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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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DRAM、NAND和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技...

2020-12-24 標(biāo)簽：嵌入式 DRAM NAND 1.6k 0

ROM分為幾類有什么區(qū)別

存儲(chǔ)器分為兩大類：RAM和ROM，RAM就不講了，主要討論ROM。 ROM最初是不能編程的，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了PROM，可...

2020-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh EEPROM 7.8k 0

NAND Flash控制器價(jià)格或面臨調(diào)漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示，受限于上游臺(tái)積電（TSMC）與聯(lián)電（UMC）等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測(cè)產(chǎn)能緊缺，包含Ph...

2020-12-22 標(biāo)簽：控制器 NAND 晶圓 2.4k 0

Intel發(fā)布二代傲騰SSD P5800X

今天，Intel就發(fā)布了基于新一代傲騰存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤SSD P5800X，號(hào)稱同類產(chǎn)品世界最快，而且在壽命、延遲等方面依舊輕松秒殺NAND閃存。

2020-12-20 標(biāo)簽：NAND intel 數(shù)據(jù)中心 5.1k 0

英特爾推出三款六款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品，助力企業(yè)應(yīng)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型

本次大會(huì)上，英特爾還宣布推出三款采用144層存儲(chǔ)單元的全新NAND固態(tài)盤，包括適用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——英特爾...

2020-12-17 標(biāo)簽：英特爾 nand 內(nèi)存 1.6k 0

【芯聞精選】SK海力士推出176層4D NAND閃存芯片；東芝和富士電機(jī)計(jì)劃在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域投資19億美元…

2月15日，SEMI今日在SEMICON Japan上發(fā)布了年終半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)。SEMI預(yù)計(jì)全球OEM的半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將比2019年的596億美元...

2020-12-16 標(biāo)簽：NAND SK海力士 3.8k 0

NAND閃存的售價(jià)將在2021年全年將持續(xù)下滑

12月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。

2020-12-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.1k 0

NAND 閃存平均售價(jià)在 2021 年全年都將持續(xù)下滑

12 月 15 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從 8 月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi) NAND 閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。...

2020-12-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.4k 0

176層NAND閃存芯片的特點(diǎn)性能及原理

從96層NAND閃存芯片開(kāi)始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來(lái)說(shuō)，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。

2020-12-15 標(biāo)簽：NAND NAND閃存 3.8k 0

2021年NAND Flash價(jià)格仍將逐季下跌季跌約10~15%

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）旗下半導(dǎo)體研究處的最新報(bào)告稱，由于NAND Flash的供應(yīng)商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長(zhǎng)的幅度居高不下...

2020-12-15 標(biāo)簽：DRAM NAND 3.9k 0

明年首季NAND Flash供過(guò)于求態(tài)勢(shì)將更加明顯

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處指出，2021年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterp...

2020-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 1.8k 0

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展，容量超過(guò)1 TB的閃存解決方案得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，對(duì)于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來(lái)越復(fù)雜。

2020-12-11 標(biāo)簽：控制器 NAND TDK 1.2k 0

解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

這是因?yàn)椋琗tacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離，從這一程度上講，利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...

2020-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D閃存 2.8k 0

SK海力士完成176層NAND閃存開(kāi)發(fā)；聯(lián)發(fā)科CEO：明年Q1發(fā)布全新5G旗艦芯片…

12月8日消息，華為在北京發(fā)布了其首款商用臺(tái)式機(jī)——HUAWEIMateStationB515，該產(chǎn)品搭載8核7nmAMD銳龍?zhí)幚砥?，集成RadeonG...

2020-12-10 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 NAND 2.8k 0

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D ...

2020-12-09 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 4.5k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒

? ? 長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：透露3個(gè)觀點(diǎn)！打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒、為賺錢轉(zhuǎn)型生意人！先看視頻：1、長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：長(zhǎng)江存儲(chǔ)6...

2020-12-09 標(biāo)簽：NAND 華為長(zhǎng)江存儲(chǔ) 8.8k 0

SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAN...

2020-12-08 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 2.8k 0

三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計(jì)明年批量生產(chǎn)

12月7日，韓國(guó)半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲(chǔ)單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。

2020-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體控制器 NAND 2.1k 0

重慶SK海力士全線停產(chǎn)！

據(jù)了解，SK海力士半導(dǎo)體有限公司是全球第二大內(nèi)存制造商，公司主要生產(chǎn)以D-RAM和NAND為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品，自1983年建立以來(lái)，公司不斷發(fā)展創(chuàng)新，在2...

2020-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND SK海力士 3.2k 0

SK海力士重慶工廠全員及相關(guān)人員核酸檢測(cè)完成均為陰性

SK海力士半導(dǎo)體（重慶）有限公司是SK海力士在重慶投資建設(shè)的封裝測(cè)試工廠，位于重慶西永綜合保稅區(qū)B區(qū)，累計(jì)注冊(cè)資本已達(dá)4億美元。該工廠2014年下半年投...

2020-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 移動(dòng)終端 2.5k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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