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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)...

2019-06-13 標(biāo)簽:SiCGaN 4819 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。

2019-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 5665 0

高可靠性1700V全SiC功率模塊

ROHM面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...

2019-04-24 標(biāo)簽:SiC功率模塊Rohm 3060 0

探訪(fǎng)三亞FE現(xiàn)場(chǎng),揭秘文圖瑞車(chē)隊(duì)精彩逆變

歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車(chē)隊(duì)一同走過(guò)了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車(chē)隊(duì)勇奪冠軍,這背后離不開(kāi)技術(shù)人員的默默付出。

2019-04-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅羅姆 2285 0

碳和硅都這么優(yōu)秀了,可是怎么還出了一個(gè)碳化硅(SiC)?

你可能沒(méi)見(jiàn)過(guò)莫桑石,但你一定聽(tīng)說(shuō)過(guò)金剛砂,這個(gè)類(lèi)似“金剛石”的名稱(chēng)已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見(jiàn)的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...

2019-03-28 標(biāo)簽:電阻SiC碳化硅 1.0萬(wàn) 0

基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度

基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度

大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵(InGaN)和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好,并使LED制造商能夠提供效率超過(guò)150流明/瓦的產(chǎn)品。然而,該架構(gòu)確實(shí)存在一些...

2019-01-17 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體sic 1.2萬(wàn) 0

想做車(chē)用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)!

在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專(zhuān)案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專(zhuān)案提供...

2019-01-12 標(biāo)簽:汽車(chē)電子SiC 3714 0

SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟

SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟

進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...

2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 5146 0

淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)

在開(kāi)始討論技術(shù)和開(kāi)發(fā)目標(biāo)前,先看一下圖1的電動(dòng)汽車(chē)概念的簡(jiǎn)單示意圖。在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機(jī)所用的電子元器件是本項(xiàng)目的研究方向。

2018-12-23 標(biāo)簽:汽車(chē)電子SiC 5453 0

深度解析SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù),必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中實(shí)施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),從最近的芯片到功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器。

2018-11-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 8982 0

如何通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法

由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...

2018-11-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 9744 0

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

在現(xiàn)實(shí)世界中,沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...

2018-10-30 標(biāo)簽:天線(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6638 0

采用SiC材料元器件的特性結(jié)構(gòu)介紹

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...

2018-09-29 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體sic 8735 0

基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問(wèn)世以來(lái),MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。

2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動(dòng)sic 5032 0

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?,一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...

2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機(jī)SiC 5966 0

由開(kāi)關(guān)器件的材料變革帶來(lái)的高壓電氣部件的能力提升

EQC的銅排設(shè)計(jì)看上去很不合理,不過(guò)需要考慮從兩個(gè)分離的負(fù)極單獨(dú)取電,然后匯集到配電盒里面,對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項(xiàng)工作的復(fù)雜度就比較...

2018-09-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器SiC 3902 0

如何更加快速地為電動(dòng)汽車(chē)充電

推出電動(dòng)汽車(chē)(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車(chē)遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛...

2018-08-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電技術(shù)SiC 6206 0

SiC功率器件是怎樣進(jìn)行封裝的?有什么要點(diǎn)?

使用三種無(wú)鉛焊料系統(tǒng):Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實(shí)現(xiàn)了無(wú)孔隙焊點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)看到,焊點(diǎn)厚度在熱退火之前和之后...

2018-08-23 標(biāo)簽:芯片封裝sic 8324 0

基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求

如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以?xún)?yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-02 標(biāo)簽:mosfettisic 5678 0

SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用

如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以?xún)?yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-20 標(biāo)簽:mosfet太陽(yáng)能sic 8888 0

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  • 尼吉康
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  • trinamic
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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    智能變電站
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    浪涌抑制器
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  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
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    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
  • 納微半導(dǎo)體
    納微半導(dǎo)體
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    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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    DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi),按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
  • LT8705
    LT8705
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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