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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:頂部散熱封裝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來了不小的震撼,雖然在資本層面面臨危機,不過Wolfspeed當前的業(yè)務(wù)還是在正常推進的。...
2025年上半年,芯干線科技交出一份卓越的成績單:銷售額同比增長265%,多行業(yè)、全產(chǎn)品線強勢爆發(fā)!
隨著全球能源轉(zhuǎn)型與電氣化進程加速,從電動汽車電驅(qū)系統(tǒng),到支撐可再生能源并網(wǎng)的電力系統(tǒng),再到驅(qū)動人工智能算力的數(shù)據(jù)中心等,這些決定未來的高增長領(lǐng)域,其能效...
6月23日,Wolfspeed向SEC提交8-K文件,宣布正式啟動預(yù)打包重組。這家曾經(jīng)全球領(lǐng)先的SiC IDM企業(yè),將通過債務(wù)轉(zhuǎn)股權(quán)、董事會改組等方式完...
安森美SiC Combo JFET UG4SC075005L8S的技術(shù)優(yōu)勢
安森美(onsemi)的UG4SC075005L8S在AI PSU設(shè)計中非常受歡迎,有助于實現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng),以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可...
62mm半橋SiC碳化硅MSOFET功率模塊 BMF540R12KA3應(yīng)用場景
國產(chǎn)62mm半橋碳化硅功率模塊 BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 的全面分析,包括產(chǎn)品力評估、應(yīng)用場景及具體解決方案: 一、產(chǎn)品力分析...
Wolfspeed破產(chǎn)引爆全球SiC市場!產(chǎn)業(yè)鏈上誰在搶灘?
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 6月30日,美國SiC功率器件巨頭Wolfspeed申請破產(chǎn),主要原因是Wolfspeed目前面臨巨大的債務(wù)壓力,其總體債務(wù)高達6...
新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封...
基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器(PCS)
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 以下基于BMF240R12E2...
基于BMF240R12E2G3 SiC模塊設(shè)計135-145kW三相四線制工商業(yè)儲能變流器PCS
基于BMF240R12E2G3 SiC模塊并聯(lián)交錯的135-145kW三相四線制PCS開發(fā)方案如下,結(jié)合模塊特性與系統(tǒng)需求進行優(yōu)化設(shè)計: 一、關(guān)鍵模塊特...
羅姆為英偉達800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案
隨著人工智能持續(xù)重新定義計算的邊界,為這些進步提供動力的基礎(chǔ)設(shè)施也必須同步發(fā)展。作為功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公認的領(lǐng)導(dǎo)者,羅姆很榮幸成為支持英偉達全新800V...
第六屆電子熱點峰會迎來報名高峰:六大論壇聯(lián)動百企展示
導(dǎo)語:6月26–27日,2025年東莞電子熱點解決方案創(chuàng)新峰會即將開幕,六大論壇、百家展商集結(jié),當前報名持續(xù)火熱,參會工程師請盡快鎖定席位! 隨著終端系...
傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命
傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合...
全球最大SiC襯底廠商破產(chǎn)!年內(nèi)有望完成重組
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)? 當?shù)貢r間6月22日,全球最大的碳化硅襯底制造商Wolfspeed正式宣告破產(chǎn),并公布了與主要債權(quán)人達成的《支持重組協(xié)議...
2025-06-24 標簽:SiC 5.8k 0
SiC/磁材破局關(guān)鍵戰(zhàn)!百余位技術(shù)精英聚首東莞
在“雙碳”目標的驅(qū)動下,光儲充產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長,但效率瓶頸、安全焦慮與成本高壓仍是橫亙在行業(yè)面前的三座大山。 6月26日,第十六屆光儲充關(guān)鍵元器件技術(shù)...
2025-06-23 標簽:SiC 412 0
SiC、磁集成、AI調(diào)度、雙向逆變,這場會把光儲充系統(tǒng)問題講透了
在光伏、儲能與充電樁系統(tǒng)融合趨勢下,元器件定義方式、協(xié)同方式與系統(tǒng)集成路徑的在發(fā)生變化,磁性元件、功率開關(guān)器件、驅(qū)動芯片、封裝材料與導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)等元器件必須...
基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1%
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進,傳統(tǒng)IGBT方案...
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vie...
東芝推出兩項創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能
日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)可在增強溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...
新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板
新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評估板該虛擬設(shè)計(提供設(shè)計文件,不提供實物產(chǎn)品)為3L-ANPC拓撲,是帶隔離的三相...
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