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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?;趶姶蟮碾妱訖C(jī),用于連續(xù)運行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...
本文的關(guān)鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結(jié)果帶來很大影響。?如果延長線較長,在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形...
來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行解說。
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計柵極驅(qū)...
采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計的SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計,突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
2023-01-30 標(biāo)簽:MOSFET直流轉(zhuǎn)換器PFC 1051 0
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻...
利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
2023-03-20 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1046 0
鑒于所提出的具挑戰(zhàn)的要求和當(dāng)前的市場趨勢,系統(tǒng)工程團(tuán)隊考慮了幾個替代方案來實現(xiàn)這兩個轉(zhuǎn)換級。,結(jié)論是在AC-DC級利用6開關(guān)有源整流器,在依賴移相調(diào)制的...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...
硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。
SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應(yīng)用的六種不同的單相拓?fù)?。這些拓?fù)錇橛性磫蜗嗌龎耗J诫娐?,用于功率因?shù)校正(PFC)應(yīng)用。PFC 的...
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