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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)...
高功率 PCB 布局是藝術(shù)、科學(xué)和工程的平衡,以實現(xiàn)高性能設(shè)計,同時考慮與電壓間隔相關(guān)的大量限制, 系統(tǒng)布局, 產(chǎn)品尺寸, 熱要求, 以及最重要的電氣性...
2023-05-20 標簽:轉(zhuǎn)換器SiCPCB 1880 0
國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實驗
SiC薄膜生長方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...
功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來,無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電,甚至各種電池提供的化學(xué)電能,將是人類消耗的最重要能源。但是75%...
2012-07-23 標簽:Sic功率半導(dǎo)體IGBT技術(shù) 1873 0
SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
雷達電子設(shè)備組件金剛石/銅復(fù)合材料散熱基板熱性能研究
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,現(xiàn)代電子設(shè)備愈發(fā)往體積小、重量輕的方向發(fā)展,性能和功能越來越強大,集成度越來越高,內(nèi)部熱量的排散問題就更為突出。
SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測試
羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評測思路,我們需要對電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計電路實驗,特整理了電路分析的內(nèi)容。
輔助電源是電機驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
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