AI引領(lǐng)存儲(chǔ)市場(chǎng)變革 HBM與DDR5需求暴增

AI成了存儲(chǔ)市場(chǎng)的最大增量。開源證券表示，搭載容量方面，隨著AI在各類領(lǐng)域的應(yīng)用延伸，手機(jī)、服務(wù)器、PC中DRAM和NAND單機(jī)平均搭載容量均有增長，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：DRAMNANDAI 842 0

俠提升NAND產(chǎn)能 行業(yè)影響及業(yè)界觀點(diǎn)

潘建成表示，群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為，原廠擴(kuò)大產(chǎn)能，有利于維護(hù)NAND市...

2024-03-05 標(biāo)簽：閃存NAND鎧俠 776 0

鎧俠終止減產(chǎn)或致NAND芯片市場(chǎng)再動(dòng)蕩

據(jù)統(tǒng)計(jì)，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場(chǎng)份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國的三星。面對(duì)之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境，鎧俠率先采取了減產(chǎn)策...

2024-03-05 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器鎧俠 1.1k 0

鎧俠NAND產(chǎn)能預(yù)計(jì)恢復(fù)90%，減產(chǎn)策略或面臨調(diào)整

2022年10月起，鎧俠已經(jīng)減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達(dá)30%。截至目前，鎧俠NAND生產(chǎn)已恢復(fù)至原廠產(chǎn)能的兩成左右。

2024-03-01 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器鎧俠 1.1k 0

美光推出業(yè)界領(lǐng)先的增強(qiáng)版通用閃存UFS 4.0移動(dòng)解決方案

2024 年 2 月28日，Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存...

2024-02-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND美光科技 1.3k 0

美光發(fā)布UFS 4.0封裝新品，尺寸縮減20%，速度提速25%

美光指出，此次小小的改進(jìn)主要受益于智能手機(jī)原始設(shè)備制造商的需求。他們希望能騰出更多手機(jī)內(nèi)部空間給更大的電池。新產(chǎn)品的研發(fā)是團(tuán)隊(duì)在全美的客戶實(shí)驗(yàn)室綜合考慮...

2024-02-27 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND美光 1.3k 0

三星在印度設(shè)立SSD研發(fā)團(tuán)隊(duì)

隨著NAND閃存需求預(yù)計(jì)在2024年復(fù)蘇，全球科技巨頭三星電子已迅速行動(dòng)，在印度組建了一個(gè)專門的SSD（固態(tài)硬盤）研發(fā)團(tuán)隊(duì)。此舉旨在擴(kuò)大其業(yè)務(wù)版圖，并確...

2024-02-25 標(biāo)簽：NANDSSD固態(tài)硬盤 1.1k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)預(yù)測(cè)：2024年回升

據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，即便上半年市場(chǎng)終端需求有所下滑，原廠對(duì)DRAM和NAND Flash的價(jià)格調(diào)整仍保持溫和態(tài)勢(shì)，以便應(yīng)對(duì)傳統(tǒng)旺季時(shí)供應(yīng)更加緊張的情況。他們...

2024-02-20 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 2k 0

泛林集團(tuán)韓國公司業(yè)務(wù)總裁變更，面臨日電競(jìng)爭(zhēng)與與P的合作挑戰(zhàn)

韓國分公司新掌門人Park Joon-hong此前能在泛林集團(tuán)擔(dān)任多個(gè)關(guān)鍵職位，如蝕刻首席技術(shù)官及客戶關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導(dǎo)泛林集團(tuán)在韓的所有部門，包括...

2024-02-20 標(biāo)簽：NAND泛林集團(tuán)蝕刻機(jī) 1.4k 0

NAND Flash的寫入速度和擦除速度分別是多少

NAND Flash的寫入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號(hào)、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無法給出確切的數(shù)值。

2024-02-19 標(biāo)簽：NANDFlash存儲(chǔ)器Nand flash 6.2k 0

美光預(yù)計(jì)2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商美光科技發(fā)布了《車用存儲(chǔ)大趨勢(shì)白皮書》。該白皮書深入探討了未來五年內(nèi)車用存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長趨勢(shì)和預(yù)測(cè)。根據(jù)預(yù)測(cè)，到2...

2024-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND美光科技 1.3k 0

江波龍首顆自研NAND閃存問世

江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400M...

2024-02-01 標(biāo)簽：閃存NAND江波龍 1.3k 0

江波龍推出首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash

江波龍，作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32...

2024-02-01 標(biāo)簽：NANDFlaSh江波龍 1.2k 0

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。

2024-02-01 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器三星 1.2k 0

江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力

首顆自研2D MLC NAND Flash發(fā)布！ 深圳2024年2月1日?/美通社/ -- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得...

2024-02-01 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)芯片 955 0

SSD的漲幅將有多大？企業(yè)級(jí)SSD合同價(jià)格上漲約18%-23%

科技媒體Tom's Hardware報(bào)道，由于關(guān)鍵閃存芯片緊缺，SSD（固態(tài)硬盤）的價(jià)格將在本季度晚些時(shí)候“飛漲”，尤其是大容量消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。

2024-01-25 標(biāo)簽：NANDSSD閃存芯片 978 0