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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應用需求

碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境...

2023-05-19 標簽：二極管 MOSFET SiC 992 0

第三代半導體器件的機會在哪里

與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 984 0

PiN二極管和SiC二極管的區(qū)別

PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工...

2024-09-10 標簽：二極管半導體 SiC 982 0

如何通過實時可變柵極驅動強度提高SiC牽引逆變器的效率

在本文中，我們將重點介紹實時可變柵極驅動強度的技術優(yōu)勢，這項新功能可讓設計人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動汽車行駛里程）和 SiC過沖（影響可靠性）。

2023-07-04 標簽：SiC 柵極驅動牽引逆變器 981 0

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢和使用場景

碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...

2023-01-16 標簽：SiC 碳化硅 980 0

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。

2023-02-24 標簽：MOSFET IGBT SiC 977 0

如何在大功率應用中減少損耗、提高能效并擴大溫度范圍

作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動...

2024-01-01 標簽：MOSFET 大功率電源轉換器 977 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關系，環(huán)境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 M...

2023-12-05 標簽：MOSFET SiC 熱管理 977 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標簽：BGA SiC 芯片封裝 975 0

安森美SiC Cascode JFET的背景知識和并聯(lián)設計

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode...

2025-02-27 標簽：安森美 JFET 晶體管 973 0

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前...

2023-02-13 標簽：二極管功率二極管 SiC 970 0

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題

在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...

2025-05-30 標簽：并聯(lián)MOSFET 驅動電路 969 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅動模塊

設計多電飛機（MEA）的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉換為電動，以減輕重量和設計復雜性。

2023-02-02 標簽：MOSFET 控制系統(tǒng)IGBT 968 0

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。根據(jù)Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...

2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 965 0

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動的方法

在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。

2023-05-26 標簽：MOSFET 開關電源 SiC 963 0

碳化硅賦能更為智能的半導體制造/工藝電源模塊

功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI（ATDI）合作的原因，雙方一同挖掘 SiC 技術的優(yōu)勢，以滿足現(xiàn)代半導體制造/...

2023-05-20 標簽：轉換器 MOSFET SiC 955 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結與銅燒結設備的技術探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領域的廣泛應用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術起著...

2025-03-05 標簽：芯片 SiC 碳化硅 955 0

宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設計人員把目光投向...

2022-11-25 標簽：輻射 SiC DCDC 955 0

PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標簽：MOSFET 驅動電路 SiC 955 0

SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作

2023-12-07 標簽：二極管 SiC 柵極驅動電路 949 0

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