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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
ROHM面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
探訪(fǎng)三亞FE現(xiàn)場(chǎng),揭秘文圖瑞車(chē)隊(duì)精彩逆變
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車(chē)隊(duì)一同走過(guò)了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車(chē)隊(duì)勇奪冠軍,這背后離不開(kāi)技術(shù)人員的默默付出。
碳和硅都這么優(yōu)秀了,可是怎么還出了一個(gè)碳化硅(SiC)?
你可能沒(méi)見(jiàn)過(guò)莫桑石,但你一定聽(tīng)說(shuō)過(guò)金剛砂,這個(gè)類(lèi)似“金剛石”的名稱(chēng)已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見(jiàn)的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...
基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度
大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵(InGaN)和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好,并使LED制造商能夠提供效率超過(guò)150流明/瓦的產(chǎn)品。然而,該架構(gòu)確實(shí)存在一些...
想做車(chē)用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)!
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專(zhuān)案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專(zhuān)案提供...
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟
進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)
在開(kāi)始討論技術(shù)和開(kāi)發(fā)目標(biāo)前,先看一下圖1的電動(dòng)汽車(chē)概念的簡(jiǎn)單示意圖。在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機(jī)所用的電子元器件是本項(xiàng)目的研究方向。
深度解析SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)
為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù),必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中實(shí)施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),從最近的芯片到功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器。
2018-11-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 8982 0
如何通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫
在現(xiàn)實(shí)世界中,沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...
2018-10-30 標(biāo)簽:天線(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6638 0
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問(wèn)世以來(lái),MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。
2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動(dòng)sic 5032 0
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?,一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...
由開(kāi)關(guān)器件的材料變革帶來(lái)的高壓電氣部件的能力提升
EQC的銅排設(shè)計(jì)看上去很不合理,不過(guò)需要考慮從兩個(gè)分離的負(fù)極單獨(dú)取電,然后匯集到配電盒里面,對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項(xiàng)工作的復(fù)雜度就比較...
2018-09-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器SiC 3902 0
推出電動(dòng)汽車(chē)(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車(chē)遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛...
2018-08-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電技術(shù)SiC 6206 0
SiC功率器件是怎樣進(jìn)行封裝的?有什么要點(diǎn)?
使用三種無(wú)鉛焊料系統(tǒng):Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實(shí)現(xiàn)了無(wú)孔隙焊點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)看到,焊點(diǎn)厚度在熱退火之前和之后...
基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求
如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以?xún)?yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用
如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以?xún)?yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
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