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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊,在熱導(dǎo)率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 1770 0
季豐電子材料分析實驗室配備賽默飛Talos F200i,設(shè)備選配有Epsilon應(yīng)力分析系統(tǒng),配合精準(zhǔn)的TEM樣品制備技術(shù)、納米電子衍射收集參數(shù)優(yōu)化和數(shù)...
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...
大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。
利用SiC和GaN實現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化
最近,采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請了安川電機,針對采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...
2013-09-22 標(biāo)簽:SiCGaNAC-AC轉(zhuǎn)換器 1744 0
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
不同的熱膨脹系數(shù) (CTE) 會產(chǎn)生應(yīng)力并導(dǎo)致故障。嵌入到 AlN(周圍有銅層)等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配,同時還可以創(chuàng)建所需的隔...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢
半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會的物理基石,并已成為推動各種革命性變革和創(chuàng)新的強大驅(qū)動力,這點已是當(dāng)前的社會共識。而功率器件正是半...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
Qorvo SiC FET在ZVS軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)
從石器時代到信息時代,人類對高效率的追求從未停止。如今,隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展,電力電子設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開關(guān)...
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能,在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 1707 0
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