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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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三星在印度設(shè)立SSD研發(fā)團(tuán)隊(duì)

隨著NAND閃存需求預(yù)計(jì)在2024年復(fù)蘇，全球科技巨頭三星電子已迅速行動(dòng)，在印度組建了一個(gè)專(zhuān)門(mén)的SSD（固態(tài)硬盤(pán)）研發(fā)團(tuán)隊(duì)。此舉旨在擴(kuò)大其業(yè)務(wù)版圖，并確...

2024-02-25 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤(pán) 991 0

DRAM芯片銷(xiāo)售大幅增長(zhǎng)，全年銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)46%?

搬運(yùn)自集微網(wǎng)此前的報(bào)道得知，自今年起DRAM存儲(chǔ)芯片價(jià)格呈現(xiàn)明顯漲勢(shì)，且中國(guó)客戶已接受這種情況。預(yù)計(jì)2024年度，需求復(fù)蘇的PC制造商和智能手機(jī)制造商會(huì)...

2024-02-23 標(biāo)簽：DRAM Nand 存儲(chǔ)芯片 860 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)預(yù)測(cè)：2024年回升

據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，即便上半年市場(chǎng)終端需求有所下滑，原廠對(duì)DRAM和NAND Flash的價(jià)格調(diào)整仍保持溫和態(tài)勢(shì)，以便應(yīng)對(duì)傳統(tǒng)旺季時(shí)供應(yīng)更加緊張的情況。他們...

2024-02-20 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1816 0

泛林集團(tuán)韓國(guó)公司業(yè)務(wù)總裁變更，面臨日電競(jìng)爭(zhēng)與與P的合作挑戰(zhàn)

韓國(guó)分公司新掌門(mén)人Park Joon-hong此前能在泛林集團(tuán)擔(dān)任多個(gè)關(guān)鍵職位，如蝕刻首席技術(shù)官及客戶關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導(dǎo)泛林集團(tuán)在韓的所有部門(mén)，包括...

2024-02-20 標(biāo)簽：NAND 泛林集團(tuán)蝕刻機(jī) 1189 0

NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度分別是多少

NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號(hào)、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無(wú)法給出確切的數(shù)值。

2024-02-19 標(biāo)簽：NAND Flash存儲(chǔ)器 Nand flash 5654 0

美光預(yù)計(jì)2025年車(chē)均搭載16GB DRAM和204GB NAND

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商美光科技發(fā)布了《車(chē)用存儲(chǔ)大趨勢(shì)白皮書(shū)》。該白皮書(shū)深入探討了未來(lái)五年內(nèi)車(chē)用存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)趨勢(shì)和預(yù)測(cè)。根據(jù)預(yù)測(cè)，到2...

2024-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 美光科技 1108 0

江波龍首顆自研NAND閃存問(wèn)世

江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400M...

2024-02-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 江波龍 1133 0

江波龍推出首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash

江波龍，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32...

2024-02-01 標(biāo)簽：NAND FlaSh 江波龍 1048 0

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。

2024-02-01 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器三星 1056 0

江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力

首顆自研2D MLC NAND Flash發(fā)布！深圳2024年2月1日?/美通社/ -- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得...

2024-02-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)芯片 819 0

佰維存儲(chǔ)首顆主控芯片即將量產(chǎn)

SK海力士表示，由于平均售價(jià)上漲，芯片價(jià)格在減產(chǎn)后趨于穩(wěn)定，DRAM部門(mén)在連續(xù)兩個(gè)季度虧損后，三季度開(kāi)始扭虧為盈。

2024-01-26 標(biāo)簽：NAND IC設(shè)計(jì)主控芯片 712 0

SSD的漲幅將有多大？企業(yè)級(jí)SSD合同價(jià)格上漲約18%-23%

科技媒體Tom's Hardware報(bào)道，由于關(guān)鍵閃存芯片緊缺，SSD（固態(tài)硬盤(pán)）的價(jià)格將在本季度晚些時(shí)候“飛漲”，尤其是大容量消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。

2024-01-25 標(biāo)簽：NAND SSD 閃存芯片 826 0

NAND芯片報(bào)價(jià)逐季上漲，盛景回歸

近半年來(lái)，NAND芯片的報(bào)價(jià)一路上漲，市場(chǎng)價(jià)格節(jié)節(jié)攀升，據(jù)市場(chǎng)傳聞，這一漲勢(shì)預(yù)計(jì)將在年底前持續(xù)，累計(jì)漲幅甚至有望高達(dá)六成，這對(duì)于存儲(chǔ)芯片廠商來(lái)說(shuō)，將是一...

2024-01-24 標(biāo)簽：芯片 NAND AI 617 0

iPhone 16 Pro或推動(dòng)內(nèi)存升級(jí)至2TB 潛在增加拍攝攝像頭功能

日前，業(yè)內(nèi)人士“yeux1122”在社交媒體上透露，因蘋(píng)果公司可能轉(zhuǎn)用更高性能的QLC NAND閃存以提升產(chǎn)品的存儲(chǔ)性能，故選取該方式來(lái)拓展iPhone...

2024-01-24 標(biāo)簽：閃存 NAND iPhone 1268 0

三星電子凍結(jié)DS部門(mén)高管薪資

在近日，三星電子對(duì)外宣布，DS部門(mén)已召開(kāi)緊急會(huì)議，決定對(duì)總裁桂慶賢等高層實(shí)施薪資凍結(jié)。這一措施在該公司九年來(lái)尚屬首次，此前僅在2009年因受雷曼兄弟事件...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 998 0

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲

消息人士指出，NAND封裝短缺對(duì)供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個(gè)月的時(shí)間，屆時(shí)一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將 "暴漲"。

2024-01-19 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤(pán) 755 0

FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規(guī)格

自從NANDFlash進(jìn)入3D時(shí)代，3DNAND從單純提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎询B多層，成功解決了平面NAND在增加容量的同時(shí)性能降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)容量、速度、...

2024-01-19 標(biāo)簽：NAND SSD FORESEE 1046 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇趨勢(shì)會(huì)在什么時(shí)候？

在本文中，我們將Mos Memory分為DRAM和NAND閃存，并嘗試從各公司的價(jià)格趨勢(shì)和銷(xiāo)售（份額）趨勢(shì)來(lái)預(yù)測(cè)全球市場(chǎng)何時(shí)完全復(fù)蘇。在這個(gè)過(guò)程中，筆者...

2024-01-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 701 0

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體大廠宣布，Trench MOS產(chǎn)品線單價(jià)上調(diào)5%-10%

據(jù)國(guó)內(nèi)Nor代工巨頭消息，其產(chǎn)線已經(jīng)轉(zhuǎn)生產(chǎn)CIS，Nor產(chǎn)能已緊張，這會(huì)不會(huì)成為Norflash漲價(jià)的前戲？

2024-01-17 標(biāo)簽：NAND CIS DDR4 924 0

半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)詳細(xì)報(bào)告

2023年上半年全球半導(dǎo)體處于下行周期，但AIGC帶來(lái)的新一輪技術(shù)創(chuàng)新引發(fā)需求大幅提升，行業(yè)有望在2024年迎來(lái)上行周期。

2024-01-12 標(biāo)簽：DRAM NAND 閃存芯片 2401 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
Arasan

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
USB 3.0接口

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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