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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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對RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡單介紹
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器...
靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic Random Access Me...
由于FPGA技術(shù)和ARM技術(shù)應(yīng)用越來越廣泛,通過設(shè)計并行總線接口來實現(xiàn)兩者之間的數(shù)據(jù)交換,可以較容易地解決快速傳輸數(shù)據(jù)的需求,因此設(shè)計滿足系統(tǒng)要求的FP...
存儲器:存儲器是MCU主板的重要組成部分,用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲器。
ECC(Error Correcting Code)的目的是保證RAM和Flash等存儲器中數(shù)據(jù)和程序代碼的完整性和可靠性,在汽車MCU中被廣泛應(yīng)用,引...
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展, 存儲器的種類日益繁多,每一種存儲器都有其獨有的操作時序,為了提高存儲器芯片的測試效率,一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)應(yīng)運而生。...
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)是隨機(jī)存取存儲器(RAM)的一種,以其獨特的靜態(tài)存儲方式而著稱。所謂“靜態(tài)”,意味著只要保持通電狀態(tài),SRAM內(nèi)部存儲的數(shù)...
單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展,大規(guī)模集成電路變得更加復(fù)雜,開發(fā)周期變得更長。FPGA由于具備可編程性,其廣泛應(yīng)用可以降低電路的開發(fā)成本。然而,單粒子翻轉(zhuǎn)(S...
本應(yīng)用筆記介紹了FPGA (現(xiàn)場可編程門陣列)及其如何保護(hù)系統(tǒng)的關(guān)鍵功能和知識產(chǎn)權(quán)(IP)。本文探討了IP保護(hù)的各種途徑。SHA-1質(zhì)詢-響應(yīng)認(rèn)證被認(rèn)為...
本文基于MBIST的一般測試方法來對多片SRAM的可測試設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化,提出了一種通過一個MBIST控制邏輯來實現(xiàn)多片SRAM的MBIST測試的優(yōu)化方法。
借助高度集成的 Arm? Cortex? MCU 更有效地滿足應(yīng)用要求
作者:Stephen Evanczuk 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-06-04 消費品、工業(yè)、智慧城市和醫(yī)療保健等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)χ悄墚a(chǎn)品的要...
SRAM的基本結(jié)構(gòu)、應(yīng)用及挑戰(zhàn)
存算一體化是指將傳統(tǒng)以計算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu),它可以突破馮·諾伊曼架構(gòu)下存算分離的瓶頸,直接利用存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,從而把數(shù)據(jù)存儲與計...
通過SRAM PUF實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)安全的解決方案
本文介紹了SRAM PUF(物理不可克隆功能)是什么以及如何工作的基礎(chǔ)知識,以及它在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)安全性中提供的功能(作為任何設(shè)備的信任錨)。 在任何...
2021-03-27 標(biāo)簽:sram物聯(lián)網(wǎng)晶體管 7.6k 0
基于FT245R芯片的存儲測試系統(tǒng)USB接口的設(shè)計
接口電路是測試系統(tǒng)與外部計算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?,是存儲測試系統(tǒng)的重要組成部分。眾所周知,串口使用受波特率的限制,制約了存儲測試系統(tǒng)與計算機(jī)數(shù)據(jù)傳輸?shù)男?..
SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發(fā)器構(gòu)成。每個觸發(fā)器可以存儲一個位的數(shù)據(jù),并在電源供電時一直保持該狀態(tài),不需要刷新操作。
什么是F-RAM? F-RAM:鐵電隨機(jī)存儲器。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電隨機(jī)存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲...
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
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