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      標(biāo)簽　>　sk海力士

      sk海力士

      sk海力士

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      SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導(dǎo)體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲(chǔ)芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一，也是全球DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者之一。

      文章：981個(gè) 瀏覽：39577次 帖子：1個(gè)

      sk海力士資訊

      SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

      自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

      2024-04-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電SK海力士HBM 1007 0

      SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

      SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合...

      2024-04-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器晶圓代工SK海力士 849 0

      JSR尋求升級(jí)芯片材料制造技術(shù)，收購JIC后推動(dòng)

      對于未來發(fā)展，JSR強(qiáng)調(diào)通過并購獲取新技術(shù)及擴(kuò)大規(guī)模是實(shí)現(xiàn)成功的關(guān)鍵。作為全球最大的光刻膠生產(chǎn)商之一，JSR在半導(dǎo)體晶圓電路形成領(lǐng)域占據(jù)了27%的市場份...

      2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻膠SK海力士 945 0

      SK海力士以創(chuàng)新性可持續(xù)發(fā)展債券榮獲IFR亞洲大獎(jiǎng)

      SK海力士以創(chuàng)新性可持續(xù)發(fā)展債券榮獲IFR亞洲大獎(jiǎng)

      SK海力士憑借其創(chuàng)新性25億美元三檔組合債券，在2023年度IFR亞洲大獎(jiǎng)（2023 IFR Asia Award）中獲得最佳ESG債券獎(jiǎng)。

      2024-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SK海力士 824 0

      存儲(chǔ)芯片制造商提價(jià)，模組制造商購買意愿低，終端市場需求疲軟

      受4月3日中國臺(tái)灣7.3級(jí)地震影響，美光公司曾短暫暫停DRAM芯片生產(chǎn)，隨后宣布第二季度DRAM及SSD合約價(jià)格上調(diào)幅度超過25%。三星、SK海力士亦在...

      2024-04-17 標(biāo)簽：DRAM美光存儲(chǔ)芯片 500 0

      存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破

      三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別，并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

      2024-04-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND閃存 909 0

      SK海力士簽署先進(jìn)芯片封裝協(xié)議

      來源：Silicon Semiconductor 為下一代HBM建造先進(jìn)封裝設(shè)施，同時(shí)與普渡大學(xué)合作研發(fā)。 SK海力士將在美國印第安納州西拉斐特投資約3...

      2024-04-16 標(biāo)簽：芯片封裝SK海力士 455 0

      三星規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)致研發(fā)停滯，面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)

      IT之家注意到，日本經(jīng)濟(jì)新聞近期發(fā)表的一篇文章揭示了一名三星研發(fā)人員的困境。該員工提出了一項(xiàng)可提升產(chǎn)量的創(chuàng)新方案，但遭到上級(jí)以“無先例”為由的否決。盡管...

      2024-04-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片SK海力士三星 639 0

      美光發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存，功耗降低4%

      美光強(qiáng)調(diào)，這款新型內(nèi)存不僅延續(xù)了為AI密集型應(yīng)用提供穩(wěn)定高帶寬的傳統(tǒng)優(yōu)勢，更在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著突破。

      2024-04-15 標(biāo)簽：內(nèi)存AI美光科技 1479 0

      美光推LPDDR5X內(nèi)存，助提升手機(jī)電池續(xù)航

      參考IT之家早先報(bào)道，美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世，最大容量16GB，適配高通驍龍8Gen3平臺(tái);SK海力士亦在2023年推...

      2024-04-15 標(biāo)簽：美光SK海力士高通驍龍 1095 0

      三星電子即將開啟290層V9 NAND芯片量產(chǎn)

      市場研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新預(yù)測顯示，盡管NAND閃存市場在2023年經(jīng)歷了下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來強(qiáng)勁反彈，增長率高達(dá)38.1%。

      2024-04-12 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)芯片 1368 0

      SK海力士尖端封裝助力AI時(shí)代高性能存儲(chǔ)發(fā)展

      據(jù)了解，何宇珍專攻存儲(chǔ)芯片封裝長達(dá)三十年，他強(qiáng)調(diào)了創(chuàng)新封裝技術(shù)對于贏得市場競爭的重要性。他指出，SK海力士正積極研發(fā)小芯片（Chiplet）和混合鍵合技...

      2024-04-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器封裝技術(shù)SK海力士 657 0

      三星/SK海力士DRAM大幅擴(kuò)產(chǎn)，恢復(fù)至削減前水平，存儲(chǔ)新周期開啟

      三星/SK海力士DRAM大幅擴(kuò)產(chǎn)，恢復(fù)至削減前水平，存儲(chǔ)新周期開啟

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia的研究報(bào)告，隨著全球需求復(fù)蘇，韓國內(nèi)存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓...

      2024-04-12 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)SK海力士 5843 0

      美光、SK海力士、三星擬上調(diào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格，數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁成為主因

      臺(tái)灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強(qiáng)烈地震之后，美光、SK海力士、三星紛紛暫停存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)，三星雖未受直接影響，卻暫時(shí)停止出貨以待上級(jí)指示。據(jù)了解，盡管三家主...

      2024-04-10 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器SK海力士 785 0

      SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動(dòng)1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

      三星近期在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議中聲稱，計(jì)劃于今年底以前實(shí)現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行業(yè)消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實(shí)現(xiàn)1c納米D...

      2024-04-09 標(biāo)簽：DRAM三星電子SK海力士 1121 0

      SK海力士與三星將率先量產(chǎn)1c納米DRAM

      在近期舉辦的行業(yè)盛會(huì)Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在今年年底前，他們將成功實(shí)現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。

      2024-04-09 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存SK海力士 940 0

      SK海力士欲振興Solidigm，但內(nèi)外部挑戰(zhàn)致信心不足

      然而，Solidigm自成立之初便遭受NAND閃存市場不景氣影響，虧損達(dá)到了驚人的7萬億韓元（相當(dāng)于今日的約373.8億元人民幣），并頻繁向母公司求助貸款。

      2024-04-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)NAND閃存SK海力士 806 0

      SK海力士慰問臺(tái)灣地震災(zāi)民，承諾助力災(zāi)后建設(shè)

      郭魯正強(qiáng)調(diào)，與臺(tái)灣客戶和合作伙伴的長期和睦關(guān)系使其深感責(zé)任重大，期待這個(gè)突發(fā)事件盡早消弭，讓人們回歸正常生活軌道。

      2024-04-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片SK海力士 469 0

      SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術(shù)，年度節(jié)省400億韓元

      SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置，用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣，然后交予 TEMC 進(jìn)行純化處理，最后回流至 SK 海力士使用。

      2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻SK海力士 792 0

      該報(bào)告援引“業(yè)內(nèi)人士”的話說，三星從去年年底開始縮減NAND產(chǎn)能，現(xiàn)在才開始向下游市場滲透。三星也不回避自己的戰(zhàn)略，一位發(fā)言人表示:“我們減少NAND產(chǎn)...

      2024-04-02 標(biāo)簽：芯片NANDSK海力士 831 0

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        電池
        +關(guān)注
        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢、容量、比能量和電阻。
      • Littelfuse
        Littelfuse
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        充電樁
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        充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。
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        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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        基帶芯片
        +關(guān)注
        基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時(shí)，把語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
      • 世強(qiáng)
        世強(qiáng)
        +關(guān)注
      • MRAM
        MRAM
        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
      • 便攜醫(yī)療
        便攜醫(yī)療
        +關(guān)注
        受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場年復(fù)合增長率將超過30％！其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！
      • 任正非
        任正非
        +關(guān)注
        任正非是華為技術(shù)有限公司主要?jiǎng)?chuàng)始人、總裁。
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