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nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

閃存供應(yīng)鏈廠商二季的運(yùn)營(yíng)情況分析

另外一方面,在國(guó)際大廠逐漸將營(yíng)運(yùn)重心聚焦在高容量3D-NAND的TLC和QLC上,我們可以看到有許多廠商如旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新等先前專(zhuān)注在NOR Fla...

2018-08-14 標(biāo)簽:智能手機(jī)NAND 3167 0

盤(pán)點(diǎn)各國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略及思路

后摩爾定律時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將急遽改變,主要半導(dǎo)體國(guó)家紛紛以國(guó)家力量與產(chǎn)業(yè)共同制定出因應(yīng)策略。

2018-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMNAND 8712 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3781 0

得一微電子首發(fā)3DNAND 打開(kāi)全球化新局面

2018年8月7日,得一微電子有限責(zé)任公司攜多款最新產(chǎn)品參展全球頂級(jí)閃存峰會(huì)2018 Flash Memory Summit并發(fā)表重要演講,向全球閃存界...

2018-08-13 標(biāo)簽:控制器NAND 4308 0

中國(guó)存儲(chǔ)發(fā)力 韓企受到威脅

在被視為半導(dǎo)體起源地的美國(guó)硅谷舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布,將從明年開(kāi)始向市場(chǎng)供應(yīng)32層三維NAND閃存(以下簡(jiǎn)稱(chēng)N...

2018-08-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體閃存NAND 3432 0

三星/SK海力士實(shí)力大分析,國(guó)內(nèi)內(nèi)存公司應(yīng)如何去競(jìng)爭(zhēng)?

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之前的DRAM市場(chǎng)以PC為中心,但是現(xiàn)在,它的需求不僅來(lái)自PC,還來(lái)自移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器等其他應(yīng)用。只不過(guò),所有的半導(dǎo)體器件(不只是DRAM)都是周期性的...

2018-08-12 標(biāo)簽:nand三星電子sk海力士 1.0萬(wàn) 0

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%?

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類(lèi)存儲(chǔ)器中,NAND Flash是一個(gè)亮...

2018-08-13 標(biāo)簽:閃存NAND3D 1620 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶...

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1982 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專(zhuān)利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、20...

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND3D長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2506 0

三大存儲(chǔ)廠試產(chǎn) 打破內(nèi)存壟斷局面

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2018-08-10 標(biāo)簽:NAND三星電子存儲(chǔ) 4283 0

2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,6月NAND Flash價(jià)格呈下滑趨勢(shì)

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NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后,2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Fla...

2018-08-11 標(biāo)簽:NANDSSD 3108 0

旺宏淡季不淡價(jià)格持續(xù)調(diào)漲,存儲(chǔ)市場(chǎng)旺季更旺

雖然第二季是存儲(chǔ)器市場(chǎng)傳統(tǒng)淡季,但受惠于工控及車(chē)載應(yīng)用需求強(qiáng)勁,加上NOR Flash及SLC NAND漲價(jià)效益開(kāi)始發(fā)酵,旺宏第二季營(yíng)運(yùn)將淡季不淡,營(yíng)收...

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2018上半年SSD價(jià)格持續(xù)下滑,累計(jì)跌幅超30%

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隨著原廠3D NAND良率的提高,產(chǎn)出量大幅增加,導(dǎo)致2018上半年SSD價(jià)格持續(xù)下滑。本周(7月3日)SSD價(jià)格續(xù)跌,其中240GB容量?jī)r(jià)格已經(jīng)跌至4...

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昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品...

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2018上半年3D NAND市場(chǎng)供應(yīng)量大幅增加,使得NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑,據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket報(bào)價(jià),2018上半年...

2018-08-09 標(biāo)簽:NANDiPhone 728 0

長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度

8月8日消息 根據(jù)長(zhǎng)江儲(chǔ)存的官方消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking,該技術(shù)將有望大幅提升NAND I/O速度到3...

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慧榮科技發(fā)布PCIe NVMe SSD控制芯片解決方案SM2270

 雙模SM2270是一款完備的SSD控制芯片解決方案,可搭載定制化的固件以支持客戶(hù)基于Open-Channel的應(yīng)用,同時(shí)也可搭載Turnkey固件以支...

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7月20日,東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開(kāi)發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),單Die容量最高可達(dá)1.33Tb,...

2018-08-08 標(biāo)簽:NAND3D西數(shù) 973 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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