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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。
MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號規(guī)則的詳細(xì)資料概述
隨著社會的進(jìn)步和發(fā)展,MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛,薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知識。
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例
對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 9890 0
通過RECOM的DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動的SiC技術(shù)
在許多人的頭腦中,電力電子與可再生能源及電動力緊密關(guān)聯(lián) 換言之:數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出。樂高 盒式模塊化電源(即 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...
2018-06-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCDC/DC轉(zhuǎn)換器 6216 0
億緯鋰能采取多元化品類并存路線,包括鋰原電池、復(fù)合電源、消費類鋰離子電池及動力/儲能電源系統(tǒng)等。在動力方面的主要產(chǎn)品類型包括:圓柱三元(18650/21...
2018-06-22 標(biāo)簽:SiC 2.0萬 0
SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案
驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計重點不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 標(biāo)簽:功率開關(guān)SiCGaN 5625 0
在PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%,總體損耗顯著降低。...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片,需要考慮幾個方面?
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
SiC和GaN功率半導(dǎo)體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應(yīng)用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關(guān)管)。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積...
SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 標(biāo)簽:sic半導(dǎo)體器件 1.1萬 1
控制、驅(qū)動、檢測高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換
了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級控制拓?fù)鋪斫鉀Q面臨的挑戰(zhàn)。
羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模...
SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與Si相比具有擊穿場強高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點,適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
各種SiC功率器件的研究和開發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時期
SiC的禁帶寬度3.23ev,相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸,則功率器件的工作溫度將會提升到一個全新的高度。SiC材...
電力電子未來發(fā)展的趨勢之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計,所以如何降低動態(tài)損耗至關(guān)重要。因為SiC材料的本征特性,SiC器件的電容相當(dāng)小。在...
一種先進(jìn)的利用電流檢測端子實現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護(hù)方法
采用電流檢測并用于FMF800DX-24A的先進(jìn)保護(hù)方法是通過參考設(shè)計RDHP-1417來實現(xiàn)的(其采用驅(qū)動核2SC0435T)[4][5],并包括過壓...
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