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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

NAND存儲種類和優(yōu)勢

非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器（Flash Memory）與只讀存儲器（Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NA...

2024-03-22 標(biāo)簽：閃存 NAND 非易失性存儲器 1246 0

請問3D NAND如何進(jìn)行臺階刻蝕呢？

在3D NAND的制造過程中，一般會有3個(gè)工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。

2024-04-01 標(biāo)簽：NAND 光刻膠 1243 0

TTL逆變器和NAND門

自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。

2023-05-29 標(biāo)簽：NAND 逆變器晶體管 1221 0

3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點(diǎn)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 1221 0

在設(shè)計(jì)基于NAND的存儲系統(tǒng)時(shí)選中所有框

有人會認(rèn)為設(shè)計(jì)一個(gè)基于NAND的存儲系統(tǒng)是相當(dāng)簡單的。然而，這是一個(gè)極其復(fù)雜的過程，在此過程中需要進(jìn)行一系列組件和權(quán)衡。沒有一種適合所有解決方案的解決方...

2023-05-04 標(biāo)簽：電源控制器 NAND 1187 0

以更低的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)更高的移動(dòng)存儲性能

以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，設(shè)備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展（UM...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 1173 0

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：TTL逆變器和NAND門

自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。

2022-11-05 標(biāo)簽：NAND TTL 逆變器 1167 0

【飛凌技術(shù)分享】從eMMC到NAND，嵌入式系統(tǒng)存儲的軟件優(yōu)化策略

存儲穩(wěn)定性直接關(guān)乎到最終產(chǎn)品的穩(wěn)定性，本文圍繞eMMC和NAND的特性做了對比介紹，目的是幫助研發(fā)工程師在實(shí)際開發(fā)產(chǎn)品過程中更簡單、更高效。

2025-02-21 標(biāo)簽：嵌入式 NAND emmc 1138 0

NAND Flash與其他類型存儲器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲器 SSD硬盤 1138 0

亂碼電路第2部分：通用解決方案

構(gòu)建用于評估特定函數(shù)f（x）的通用解決方案的一種方法是設(shè)計(jì)一個(gè)電路，將可能的輸入x映射到可能的輸出f（x）。例如，考慮一個(gè)NAND門：

2023-06-27 標(biāo)簽：NAND 函數(shù)生成器 1135 0

節(jié)拍頻率指示器電路分享

節(jié)拍頻率指示器用于指示我們感興趣的信號頻率何時(shí)超過參考頻率。這是一個(gè)這樣的指示電路，它使用LED來指示我們的信號何時(shí)超過參考頻率。這些指示電路可用于功能...

2023-05-13 標(biāo)簽：NAND 指示器頻率 1132 0

閃存的兩種分類

當(dāng)給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了當(dāng)給柵極低電平時(shí)，這時(shí)隧穿層就相當(dāng)于絕緣層，這樣電子就被存儲起...

2023-10-11 標(biāo)簽：NAND 存儲晶體管 1121 0

DRAM和NAND預(yù)計(jì)將占汽車內(nèi)存收入的近90%

2021 年，獨(dú)立內(nèi)存市場規(guī)模高達(dá)1670億美元。占整個(gè)半導(dǎo)體市場的 28%。相比之下，汽車存儲器市場（2021 年為 43億美元）占全球存儲器市場收入...

2022-12-02 標(biāo)簽：NAND 存儲器 1120 0

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲器 1118 0

Nor Flash與NAND Flash閃存技術(shù)的關(guān)鍵特點(diǎn)區(qū)分

Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。

2023-12-05 標(biāo)簽：控制器 Nand 嵌入式系統(tǒng) 1109 0

Nor Flash作為存儲解決方案的優(yōu)勢與限制

選擇Nor Flash作為存儲解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。

2023-12-05 標(biāo)簽：NOR閃存 Nand 嵌入式系統(tǒng) 1104 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場對數(shù)據(jù)處理以及存儲的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 1059 0

英睿達(dá)4TB容量的X8移動(dòng)SSD測評分析

英睿達(dá)X8移動(dòng)SSD是一款體形小巧的移動(dòng)SSD，三圍尺寸只有110mm（長）×53mm（寬）×11.5mm（厚），重量也只有100g，比常見的智能手機(jī)更...

2023-05-08 標(biāo)簽：NAND SSD 英睿達(dá) 1052 0

智能刻蝕帶來突破性的生產(chǎn)力提升

增加電路密度而不必移動(dòng)到新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢使得垂直擴(kuò)展成為半導(dǎo)體行業(yè)的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。

2022-01-24 標(biāo)簽：NAND 晶圓泛林集團(tuán) 1031 0

在i.MXRT1xxx系列上用NAND型啟動(dòng)設(shè)備時(shí)可用兩級設(shè)計(jì)縮短啟動(dòng)時(shí)間

去年痞子衡寫過一篇騷操作文章《借助i.MXRT10xx系列INIT_VTOR功能可以縮短程序熱重啟時(shí)間》，這對于 NAND 型啟動(dòng)設(shè)備上程序熱重啟時(shí)間...

2024-05-01 標(biāo)簽：NAND Vcc emmc 1029 0

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云儲存

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。

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