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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)(FOM)帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯,提高了多種應(yīng)用的效...
碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...
電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強勁。
下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特...
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 ...
每個用于電壓轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式穩(wěn)壓器都會產(chǎn)生干擾。它們在電壓轉(zhuǎn)換器的輸入側(cè)和輸出側(cè)部分是線路綁定的,但部分它們也會輻射。這些干擾主要是由快速切換邊沿引起的。...
2022-12-22 標簽:轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器SiC 1012 0
車規(guī)級功率器件可靠性測試難點及應(yīng)用場景
車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢,GaAs在細分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...
新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強系統(tǒng)電流測量精度
最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能,這極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...
在電動車發(fā)展的過程當中,充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電,但其無法滿足快充的需求?,F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速,已經(jīng)有...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢
隨著科技的不斷進步,電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求,碳化硅(SiC)...
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗
使用電機試驗臺的測試結(jié)果,按照油耗測試方法WTLC進行了模擬行駛仿真,確認了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。
Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境...
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