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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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閃存供應(yīng)鏈廠商二季的運(yùn)營(yíng)情況分析
另外一方面,在國(guó)際大廠逐漸將營(yíng)運(yùn)重心聚焦在高容量3D-NAND的TLC和QLC上,我們可以看到有許多廠商如旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新等先前專(zhuān)注在NOR Fla...
盤(pán)點(diǎn)各國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略及思路
后摩爾定律時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將急遽改變,主要半導(dǎo)體國(guó)家紛紛以國(guó)家力量與產(chǎn)業(yè)共同制定出因應(yīng)策略。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM
作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3781 0
得一微電子首發(fā)3DNAND 打開(kāi)全球化新局面
2018年8月7日,得一微電子有限責(zé)任公司攜多款最新產(chǎn)品參展全球頂級(jí)閃存峰會(huì)2018 Flash Memory Summit并發(fā)表重要演講,向全球閃存界...
在被視為半導(dǎo)體起源地的美國(guó)硅谷舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布,將從明年開(kāi)始向市場(chǎng)供應(yīng)32層三維NAND閃存(以下簡(jiǎn)稱(chēng)N...
三星/SK海力士實(shí)力大分析,國(guó)內(nèi)內(nèi)存公司應(yīng)如何去競(jìng)爭(zhēng)?
之前的DRAM市場(chǎng)以PC為中心,但是現(xiàn)在,它的需求不僅來(lái)自PC,還來(lái)自移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器等其他應(yīng)用。只不過(guò),所有的半導(dǎo)體器件(不只是DRAM)都是周期性的...
為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%?
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類(lèi)存儲(chǔ)器中,NAND Flash是一個(gè)亮...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能
作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶...
2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1982 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專(zhuān)利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置
紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、20...
2018-08-13 標(biāo)簽:NAND3D長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2506 0
三大存儲(chǔ)廠試產(chǎn) 打破內(nèi)存壟斷局面
據(jù)報(bào)道,今年下半年,國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫將相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。國(guó)產(chǎn)內(nèi)存雖然暫時(shí)難以撼...
2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,6月NAND Flash價(jià)格呈下滑趨勢(shì)
NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后,2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Fla...
旺宏淡季不淡價(jià)格持續(xù)調(diào)漲,存儲(chǔ)市場(chǎng)旺季更旺
雖然第二季是存儲(chǔ)器市場(chǎng)傳統(tǒng)淡季,但受惠于工控及車(chē)載應(yīng)用需求強(qiáng)勁,加上NOR Flash及SLC NAND漲價(jià)效益開(kāi)始發(fā)酵,旺宏第二季營(yíng)運(yùn)將淡季不淡,營(yíng)收...
2018上半年SSD價(jià)格持續(xù)下滑,累計(jì)跌幅超30%
隨著原廠3D NAND良率的提高,產(chǎn)出量大幅增加,導(dǎo)致2018上半年SSD價(jià)格持續(xù)下滑。本周(7月3日)SSD價(jià)格續(xù)跌,其中240GB容量?jī)r(jià)格已經(jīng)跌至4...
中國(guó)首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)
昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品...
2018-08-10 標(biāo)簽:nand閃存芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5049 0
全球NAND Flash存儲(chǔ)密度增長(zhǎng)趨勢(shì)
SSD作為大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的核心介質(zhì),2017年全球SSD出貨量達(dá)1.57億臺(tái),較2016年增長(zhǎng)20%。反觀HDD市場(chǎng),全球最大的機(jī)械硬盤(pán)廠商西部數(shù)據(jù)和希捷H...
2018-08-09 標(biāo)簽:NAND大數(shù)據(jù) 8553 0
三星預(yù)估Q2營(yíng)業(yè)利潤(rùn)環(huán)比下滑5.4%,最主要的原因是NAND跌價(jià)
7月6日,三星預(yù)估2018年Q2季度營(yíng)收在57兆韓元-59兆韓元(約合510億美元-527億美元),平均值58兆韓元(518億美元)相較于上一季度環(huán)比下...
2018上半年3D NAND市場(chǎng)低迷,下半年寄希望iPhone能重啟拉貨動(dòng)力
2018上半年3D NAND市場(chǎng)供應(yīng)量大幅增加,使得NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑,據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket報(bào)價(jià),2018上半年...
長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度
8月8日消息 根據(jù)長(zhǎng)江儲(chǔ)存的官方消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking,該技術(shù)將有望大幅提升NAND I/O速度到3...
2018-08-09 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江儲(chǔ)存 1581 0
慧榮科技發(fā)布PCIe NVMe SSD控制芯片解決方案SM2270
雙模SM2270是一款完備的SSD控制芯片解決方案,可搭載定制化的固件以支持客戶(hù)基于Open-Channel的應(yīng)用,同時(shí)也可搭載Turnkey固件以支...
2018-08-09 標(biāo)簽:nandssd數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 8649 0
西數(shù)第二代3D QLC NAND開(kāi)發(fā)成功,預(yù)計(jì)下半年量產(chǎn)出貨
7月20日,東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開(kāi)發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),單Die容量最高可達(dá)1.33Tb,...
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