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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存

目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英...

2011-01-02 標(biāo)簽：NAND 1.1k 0

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì) 閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的

2010-05-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.2k 0

高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器

高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器 SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解...

2010-05-17 標(biāo)簽：NAND 20納米 1.3k 0

Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn) 　　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失...

2010-04-12 標(biāo)簽：Nand Flash 1.7k 0

09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐

09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND快閃記憶體供應(yīng)商排行榜，三星電子（...

2010-04-06 標(biāo)簽：NAND 1.9k 0

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售 Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，...

2010-03-23 標(biāo)簽：NAND IMFT 744 0

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2010-02-11 標(biāo)簽：NAND Hynix 1.4k 0

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone...

2010-02-09 標(biāo)簽：NAND Intel 680 0

危機(jī)中求生存東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠

危機(jī)中求生存東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今年關(guān)閉其國(guó)內(nèi)2個(gè)NAND閃存工廠之一,而把存儲(chǔ)芯片封裝工作全部集中于另一工...

2010-02-05 標(biāo)簽：東芝 NAND 635 0

震撼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD

震撼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD 去年8月份，Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤，從50nm進(jìn)化至34...

2010-02-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 903 0

2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月...

2010-01-27 標(biāo)簽：NAND Flash 673 0

DDR3成主流產(chǎn)品海力士增NAND Flash產(chǎn)能

DDR3成主流產(chǎn)品海力士增NAND Flash產(chǎn)能　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010...

2010-01-20 標(biāo)簽：NAND DDR3 834 0

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一種在片上系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)Nand Flash控制器的方法摘要:Nand Flash以其優(yōu)越的特性和更高的性價(jià)比,在...

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東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤將于二季度上市　日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量?jī)H次于三星公司，目前東...

2010-01-08 標(biāo)簽：東芝閃存 NAND 1.2k 0

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2009-12-31 標(biāo)簽：閃存 NAND 韓國(guó) 719 0

Intel-鎂光反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將試制

Intel-鎂光反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將試制在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AN...

2009-12-26 標(biāo)簽：NAND Intel 1.5k 0

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NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻。高于350...

2009-11-25 標(biāo)簽：NAND NOR 860 0

手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)明顯，NOR風(fēng)光不再

手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)明顯，NOR風(fēng)光不再市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是...

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NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用　0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來...

2009-11-07 標(biāo)簽：NAND FLASH 1.1k 0

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NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用1 NAND FlaSh和NOR Flash ...

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
4K視頻

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東芝公司

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Arasan

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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Intel公司

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
安博會(huì)

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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
V-NAND

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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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