東芝將新建NAND閃存芯片工廠

北京時間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。

該工廠是東芝第五座NAND工廠的二期項目，但具體建設(shè)時間表還不確定。

《日刊工業(yè)新聞》稱，該工廠將于2013年開始運營，但并未提供投資規(guī)模或年產(chǎn)量的詳細數(shù)據(jù)。
東芝尚未立刻對此置評。

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東芝(124051) 東芝(124051)
NAND(140714) NAND(140714)
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隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞，可能

2025-03-25 11:44:24

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存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭"

門電路玄機 NOR Flash：Intel 1988 年革命性突破，終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時代 NAND Flash：東芝 1989 年發(fā)布，開創(chuàng) "低成本比特" 存儲新紀(jì)元共性特征

2025-03-18 12:06:50

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東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上，并將于2025財年上半年開始全面生產(chǎn)。

2025-03-13 18:08:16

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NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對應(yīng)關(guān)系，以便實現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫和存儲空間的有效管理。

2025-03-13 15:20:28

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Nand flash 和SD卡（SD NAND）存儲扇區(qū)分配表異同

：存儲結(jié)構(gòu)與層次：NAND Flash 通常作為底層存儲介質(zhì)，其存儲扇區(qū)分配表相對較為底層和直接，與閃存芯片的物理結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。它需要考慮閃存的擦除、寫入特性，以及壞塊管理等底層操作。而SD卡（米客方

2025-03-13 10:45:59

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。

2025-03-12 10:21:14

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STM32H743或者是STM32F767讀取NAND時候直接將數(shù)據(jù)存放到SDRAM中會出錯，請問NAND跟SDRAM不能同時訪問么？

SDRAM和NAND都使能了，都能正常工作，但是讀取Nand數(shù)據(jù)然后存放到SDRAM中，發(fā)現(xiàn)SDRAM中的數(shù)據(jù)是錯誤的。但是將數(shù)據(jù)存到內(nèi)部的IRAM中數(shù)據(jù)是正確的。請問NAND跟SDRAM不能同時訪問么？該問題同時存在于STM32F767跟STM32H743中。請幫忙解答，謝謝！

2025-03-11 08:13:19

[上手體驗]雷龍SD NAND:比TF卡更小更耐用

前幾天，有幸得到了深圳雷龍發(fā)展公司送來的SD NAND樣品。他們給了兩顆32Gbit的SD NAND以及一塊轉(zhuǎn)接板，并且已經(jīng)將NAND焊接上去了。在這之前，本人只在項目中使用或聽說過eMMC

2025-03-08 14:28:11

東芝硬盤助力打造智能工廠

在當(dāng)今快速變革的工業(yè)4.0時代，智慧工廠已成為推動制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要引擎，它是以工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)分析、云計算和數(shù)字孿生等新一代信息技術(shù)為支撐的現(xiàn)代化生產(chǎn)模式。

2025-02-24 14:18:08

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不再是HBM，AI推理流行，HBF存儲的機會來了？

NAND閃存和高帶寬存儲器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設(shè)計類似于HBM，通過硅通孔（TSVs）將多個高性能閃存核心芯片堆疊，連接到可并行訪問閃存子陣列的邏輯芯片上。也就是基于 SanDisk的 BICS 3D NAND 技術(shù)，采用CMOS直接鍵合到陣列（CBA）設(shè)計，將3D NA

2025-02-19 00:51:00

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NAND閃存價格預(yù)測：2025年將呈V型走勢

市場研究機構(gòu)TrendForce近日對2025年NAND閃存價格走勢進行了預(yù)測，預(yù)計全年價格將呈現(xiàn)V型波動。據(jù)TrendForce分析，2025年一季度，NAND閃存價格預(yù)計將下滑13%-18

2025-02-18 11:03:00

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慧榮科技車用級SSD主控芯片獲得ASPICE CL3國際認(rèn)證

在智能汽車加速邁向“軟件定義”的今天，一顆芯片的可靠性，可能決定千萬用戶的出行安全。作為全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)者，慧榮科技再次以硬核實力引領(lǐng)變革，公司旗下的PCIe Gen4 SSD車用主控芯片近日成功通過ASPICE CL3國際認(rèn)證，成為全球首家獲此認(rèn)證的SSD主控芯片供應(yīng)商！

2025-02-15 14:10:37

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三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上，年內(nèi)

2025-02-14 13:43:27

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MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112閃存

MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112是一款高性能的NAND閃存存儲器，由MICRON制造，專為滿足各類電子設(shè)備的存儲需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場

2025-02-14 07:36:52

MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J閃存

MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J是一款高性能的NAND閃存存儲器，由MICRON制造，專為滿足各類電子設(shè)備的存儲需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場

2025-02-14 07:36:06

MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109閃存

MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109是一款高性能的NAND閃存存儲器，由MICRON制造，專為滿足各類電子設(shè)備的存儲需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場

2025-02-14 07:34:35

今日看點丨OpenAI將發(fā)布新的GPT-4.5模型；三星西安工廠將升級286層NAND閃存工藝

1. OpenAI 將發(fā)布新的GPT-4.5 模型 ? OpenAI首席執(zhí)行官阿爾特曼周三表示，該公司內(nèi)部稱為Orion的GPT-4.5模型將在“幾周內(nèi)”推出。外媒11月報道稱，Orion還沒有達到

2025-02-13 11:22:26

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CS創(chuàng)世SD NAND【貼片式sd卡】的測試使用說明

:LGA8，6x8mm 封裝的SD NAND產(chǎn)品。測試板尺寸:長度6.22厘米，寬度2.49厘米，接口長度2.53厘米。使用方法:將芯片焊接至測試板上，可在原有的Micro SD卡座上直接調(diào)試和測試。準(zhǔn)備

2025-02-12 15:05:50

三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

推進NAND閃存生產(chǎn)線的技術(shù)遷移工作，即將舊工藝生產(chǎn)線升級為更先進的新工藝。這一過程中，廠商需要引進并安裝全新的生產(chǎn)設(shè)備，整個升級周期大約耗時三個月。在此期間，由于新設(shè)備尚未正式投入使用，原有的生產(chǎn)線將暫時無法進行晶圓加工

2025-02-12 10:38:13

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DDR4內(nèi)存價格下跌，NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。

2025-02-08 16:41:02

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雷龍SD NAND測試報告

本帖最后由 xxkj2010 于 2025-2-8 14:23 編輯雷龍SD NAND測試報告一次偶然的機會，很幸運得到深圳市雷龍發(fā)展有限公司的芯片贈送，今天收到了芯片和測試板。雷龍也很破費

2025-02-08 14:12:24

FEMDRM032G-A3A55 BGA-153 EMMC工業(yè)級閃存芯片

FORESEE eMMC 是一款采用球柵陣列（BGA）封裝設(shè)計的嵌入式存儲解決方案。FORESEE eMMC 由 NAND 閃存和 eMMC 控制器組成。該控制器能夠管理接口協(xié)議、耗損均衡、壞塊管理

2025-02-08 14:06:20

DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。在DRAM方面，消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖，市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢

2025-02-07 17:08:29

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DRAM與NAND閃存市場低迷，DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑

近日，據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。特別是在DRAM市場方面，春節(jié)長假過后，消費者對于DRAM的需求并未如預(yù)期

2025-02-06 14:47:47

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雷龍 SD NAND 簡單使用

，想起來還有雷龍的 SD NAND，懷著試試看的心理將 SD NAND 焊接起來。這個文章主要記錄下自己焊接的經(jīng)驗，本來是用錫膏配合熱風(fēng)槍，焊接上去之后用電壓表測試，發(fā)現(xiàn)有短路的情況，然后又用熱風(fēng)強

2025-01-31 15:41:00

NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

根據(jù)知名研調(diào)機構(gòu)集邦（TrendForce）最新發(fā)布的研究報告，NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過剩的雙重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一趨勢迫使NAND Flash的主要供應(yīng)商們采取積極措施以應(yīng)對市場變化。

2025-01-24 14:20:52

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影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？

影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談?wù)動绊憣懭胨俣染艂€方面：存儲容量和架構(gòu)：存儲容量的增加會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜，從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時，需要更多時間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化，同樣會限制寫入速度。

2025-01-22 16:48:25

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英飛凌將在泰國新建半導(dǎo)體工廠

德國半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技（Infineon Technologies）近日宣布了一項重要決策，將在泰國設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠。這座工廠將專注于功率半導(dǎo)體的組裝工作，屬于“后工序”生產(chǎn)環(huán)節(jié)。

2025-01-22 15:48:00

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英飛凌泰國新建后道工廠，優(yōu)化生產(chǎn)布局

生產(chǎn)基地的破土動工儀式在泰國政府大樓隆重舉行，英飛凌科技首席運營官Rutger Wijburg博士與泰國總理佩通坦·欽那瓦共同出席了此次活動。在正式會晤后，Rutger Wijburg博士宣布了新工廠建設(shè)的正式啟動。據(jù)了解，這座新的后道工廠將進一步提升英飛凌在半導(dǎo)體

2025-01-22 10:53:03

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雷龍SD NAND試用

感謝深圳市雷龍發(fā)展 Leah @jim 聯(lián)系免費提供NAND FLASH試用，樣品兩片芯片和一塊轉(zhuǎn)接板已收到。下面是實物樣品圖片：提供的兩個芯片樣品型號分別為CSNP64GCR01-AOW

2025-01-19 13:26:38

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

問題，再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心！ SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣，都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使用的存儲芯片。 SD

2025-01-15 18:16:49

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SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場合. 　　NAND閃存類型　　按照每個單元可以存儲的位數(shù)，可以將NAND閃存類型分為SLC、MLC

2025-01-15 18:15:53

EE-39：將5V閃存與ADSP-218x接口（字節(jié)編程算法）

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-39：將5V閃存與ADSP-218x接口（字節(jié)編程算法）.pdf》資料免費下載

2025-01-15 16:11:51

臺積電亞利桑那工廠啟動蘋果芯片生產(chǎn)

近日，臺積電在美國亞利桑那州新建的先進半導(dǎo)體工廠即將邁入大規(guī)模生產(chǎn)階段，目標(biāo)鎖定為制造蘋果的A系列芯片。這一里程碑事件意味著，蘋果設(shè)備的關(guān)鍵組件將首次實現(xiàn)在美國本土制造，具有重要的產(chǎn)業(yè)意義。目前

2025-01-15 11:13:40

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三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。當(dāng)前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預(yù)計今年NAND閃存

2025-01-14 14:21:24

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三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對市場變化

近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報道，三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%，預(yù)計每月

2025-01-14 10:08:09

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東芝將新建NAND閃存芯片工廠

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