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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFE...

2025-04-17 標簽：MOSFET SiC 380 0

方正微電子推出第二代車規(guī)主驅SiC MOS產品

2025年4月16日，在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，性...

2025-04-17 標簽：MOS SiC 660 0

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢

隨著現(xiàn)代電子技術的不斷發(fā)展，尤其是在電力電子領域，寬禁帶半導體材料的應用逐漸受到重視。碳化硅（SiC）作為一種重要的寬禁帶半導體材料，因其優(yōu)異的物理性能...

2025-04-17 標簽：二極管 MOSFET SiC 431 0

方正微電子亮相2025慕尼黑上海電子展

方正微電子攜碳化硅全場景解決方案，亮相上海慕尼黑電子展，這場以“車規(guī)碳化硅功率專家”為核心的場景化展示，引來了客戶、媒體、同行矚目，紛紛來展臺交流參觀，...

2025-04-17 標簽：SiC 碳化硅慕尼黑上海電子展 450 0

派恩杰推出突破性SiC HPD模塊系列

在新能源汽車高速發(fā)展的浪潮中，主驅逆變器作為電驅動系統(tǒng)的核心部件，直接影響整車的動力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫...

2025-04-17 標簽：逆變器 SiC 功率模塊 574 0

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...

2025-04-17 標簽：MOSFET SiC 電源系統(tǒng) 342 0

三菱電機開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

三菱電機集團今日宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）...

2025-04-16 標簽：晶體管三菱電機 SiC 523 0

SiC價格，何時止跌？

電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）碳化硅市場持續(xù)增長，在新能源汽車、光伏逆變等領域滲透率正在不斷提高。 ? 根據國信證券數(shù)據，我國2025年1月新能源上險乘...

2025-04-15 標簽：SiC 3208 0

低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響低質量碳化硅MOSFET的濫用，可能將這一本應引領焊機產業(yè)升級的SiC碳化...

2025-04-14 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 258 0

方正微電子亮相第十三屆儲能國際峰會暨展覽會

近日，在2025年第十三屆儲能國際峰會暨展覽會上，深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講，發(fā)布了“750V/650V中壓SiC MOS產品系列 &am...

2025-04-12 標簽：MOS SiC 儲能 770 0

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

SiC MOSFET模塊（BMF80R12RA3和BMF160R12RA3）能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)，主要原因在于： SiC...

2025-04-12 標簽：MOSFET IGBT SiC 363 0

電力電子應用全面轉向碳化硅（SiC）功率半導體的趨勢加速的原因

電力電子應用全面轉向碳化硅（SiC）功率半導體的加速趨勢，既源于其顯著的技術優(yōu)勢，也與全球供應鏈重構下對自主可控的迫切需求密切相關。以下從技術優(yōu)勢和供應...

2025-04-12 標簽：SiC 功率半導體碳化硅 506 0

如何用SiC模塊打造最高效率大于98.8%的工商業(yè)儲能變流器PCS

如何用SiC模塊打造最高效率及高性價比的工商業(yè)儲能變流器（PCS）通過半橋兩電平拓撲三相四線制+BMF240R12E2G3模塊為核心，結合高效散熱...

2025-04-11 標簽：模塊 SiC 儲能變流器 308 0

意法半導體：推進8英寸SiC戰(zhàn)略，引領行業(yè)規(guī)?；l(fā)展

???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個領域取得了顯著進步，并經...

2025-04-10 標簽：意法半導體 SiC 第三代半導體 1700 0

國產SiC模塊破局策略：堅持“技術定力+供應鏈韌性+場景深耕”三位一體協(xié)同

以“他強任他強，清風拂山崗；他橫任他橫，明月照大江”為核心理念，結合當前進口IGBT模塊降價30%的價格戰(zhàn)背景，國產SiC功率模塊行業(yè)的發(fā)展需以內在定力...

2025-04-10 標簽：IGBT SiC 260 0

茂睿芯亮相2025（春季）亞洲充電展

近日，茂睿芯受邀參加充電頭網在前海國際會議中心舉辦的2025(春季)亞洲充電展。我司華南區(qū)應用經理梁潮裕先生參加了同期舉辦的2025亞洲充電大會，并在現(xiàn)...

2025-04-08 標簽：半導體控制器 SiC 919 0

國產SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么

部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB（時間相關介電擊穿）和HTGB（高溫柵偏）報告作假的現(xiàn)象，反映了行業(yè)深層次的技術矛盾、市場...

2025-04-07 標簽：MOSFET SiC 329 0

通用變頻器中SiC（碳化硅）功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局

結合國家節(jié)能改造政策，SiC（碳化硅）功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在電機通用變頻器中的應用潛力巨大，其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。...

2025-04-27 標簽：IGBT SiC 功率模塊 342 0

效率高達98.x%?揭開SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的面紗

效率高達98.x%的工商業(yè)儲能變流器PCS的SiC碳化硅模塊解決方案揭秘 ? ? 核心技術優(yōu)勢 SiC MOSFET特性耐高壓高溫：支持1200V高壓...

2025-04-27 標簽：SiC 功率模塊碳化硅 231 0

車載充電機OBC中部分國產SiC MOSFET“爆雷”的本質原因

柵氧工藝和電性能指標的矛盾：部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商為降低成本，追求電性能指標，加上工藝條件受限，導致柵氧均勻性差、缺陷密度高，批次間柵氧可...

2025-04-19 標簽：MOSFET SiC 車載充電機 269 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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