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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 453 0
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的...
SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS...
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 440 0
UCC28C58-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...
創(chuàng)新非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門(mén)保護(hù)中的應(yīng)用
保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳...
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 434 0
在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造...
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 431 0
競(jìng)爭(zhēng)籌碼幾何?GaN和SiC是共存還是替代呢?
如今,追求功率密度和效率是當(dāng)今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動(dòng)力,包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車和自動(dòng)駕駛汽車等。
2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 431 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 431 0
SpeedVal Kit平臺(tái)采用模塊化方法簡(jiǎn)化評(píng)估
新一代功率半導(dǎo)體將以碳化硅(SiC)技術(shù)為推動(dòng)力,服務(wù)于快速增長(zhǎng)的純電動(dòng)汽車(BEV)市場(chǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施,滿足日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,并滿足工業(yè)和可再生...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 431 0
國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分,分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)如何發(fā)展
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 428 0
在享受露營(yíng)帶來(lái)快樂(lè)的同時(shí),對(duì)于便攜式戶外電源的穩(wěn)定性、安全性以及兼容性的用電標(biāo)準(zhǔn)必不可少的安全考察
Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購(gòu)行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。
SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類的角度來(lái)看,幾代人過(guò)得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 408 0
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