4 月 19 日，SK 海力士發(fā)布公告稱與臺積電達成協(xié)議，共同開發(fā)下一代 HBM4 及先進封裝技術(shù)，預(yù)計于 2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

此次協(xié)議旨在提升 HBM 封裝中的底層 Base Die 的性能。值得注意的是，HBM 由多個 Core Die 層疊在基板上，再經(jīng) TSV 技術(shù)垂直互連，基板同時連接到 GPU，其重要性不言而喻。

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。

據(jù)悉，雙方將密切合作，探索利用臺積電的 CoWoS 技術(shù)封裝 SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品，以期在性能和效率等方面更好地滿足客戶對定制化 HBM 產(chǎn)品的需求。

今年 2 月，SK 海力士提出“One Team”戰(zhàn)略，借助臺積電構(gòu)建 AI 半導(dǎo)體聯(lián)盟，進一步強化其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

展望未來，AI 半導(dǎo)體將從 HBM 時代的 2.5D 封裝邁向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲芯片的新型高級封裝。存儲廠商與芯片代工廠+高級封裝廠商的合作有助于推動相關(guān)研發(fā)進程。