美光科技Q3復(fù)蘇化為泡影 欲持續(xù)減產(chǎn)換市場(chǎng)定價(jià)權(quán)？

中美貿(mào)易對(duì)決，供過于求的DRAM市場(chǎng)以及疲軟的終端市場(chǎng)需求拖累美光科技2019財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)。此前該公司對(duì)第三財(cái)季預(yù)期抱有期許，并對(duì)今年下半市場(chǎng)需求持...

2019-07-04 標(biāo)簽：DRAMNAND美光科技 5.4k 0

96層QLC技術(shù)的升級(jí)，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會(huì)上表示：“短期內(nèi)的價(jià)格波動(dòng)是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 5.3k 0

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于閃存的固有設(shè)計(jì)，SCM在這塊要好很多。性能問題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數(shù)據(jù)寫入閃存驅(qū)動(dòng)器時(shí)，無法覆蓋舊信息。它必須在其...

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器SCM 5.3k 0

存儲(chǔ)芯片的價(jià)格急速下滑，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠面臨大考驗(yàn)

在經(jīng)過為期一年半的價(jià)格暴漲之后，部分存儲(chǔ)芯片的價(jià)格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂觀的2017年業(yè)績(jī)預(yù)期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人...

2018-01-16 標(biāo)簽：dramnand存儲(chǔ)芯片 5.3k 0

內(nèi)存顆粒市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)

從去年年底，內(nèi)存顆粒就停止了兩年來的降價(jià)潮，價(jià)格開始逐漸上漲。這和三大內(nèi)存顆粒廠商的態(tài)度不無關(guān)系，美光和三星都因?yàn)閮?nèi)存顆粒的低價(jià)，而降低了內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能...

2021-02-01 標(biāo)簽：amdDRAMNAND 5.3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首...

2020-11-24 標(biāo)簽：NANDSSD長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.2k 0

記憶體模組廠2Q表現(xiàn)各異 下半年沖刺市況回溫

盡管第2季記憶體位元出貨量成長(zhǎng)，但受到市場(chǎng)報(bào)價(jià)持續(xù)下跌，記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)挑戰(zhàn)增加，但各家業(yè)者在不同策略及發(fā)展的表現(xiàn)各異。 工控記憶體模組廠宜鼎國(guó)際第2季...

2019-08-12 標(biāo)簽：DRAMNAND記憶體 5.2k 0

中國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)指日可待

位于湖北武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)4月11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自...

2018-04-27 標(biāo)簽：nand存儲(chǔ)芯片紫光集團(tuán) 5.2k 0

西部數(shù)據(jù)和Kioxia研發(fā)第五代BiCS 3D NAND成功，今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 ...

2020-02-04 標(biāo)簽：閃存nand西部數(shù)據(jù) 5.2k 0

一文深度分析我國(guó)半導(dǎo)體實(shí)力及現(xiàn)狀

半導(dǎo)體本輪漲價(jià)的根本原因?yàn)楣┬枳兓?，并沿產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，漲價(jià)是否持續(xù)還是看供需，NAND隨著產(chǎn)能釋放價(jià)格有所降低，DRAM、硅片產(chǎn)能仍吃緊漲價(jià)有望持續(xù)。

2018-08-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體dramNAND 5.1k 0

Intel發(fā)布二代傲騰SSD P5800X

今天，Intel就發(fā)布了基于新一代傲騰存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤SSD P5800X，號(hào)稱同類產(chǎn)品世界最快，而且在壽命、延遲等方面依舊輕松秒殺NAND閃存。

2020-12-20 標(biāo)簽：NANDintel數(shù)據(jù)中心 5.1k 0

西安二期一階段NAND Flash項(xiàng)目預(yù)計(jì)9月滿產(chǎn)，產(chǎn)量將占三星總規(guī)模35%

據(jù)西安發(fā)布報(bào)道，西安于8月5日下午舉行企業(yè)家座談會(huì)，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在會(huì)上談到，三星西安存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目最新進(jìn)展。 三星（中國(guó)）半導(dǎo)體...

2020-08-07 標(biāo)簽：Nand三星電子 5.1k 0

TLC NAND Flash Wafer合約價(jià)下跌13-17%，創(chuàng)單月跌幅新高

至于NAND Flash Wafer價(jià)格方面，以過去經(jīng)驗(yàn)而言，跌幅通常在供應(yīng)商財(cái)報(bào)季末壓力下才會(huì)較為顯著，但目前隨著各模組廠年終盤點(diǎn)將至，預(yù)期11月中以...

2018-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND 5.1k 0

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能？

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并...

2018-07-31 標(biāo)簽：nand長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.1k 0

在3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)之際加快發(fā)展步伐

無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來說，是...

2018-06-20 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器固態(tài)硬盤 5.1k 0

諾獎(jiǎng) ＂選擇性失憶”的遺珠?NAND Flash 核心技術(shù)發(fā)明者—施敏

施敏發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，是現(xiàn)今被全球各國(guó)視為關(guān)鍵戰(zhàn)略物資 NAND Flash 閃存芯片的基礎(chǔ)核心，可以說，若沒有施敏，手機(jī)不可能成為我們隨身帶著走...

2019-03-22 標(biāo)簽：閃存Nand 5k 0

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于...

2019-12-23 標(biāo)簽：NANDNAND閃存 5k 0