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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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關(guān)于NAND Flash的一些小知識

前言作為一名電子專業(yè)的學(xué)生，半導(dǎo)體存儲顯然是繞不過去的一個坎，今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識。這里十分感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主...

2024-12-17 標(biāo)簽：芯片 Nand 存儲 1.4k 0

鎧俠計劃12月減產(chǎn)，或助NAND Flash價格反轉(zhuǎn)

存儲大廠鎧俠近日宣布，計劃在2024年12月實施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對當(dāng)前NAND Flash市場的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并有望促使價格止跌回升。

2024-12-03 標(biāo)簽：NAND FlaSh 鎧俠 1.2k 0

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

近日，據(jù)相關(guān)報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 光刻膠 912 0

江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億

江波龍在存儲芯片設(shè)計領(lǐng)域取得了顯著成果，自研SLC NAND Flash累計出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計能力，專注于SLC NAND Fla...

2024-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片 slc 1.4k 0

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言，三星計劃在2024年底現(xiàn)貨市場停止銷售...

2024-11-20 標(biāo)簽：閃存 NAND MLC 1.4k 0

美光科技推出新款存儲解決方案

隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲解決方案——美光955...

2024-11-18 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 961 0

SD NAND工業(yè)級存儲的新選擇

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長表明，全球NAND...

2024-11-17 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲 789 0

Solidigm發(fā)布全球最大容量QLC eSSD

全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Solidigm，近日宣布了一項重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤（SSD），即122TB的So...

2024-11-14 標(biāo)簽：NAND PCIe 固態(tài)硬盤 1.2k 0

鎧俠預(yù)測2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

存儲芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項令人矚目的預(yù)測，稱在人工智能需求的強(qiáng)勁推動下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測不僅展...

2024-11-12 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片鎧俠 980 0

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

三星電子即將啟動一項重大舉措，計劃出售位于中國西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計將對全球半導(dǎo)體市...

2024-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 1.6k 0

鎧俠投資360億日元研發(fā)CXL省電存儲器

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2024-11-12 標(biāo)簽：NAND 存儲器數(shù)據(jù)中心 1.1k 0

鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標(biāo)2030年前實現(xiàn)商業(yè)化

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2024-11-11 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存鎧俠 1k 0

TOSHIBA 74VHC00FT COMS 汽車、工業(yè)企業(yè)的選擇

74VHC00FT 是一種四路雙輸入 NAND 門，屬于 CMOS 系列數(shù)字集成電路。它采用東芝先進(jìn)的硅柵 C2MOS 技術(shù)設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)類似于雙極性肖...

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三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存

近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。

2024-10-30 標(biāo)簽：NAND 三星電子鎧俠 923 0

存儲市場面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價格承壓

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機(jī)構(gòu):SSD價格有望在年底前因產(chǎn)量增需求減而下降10%

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NAND FLASH晶圓和主控的SDIO工作接口原理

今天和大家一起學(xué)習(xí)NAND Flash與主控HOST之間的SDIO接口工作原理、接口優(yōu)勢以及主控的作用，這是構(gòu)建高效、可靠數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的核心要素。以下是...

2024-10-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh 接口 1.4k 0

DRAM與NAND閃存價格大幅下跌

近期，DRAM和NAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲合約價格在短短一個月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，...

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鎧俠擱置10月IPO計劃

日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股（IPO）計劃暫時擱置。這一決定背后，是鎧俠在競爭激烈的...

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長江存儲正加速轉(zhuǎn)向國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備

面對國際環(huán)境的變化，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的韌性與決心。自2022年美國實施對華先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長江存儲...

2024-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 長江存儲 2k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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