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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

如何降低寫(xiě)入放大系數(shù)對(duì)存儲(chǔ)器的影響

TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫(xiě)入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹T...

2023-07-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 813 0

3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 797 0

SD NAND異常問(wèn)題案例——文件系統(tǒng)篇

近期，有用戶在使用SD NAND中出現(xiàn)芯片出現(xiàn)讀寫(xiě)異?，F(xiàn)象，我們工程師對(duì)出現(xiàn)異常的3片芯片進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)3片均能正常讀卡，里面的文件大多數(shù)可以正常讀取，...

2024-06-14 標(biāo)簽：芯片 NAND 文件系統(tǒng) 789 0

嵌入式企業(yè)版啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器的需求并非您所想的那樣

為企業(yè)部門(mén)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)系統(tǒng)非常注重實(shí)現(xiàn)顯著的耐久率。服務(wù)器群的機(jī)架式服務(wù)器SSD旨在實(shí)現(xiàn)每天的速度，低延遲和最大驅(qū)動(dòng)器寫(xiě)入。

2019-07-11 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)模塊 784 0

瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（34）1.8V信號(hào)的時(shí)序

固定數(shù)據(jù)窗口插卡輸出時(shí)序如下圖所示，SDR12、SDR25、SDR50的輸出時(shí)序。

2024-10-08 標(biāo)簽：NAND 信號(hào)時(shí)鐘 759 0

計(jì)算嵌入式醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中SSD的使用壽命

　　重要的是要注意，即使對(duì)于模型良好的應(yīng)用程序，計(jì)算也最多只是理論上的。產(chǎn)生真實(shí)結(jié)果的更準(zhǔn)確的方法包括使用應(yīng)用程序本身中的工具來(lái)監(jiān)控 NAND 閃存的確...

2022-08-11 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND SSD 758 0

三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國(guó)大陸市場(chǎng)出貨量約為6640萬(wàn)部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國(guó)大陸...

2023-11-22 標(biāo)簽：智能手機(jī)閃存 NAND 746 0

3D NAND的層是否數(shù)物理限制？

美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開(kāi)始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...

2022-08-29 標(biāo)簽：NAND 3d nand 705 0

SD NAND SPI模式：如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行

最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過(guò)程中，使用SPI模式，對(duì)SD完成操作后，SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式，未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在2...

2024-09-02 標(biāo)簽：mcu NAND SPI 704 0

Hyperstone引入用例追蹤器來(lái)優(yōu)化NAND閃存的配置和管理

通過(guò)啟用追蹤和分析應(yīng)用程序使用閃存方式的能力，制造商現(xiàn)在可以為任何用例確定最優(yōu)的閃存存儲(chǔ)技術(shù)。

2019-04-23 標(biāo)簽：閃存 NAND Hyperstone 701 0

淺談FeRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況

imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性（1011個(gè)周期）、高最終剩余極化強(qiáng)度（1.8MV/cm時(shí)2P R ...

2022-12-07 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 FeRAM 610 0

分析師熱議美光并購(gòu)恒憶案

分析師熱議美光并購(gòu)恒憶案美光(Micron)以12.7億美元總價(jià)并購(gòu)恒憶(Numonyx)，為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)版圖又創(chuàng)新局，究竟后續(xù)可能對(duì)市場(chǎng)影響為何，以下...

2010-02-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 604 0

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

2025-04-08 標(biāo)簽：NAND 制造工藝閃存芯片 595 0

DRAM和NAND的局限性未來(lái)如何使用量子計(jì)算

“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù)，一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM，”Lee 說(shuō)?！暗窃?3 級(jí)之后，我們可以有 4 級(jí)，一個(gè)額外的緩存層嗎？根據(jù)工作負(fù)載...

2023-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND cpu 584 0

掌握 SD NAND 貼片的重要注意事項(xiàng)

1、SD NAND回流焊的最高溫度不能超過(guò)260°（無(wú)鉛焊錫）.回流焊的參數(shù)設(shè)置還需要根據(jù)焊錫的熔點(diǎn)和板子的其他元器件回流焊參數(shù)來(lái)設(shè)置。如果使用含鉛焊錫...

2024-06-27 標(biāo)簽：NAND 貼片虛焊 565 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（27）C_SIZE

該參數(shù)用于計(jì)算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域)，數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項(xiàng)計(jì)算。

2024-09-21 標(biāo)簽：電源 NAND 內(nèi)存 562 0

深度解析存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì)，基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過(guò)浮柵來(lái)鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中，在無(wú)...

2023-11-19 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 553 0

心率監(jiān)測(cè)儀使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品

心率監(jiān)測(cè)儀可能會(huì)使用多種存儲(chǔ)產(chǎn)品來(lái)記錄和保存心率數(shù)據(jù)，具體取決于設(shè)備的設(shè)計(jì)、應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)要求。

2024-09-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD卡 518 0

SD NAND參考設(shè)計(jì)提示

一、電路設(shè)計(jì)1、參考電路：R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時(shí)，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。即使主機(jī)使用SD...

2024-08-30 標(biāo)簽：上拉電阻 NAND 電路設(shè)計(jì) 503 0

韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備

DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非常快，但具有易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫(xiě)速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特...

2024-04-08 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 472 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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