全球NAND市場(chǎng)觀察：NAND下旬合約價(jià)續(xù)跌6－9％

　　5月下旬NANDFlash價(jià)格仍未見(jiàn)止跌跡象，根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，5月下旬合約價(jià)仍下跌6％至9％，由于總體經(jīng)濟(jì)仍舊是最大變數(shù)，加上云...

2012-06-05 標(biāo)簽：NANDNANDFlashNAND市場(chǎng) 981 0

全球IC版圖再生變數(shù)：三星投資70億美元在西安建NAND廠

　　有報(bào)道引用監(jiān)管機(jī)構(gòu)申請(qǐng)文件稱韓國(guó)電子巨頭三星電子宣布將在西安投資70億美元建一座NAND晶圓廠。

2012-04-09 標(biāo)簽：NAND三星電子 1.1k 1

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運(yùn)行在了一個(gè)高性能通道內(nèi)。

2012-04-06 標(biāo)簽：閃存NAND半導(dǎo)體芯片 1.7k 0

Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作

　　2012年4月5日，中國(guó)上海 –Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟，并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、...

2012-04-06 標(biāo)簽：NANDSpansionSK海力士 1.2k 0

東芝將新建NAND閃存芯片工廠

據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。

2012-04-04 標(biāo)簽：東芝NAND閃存芯片 891 0

TDK開發(fā)出eSSD系列 NAND型閃存和閃存控制器一體化

TDK株式會(huì)社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過(guò)多芯片封裝技術(shù)（MCP）、把TDK SSD控制...

2012-03-23 標(biāo)簽：NANDTDK閃存控制器 1.4k 0

日本電子產(chǎn)業(yè)“震化論”：半導(dǎo)體各產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　2011年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到地震與海嘯的嚴(yán)重破壞。在日本311地震一周年之際，IHS iSuppli的分析師針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀撰寫了系列分析...

2012-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NANDMEMS 2.1k 0

行業(yè)觀察：NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是...

2012-03-19 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND日本地震 1.2k 0

蘋果iPad消耗全球八成閃存：NAND密度遠(yuǎn)超對(duì)手

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli估計(jì)，在全球平板電腦應(yīng)用的NAND閃存市場(chǎng)貢獻(xiàn)近八成的蘋果，將在2015年以前繼續(xù)穩(wěn)坐平板電腦NAND采購(gòu)大戶寶座。

2012-03-18 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 2.8k 0

英特爾將向美光出售合資NAND閃存廠股份

北京時(shí)間2月29日凌晨消息，英特爾同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為英特爾供貨NA...

2012-02-29 標(biāo)簽：英特爾NAND美光 427 0

2011年全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元

據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度...

2012-02-07 標(biāo)簽：NAND閃存芯片 808 0

英特爾發(fā)布NAND閃存芯片的SSD 710型號(hào)

英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號(hào)，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endu...

2011-09-15 標(biāo)簽：芯片英特爾閃存 2.3k 3

SAMSUNG NAND三星宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)

在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競(jìng)局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米...

2011-01-26 標(biāo)簽：NANDSAMSUNGTLC 2.7k 0

英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存

目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英...

2011-01-02 標(biāo)簽：NAND 1.2k 0