比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開(kāi)發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發(fā)展 3D NAND是當(dāng)前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說(shuō)
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶(hù)設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 2020年下半年制造48層的3D NAND存儲(chǔ)。然后，該公司計(jì)劃在2021年開(kāi)始出貨96層3D NAND，并在2022年開(kāi)始出貨192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進(jìn)技術(shù)是其19納米
2019-12-14 09:51:295966 Western Digital和Kioxia宣布成功開(kāi)發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開(kāi)始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車(chē)。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開(kāi)幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992 在三星、東芝存儲(chǔ)器（TMC）、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶(hù)發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
閃存單元的高度降低了20％，減少了單位之間的竄擾，提高了數(shù)據(jù)處理的效率。各個(gè)陣營(yíng)皆可說(shuō)是磨刀霍霍，美光、英特爾、東芝、西數(shù)及SKHynix也陸續(xù)宣布了自家的96層堆棧3DNAND閃存方案，其中西數(shù)、東芝
2021-07-13 06:38:27
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類(lèi)型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤(pán)，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 英特爾（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。 新聞稿指出，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint內(nèi)存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性?xún)?nèi)存，初期生產(chǎn)用于SSD、手機(jī)、平板的NAND。
2017-11-15 10:23:071455 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 Flash合資廠的持股，英特爾更開(kāi)始擴(kuò)張大陸市場(chǎng)，將大連廠改裝成3D NAND工廠，埋下英特爾與美光在3D NAND布局各奔前程的伏筆。
2018-01-10 19:43:16679 近日，美光與英特爾宣布NAND Flash合作伙伴關(guān)系即將終止，據(jù)悉是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">96層3D-NAND不符合目前的市場(chǎng)，要形成主流起碼要到2019年。
2018-01-15 13:58:351329 近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場(chǎng)，后續(xù)有傳說(shuō)英特爾要和紫光一起開(kāi)發(fā)3D NAND芯片，具體情況如何還需要進(jìn)一步的考證。
2018-01-16 14:30:431661 上周，隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172 
筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話，將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局，對(duì)美光將是巨大的威脅。英特爾和美光都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)的SSD和DRAM， 之后 英特爾可能更注重PC市場(chǎng)，美光則是服務(wù)器市場(chǎng)。
2018-06-29 10:32:003400 
而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 美光科技公司推出了5200系列 SATA SSD，該產(chǎn)品基于64層3D NAND技術(shù)，5200系列固態(tài)盤(pán)為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的虛擬化工作負(fù)載提供了成本優(yōu)化的SATA平臺(tái)，這些工作負(fù)載在HDD，BI / DSS，VDI，塊/對(duì)象和媒體流。
2018-07-23 17:01:006867 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性?xún)r(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱(chēng)，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:161646 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 隨著Flash各家原廠紛紛升級(jí)到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計(jì)2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 3D NAND通過(guò)設(shè)備中堆疊的層數(shù)來(lái)量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競(jìng)相開(kāi)發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
2018-08-23 16:59:4812625 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場(chǎng)行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過(guò)剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計(jì)2018年全球SSD出貨量將超過(guò)1.9億臺(tái)，甚至有望沖刺2億臺(tái)。
2018-08-31 16:15:002745 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820 電子（Samsung Electronics），美光（美光），SK海力士（SK海力士）等記憶體業(yè)者亦將陸續(xù)量產(chǎn)，將促使3D NAND閃存垂直堆疊最高層數(shù)自64層朝2017年年的80層邁進(jìn)
2018-10-08 15:52:39780 2018年原廠不斷擴(kuò)大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND.
2018-10-14 09:22:4111564 讓英特爾頭痛的是，3D XPoint市場(chǎng)規(guī)模仍然很小，這讓他們無(wú)法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒(méi)有高產(chǎn)量，其生產(chǎn)成本將會(huì)保持很高，可能高于DRAM。然而，英特爾必須以低于DRAM的價(jià)格出售3D XPoint，才會(huì)吸引消費(fèi)者。這意味著英特爾必須賠錢(qián)來(lái)建立市場(chǎng)。
2018-10-16 15:47:034677 近期，美光正式宣布，對(duì)IM Flash Technologies，LLC（簡(jiǎn)稱(chēng)“IM Flash”） 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)。IM Flash是美光與英特爾的合資公司，主推市場(chǎng)上的新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418 11月15日， 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤(pán)主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 NAND技術(shù)最早都是源自于飛索（Spansion）的Charge Trap架構(gòu)，唯一例外的是英特爾（Intel）和美光（Micron）仍是延續(xù)傳統(tǒng)Floating Gate架構(gòu)，但從64層技術(shù)開(kāi)始，也都會(huì)轉(zhuǎn)成Charge Trap架構(gòu)。
2018-12-03 09:04:572304 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 一說(shuō)到2D或者3D，總是讓人想到視覺(jué)領(lǐng)域中的效果，然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，3D技術(shù)帶來(lái)的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個(gè)開(kāi)始。
2019-01-25 14:29:555585 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱(chēng)，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元
2019-09-03 10:07:021788 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大，主流存儲(chǔ)技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術(shù)更新速度越來(lái)越快。
2019-09-26 17:26:111141 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，在亮相兩個(gè)月后，英特爾SSD 665p今天正式推出。據(jù)介紹，665p是660p的繼承者，新款的設(shè)計(jì)改動(dòng)很小，最主要的是從英特爾的64層3D QLC NAND轉(zhuǎn)換到更新的96層3D QLC NAND。
2019-11-26 16:02:064684 在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142525 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶(hù)發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。 美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 ，英特爾還對(duì) 670p 的 SLC 緩存調(diào)度進(jìn)行了優(yōu)化。 去年 11 月，英特爾正式推出了 665p SSD，設(shè)計(jì)改動(dòng)很小，最主要的是從英特爾的 64 層 3D QLC NAND 轉(zhuǎn)換
2020-12-17 09:30:223066 的 SLC 緩存調(diào)度進(jìn)行了優(yōu)化。 去年 11 月，英特爾正式推出了 665p SSD，設(shè)計(jì)改動(dòng)很小，最主要的是從英特爾的 64 層 3D QLC NAND 轉(zhuǎn)換到更新的 96 層
2020-12-17 10:04:273586 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱(chēng)將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開(kāi)始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開(kāi)發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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