...
三星半導(dǎo)體宣布,通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了基于MRAM(磁阻式隨機(jī)存取存儲)的存儲內(nèi)運(yùn)算(In-Memory Computing),進(jìn)一步拓展了三星下世代低功...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...
2022-08-26 標(biāo)簽:存儲器Nand flashMRAM 1.1k 0
MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當(dāng)兩個磁鐵靠近時,它們的電阻會發(fā)生變化,這取決于它...
2022-07-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)納米MRAM 1.5k 0
一些自旋電子存儲器已經(jīng)面世。MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)已經(jīng)商業(yè)化,在某些情況下可以取代電子存儲器,但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心MRAM 2.4k 0
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