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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光業(yè)務(wù)分析和展望:將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

美光業(yè)務(wù)分析和展望:將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

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DRAMNAND閃存現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲 存儲(chǔ)模組廠樂(lè)看2020年前景

邁入2020年,DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上漲,與存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)之間的溢價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大,包括威剛、十銓、廣穎等存儲(chǔ)模組廠對(duì)2020年?duì)I運(yùn)展望樂(lè)觀,而且看好2020年獲利表現(xiàn)會(huì)
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NAND Flash需求旺盛,扭虧為盈

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存儲(chǔ)器廠商發(fā)力,10納米DRAM技術(shù)待攻克

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存儲(chǔ)器新版圖:紫光+WD的Flash技術(shù)+DRAM技術(shù)

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中國(guó)NAND Flash制造的現(xiàn)狀、發(fā)展與機(jī)會(huì)

紫光旗下同方國(guó)芯提出私募 800 億元人民幣的增資案,用于 Flash 產(chǎn)業(yè)。本篇報(bào)告分析中國(guó)和國(guó)際在 NAND 的現(xiàn)況和計(jì)畫,討論中國(guó)在 NAND發(fā)展機(jī)會(huì)。
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紫光攜手武漢新芯再跟談授權(quán)面臨的三大挑戰(zhàn)

業(yè)界傳出,清華紫光集團(tuán)有意拉武漢新芯,搶進(jìn)NAND Flash市場(chǎng),采取類似與臺(tái)DRAM大廠華亞科的合作模式,如此一來(lái),紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠的列車,并且與洽談技術(shù)授權(quán),加速紫光集團(tuán)發(fā)展壯大的時(shí)間。
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目前,NOR FLASHNAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
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2月份DRAMNAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲,DRAM上漲最主要的動(dòng)力來(lái)自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
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宣布:停止移動(dòng) NAND開(kāi)發(fā),包括終止UFS5開(kāi)發(fā)

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2025-08-12 13:39:302945

實(shí)錘!中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整!官方停止移動(dòng)NAND開(kāi)發(fā)

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NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

NAND FLASH 負(fù)責(zé)其他數(shù)據(jù)存儲(chǔ),一小一大兩個(gè)存儲(chǔ)空間,組合拳配合得天衣無(wú)縫。即:用小容量的Nor Flash存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼,比如uboot,系統(tǒng)啟動(dòng)后,初始化對(duì)應(yīng)的硬件,包括SDRAM等,然后
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NAND需求疲軟 東芝挫敗成就

發(fā)展趨勢(shì)漸漸明朗。據(jù)了解,公司第二季度比特出貨量大增68%,而第一季度增長(zhǎng)率只有個(gè)位數(shù)。與英特爾之間的產(chǎn)能協(xié)議修訂之后,也從中受益。修改后的協(xié)議使占合資企業(yè)NAND產(chǎn)量
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互連技術(shù)展望

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2016-01-29 09:23:30

互連技術(shù)發(fā)展面臨的難點(diǎn)

互連一提出,就要求其工藝與現(xiàn)有的工藝相兼容。表面上看是對(duì)工藝的要求,實(shí)質(zhì)上是出于成本的考慮。因?yàn)楣杌募呻娐泛芷毡?而且工藝比較成熟,所以,讓互連的工藝向其靠攏是所當(dāng)然的。為了進(jìn)行高密度的互連,結(jié)合當(dāng)前互連的發(fā)展水平,目前仍然是一族的光電器件混合集成在基板上,單片光電集成電路的實(shí)用還在研究階段。
2016-01-29 09:21:26

伏逆變器的技術(shù)發(fā)展路線分析

  本文簡(jiǎn)要分析伏逆變器的技術(shù)發(fā)展路線,重點(diǎn)分析了未來(lái)逆變器技術(shù)發(fā)展的和方向,給出了微電網(wǎng)逆變器的技術(shù)特點(diǎn)和典型應(yīng)用案例?! ≡?b class="flag-6" style="color: red">光伏產(chǎn)業(yè)興起之前,逆變器或者逆變技術(shù)主要被應(yīng)用到了如軌道交通,電源
2018-09-25 10:38:25

flash 產(chǎn)品工程師 都做什么工作,前景如何?

大家好,我是應(yīng)屆碩士畢業(yè)生,最近拿到flash 產(chǎn)品工程師的offer,另外還有其它offer,但是不知道的產(chǎn)品工程師具體是做什么工作的,發(fā)展前景如何?弱弱的問(wèn)一下,請(qǐng)了解情況的幫忙指點(diǎn)一下,非常感謝。
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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

,大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加,一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%,而NAND技術(shù)從40nm到16nm,再到64層3D技術(shù),一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前
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說(shuō),是彌補(bǔ)部分工藝制程落后的不足,同時(shí)挑戰(zhàn)三星10 納米8 Gb DDR4 DRAM的最佳時(shí)機(jī)。拿下,清華紫光將得到DRAM、儲(chǔ)存型(NAND)快閃記憶體與編碼型(NOR)快閃記憶體技術(shù),這將是中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展史上重要的紀(jì)事。這一切,或在后面的時(shí)間里實(shí)現(xiàn)!`
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2017-01-17 15:39:531156

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

內(nèi)存市場(chǎng)狀況分析:2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND供過(guò)于求

近一年來(lái)了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定,準(zhǔn)確的說(shuō)是水漲船高,明年的市場(chǎng)狀況又將迎來(lái)如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。
2017-12-25 12:40:341532

NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)

內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美釋出今年內(nèi)存市況分析,儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探,但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下,價(jià)格持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187

內(nèi)存業(yè)務(wù)強(qiáng)勁增長(zhǎng) 計(jì)劃上調(diào)4%營(yíng)收

內(nèi)存市場(chǎng)DRAMNAND Flash的需求強(qiáng)盛,美國(guó)存儲(chǔ)廠商計(jì)劃將上調(diào)4%的季度營(yíng)收。近日內(nèi)存價(jià)格因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì),但是內(nèi)存廠商盈利依然不減。
2018-02-08 10:17:18940

DRAMNAND Flash優(yōu)缺勢(shì)對(duì)比,到底誰(shuí)的市場(chǎng)應(yīng)用量會(huì)更大?

隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)DRAMNAND閃存為主流,但DRAM的讀寫速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù);NAND Flash能保存數(shù)據(jù), 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0012610

存儲(chǔ)器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND

目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過(guò)于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193

中國(guó)閃存廠商與蘋果合作:蘋果采用后者生產(chǎn)的NAND flash芯片

NAND flash廠商三星從中獲益最多,依靠NAND flashDRAM存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)其芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收在2017年一舉超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè),此前Intel霸占全球半導(dǎo)體老大的位置長(zhǎng)達(dá)20多年。
2018-05-31 12:10:001612

關(guān)于與英特爾NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析?5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話,將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局,對(duì)將是巨大的威脅。英特爾和美都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)的SSD和DRAM, 之后 英特爾可能更注重PC市場(chǎng),則是服務(wù)器市場(chǎng)。
2018-06-29 10:32:003400

全球存儲(chǔ)發(fā)展簡(jiǎn)史(DRAM、NAND Flash和Nor Flash

NOR FlashNAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域(另外還有DRAM),目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827

DRAMNAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33113864

雖然DRAMNAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì),但繼續(xù)看好

雖然近期DRAMNAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì),但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠商(Micron)昨日宣布調(diào)升2018年會(huì)計(jì)年度第二季(去年12月1日至今年3月
2018-07-06 11:56:00729

擴(kuò)大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù),致力于制造3D NAND閃存

半導(dǎo)體行業(yè)巨頭光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工,該工廠致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938

認(rèn)為暫時(shí)用不上EUV光刻機(jī),DRAM工藝還需發(fā)展

技術(shù)發(fā)展,并已快速完成了技術(shù)的轉(zhuǎn)變,2019年向96層3D NAND發(fā)展DRAM也會(huì)面臨技術(shù)瓶頸的難題,但在看來(lái),他們正在交由客戶驗(yàn)證新一代1Ynm工藝DRAM芯片,未來(lái)還有1Z、1&alpha
2018-08-20 17:41:491479

英特爾與64層3D NAND備受關(guān)注,或激化原廠爭(zhēng)奪96層3D NAND技術(shù)

上周,系與英特爾推出了64層3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構(gòu)相較于TLC(3bits/cell)容量更大,使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb,備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599

持續(xù)淡化NOR芯片布局,淡出NOR有利旺宏、華邦

賽普拉斯、先前位居全球前兩大NOR芯片廠,隨著各大廠專注技術(shù)層次更高的DRAMNAND領(lǐng)域,淡出甚至逐步放棄NOR事業(yè),華邦、持續(xù)拓展市占,已躍居全球前兩大;尤其在車用等利基型、高毛利市場(chǎng)陸續(xù)有斬獲,進(jìn)一步推升營(yíng)運(yùn)。
2018-09-04 09:24:304520

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAMNAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星、3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開(kāi)出,在三星及等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下,預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng),而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:054225

DRAM價(jià)格壟斷調(diào)查轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售

先前反壟斷局針對(duì)DRAM三大業(yè)者,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及(Micron)展開(kāi)反壟斷嫌疑調(diào)查,據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落,調(diào)查與開(kāi)罰的理由,也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:514036

沒(méi)有技術(shù)的無(wú)奈!壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)

而對(duì)于DRAM價(jià)格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認(rèn)為是由于DRAM市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng),以及各大存儲(chǔ)廠商積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash制造,但3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無(wú)法再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM,導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205331

不論是DRAMNAND Flash 持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難

不論是DRAMNAND Flash,現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限,這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺(tái)架構(gòu)的前提下找到新的解決方案,IntelOptane等次世代存儲(chǔ)器近年來(lái)廣受討論。
2019-05-21 16:47:121097

公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商,近日,召開(kāi)了2019年投資者大會(huì),在大會(huì)中上,展示了DRAMNAND Flash下一代技術(shù)發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645

存儲(chǔ)市場(chǎng)惡化 同步減產(chǎn) DRAMNAND Flash

對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500

2019年6月DRAMNAND Flash跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)

DRAMNAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:564189

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND新一輪軍備競(jìng)賽又將開(kāi)始

隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低,為了防止過(guò)量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰,三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、以及SK海力士已經(jīng)共同宣布采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來(lái)講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136

明年的NAND Flash市場(chǎng)或強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) 存儲(chǔ)行業(yè)即將迎來(lái)曙光

IC Insights 表示,2020 年預(yù)測(cè)成長(zhǎng)最快 IC 產(chǎn)品中,NAND flash 排第一、DRAM 排第三。 今年這兩項(xiàng)商品的市場(chǎng)崩盤,2019 年 NAND flash 銷售重挫 27
2019-12-06 10:36:40799

中國(guó)芯國(guó)產(chǎn)進(jìn)程加速 刺激了NAND FlashDRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊,2020 年 SK 海力士進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組,為實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā)、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理,會(huì)將 DRAMNAND Flash 兩大開(kāi)發(fā)部門整合在一起。
2019-12-10 10:59:592086

業(yè)績(jī)與存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道,專門生產(chǎn) DRAMNAND可謂最具周期性的科技業(yè)務(wù),其財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)會(huì)隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系而大幅波動(dòng)。
2019-12-20 11:40:063947

5G助推NAND FLASH發(fā)展

一小段上升期。隨著5G通信和AI技術(shù)發(fā)展,數(shù)據(jù)中心繼續(xù)增長(zhǎng)。2020年中國(guó)新增數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)容量占全球新增量的50%左右。 2020年更多創(chuàng)新技術(shù)及成熟技術(shù)將在數(shù)據(jù)中心中被廣泛采用。服務(wù)器芯片NAND FLASH也出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。5G通信和人工智能的發(fā)展,數(shù)據(jù)中心進(jìn)一步
2020-03-25 16:12:051401

DRAMNAND技術(shù)發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新,才可以保存數(shù)據(jù),SRAM只要存入數(shù)據(jù)了,不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足,本文探討的DRAMNAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373

EUV工藝已拉響戰(zhàn)局 計(jì)劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

計(jì)劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項(xiàng)目的申請(qǐng),持續(xù)加碼投資 DRAM,將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。 據(jù)悉,目前光在臺(tái)灣地區(qū)布局,包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 廠和后段
2021-02-27 12:09:393676

關(guān)于NAND FLASH的現(xiàn)狀以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的分析

的逐漸普及,NAND FLASH 市場(chǎng)份額一度擴(kuò)張明顯,而NOR FLASH市場(chǎng)略有收縮。而疫情帶來(lái)的影響仍在持續(xù),平板電腦的銷量仍然呈現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì),兩種FLASH都是必不可少的關(guān)鍵配件之一。以及
2020-11-28 11:38:274111

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

美國(guó)美科技開(kāi)始提速EUV DRAM

光是繼三星電子和SK海力士之后,以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時(shí)臺(tái)灣DRAM工廠還因停電一小時(shí)導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時(shí)較好業(yè)績(jī)備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域,也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。
2020-12-30 09:44:022535

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對(duì)比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)內(nèi)存密度提升了 40%。 計(jì)劃于今年 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

:市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求將有增無(wú)減,供需緊張的情況延續(xù)好幾年

產(chǎn)品價(jià)格已上漲,市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求程度將有增無(wú)減,供需緊張的情況延續(xù)好幾年。 指出,光在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的DRAM廠已開(kāi)始量產(chǎn)采用全球最先進(jìn)制程技術(shù)1α(1-alpha)生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品,首批產(chǎn)品是為著重運(yùn)算需求之客戶提供DDR4、和適用消費(fèi)性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品,此一里程碑會(huì)更鞏
2021-01-28 15:54:452392

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或但覆蓋所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

NANDDRAM市場(chǎng)發(fā)展狀況預(yù)測(cè)

上周,科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到,可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NANDDRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:173503

NAND Flash價(jià)格大漲,中國(guó)市場(chǎng)或受影響最大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)2月17日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,NAND Flash合約價(jià)格上調(diào)25%,而幾日前,西部數(shù)據(jù)也發(fā)布了NAND Flash的漲價(jià)通知。
2022-02-22 11:17:012522

DRAMNAND晶圓削減20%開(kāi)工率

光表示:“最近,人們對(duì)2023年的市場(chǎng)前景有所減弱?!辈⒅赋觯A(yù)計(jì)DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮,NAND bit的供應(yīng)增長(zhǎng)也顯著低于此前預(yù)期。
2022-11-17 14:41:22419

深度解讀工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與應(yīng)用趨勢(shì)

本文分析工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀,盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)外工控安全主流廠商發(fā)展態(tài)勢(shì),分析我國(guó)工控安全市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀,展望未來(lái)工控安全技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用趨勢(shì)。
2023-05-25 10:42:084788

加大減產(chǎn)力度至30% 減產(chǎn)持續(xù)至2024年

公司表示,雖然2023年業(yè)界需求預(yù)測(cè)還處于較低水平,但業(yè)界整體供應(yīng)量大幅減少正在穩(wěn)定市場(chǎng)。去年11月,公司宣布存儲(chǔ)器半導(dǎo)體減產(chǎn)20%。據(jù)業(yè)績(jī)內(nèi)容,公司致力于庫(kù)存管理和供應(yīng)調(diào)節(jié),最近dramnand晶片的開(kāi)工率減少了近30%,并預(yù)測(cè)減產(chǎn)持續(xù)到2024年。
2023-06-30 11:05:271078

宣布減產(chǎn)至30%!

稱,2023 年的行業(yè)需求預(yù)測(cè)目前較低,但整個(gè)行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開(kāi)始穩(wěn)定市場(chǎng)。去年 11 月份,宣布存儲(chǔ)芯片減產(chǎn) 2 成。財(cái)報(bào)內(nèi)容顯示,專注于庫(kù)存管理和控制供應(yīng),近期 DRAMNAND 晶圓開(kāi)工率進(jìn)一步減少至近 30%,預(yù)計(jì)減產(chǎn)持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321047

家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及展望
2023-07-12 15:04:3914

計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

三星和鎧俠持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下,全球存儲(chǔ)巨頭如三星和鎧俠,在深耕DRAM市場(chǎng)的同時(shí),也持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
2024-07-05 15:39:371592

NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí),我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、成本效益以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等。
2024-07-29 16:59:383425

量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商科技今日宣布了一項(xiàng)重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了光在制程技術(shù)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實(shí)力,更為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251

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