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由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。...
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。...
超過(guò)50％的PCB元器件焊點(diǎn)缺陷可追溯到不正確或次優(yōu)的焊膏印刷。雖然良好的錫膏印刷習(xí)慣通常在小批量時(shí)就已足夠，但對(duì)于大批量印刷，應(yīng)仔細(xì)考慮錫膏檢查（SPI）。...
將從晶圓廠出來(lái)的Wafer進(jìn)行背面研磨，來(lái)減薄晶圓達(dá)到 封裝需要的厚度（5mils~10mils）； 磨片時(shí)，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域 同時(shí)研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測(cè)量厚度；...
極紫外光刻的制約因素 耗電量高極紫外線波長(zhǎng)更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功率，每天耗電達(dá)到三萬(wàn)度。 生產(chǎn)效率仍不夠高同樣以3400B來(lái)說(shuō)，該EUV光刻機(jī)的生產(chǎn)效率是每小時(shí)125片晶圓，還不到DUV光刻機(jī)生產(chǎn)效率的一半...
隨著微電路單元的組裝密度越來(lái)越高，發(fā)熱量越來(lái)越大，對(duì)封裝外殼的要求也日益提高。...
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。 這些需求帶來(lái)的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，包括掩模基底的低熱膨脹材料的開(kāi)發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。...
極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。...
IGBT相比MOSFET，可在更高電壓下持續(xù)工作，同時(shí)需要兼顧高功率密度、低損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的IGBT芯片，不僅僅需要在設(shè)計(jì)端不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，對(duì)晶圓制造和封裝也提高了更高的要求。...
旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)與旋轉(zhuǎn)輪類(lèi)似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤(pán)，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說(shuō)明了旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)系統(tǒng)。...
如有沒(méi)有建立一個(gè)與MES系統(tǒng)相適應(yīng)的管理組織，問(wèn)題暴露的越多、越快、越廣，企業(yè)內(nèi)耗越多、時(shí)間效率越低、運(yùn)營(yíng)成本越高。...
利用Simcenter Flotherm Package Creator芯片封裝工具可以幫助你在幾分鐘內(nèi)創(chuàng)建出一個(gè)常用的IC封裝詳細(xì)模型...
在焊縫或近縫區(qū)，由于焊接的影響，材料的原子結(jié)合遭到破壞，形成新的界面而產(chǎn)生的縫隙稱(chēng)為焊接裂縫，它具有缺口尖銳和長(zhǎng)寬比大的特征。按產(chǎn)生時(shí)的溫度和時(shí)間的不同，裂紋可分為：熱裂紋、冷裂紋、應(yīng)力腐蝕裂紋和層狀撕裂。...
良好的器件散熱依賴(lài)于優(yōu)化的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料選擇（熱界面材料與散熱基板）及封裝制造工藝等。...
晶圓鍵合是半導(dǎo)體行業(yè)的“嫁接”技術(shù)，通過(guò)化學(xué)和物理作用將兩塊已鏡面拋光的晶片緊密地結(jié)合起來(lái)，進(jìn)而提升器件性能和功能，降低系統(tǒng)功耗、尺寸與制造成本。...
由于接觸電阻增加和IR下降，導(dǎo)致能量損失、性能降低和高溫，向更薄的節(jié)點(diǎn)供電已經(jīng)成為一種挑戰(zhàn)。背面PDN（PowerVia）將電源線從數(shù)據(jù)I/O線路移開(kāi)，簡(jiǎn)化了連接性并使PDN更加成熟。...
隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長(zhǎng)已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長(zhǎng)為436nm、365nm （分別來(lái)自于汞弧燈可見(jiàn)光g線和紫外光i線），所制造的集成電路特征尺寸為600nm或更大。...
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無(wú)源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級(jí)封裝到3級(jí)封裝等四個(gè)不同等級(jí)。...
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。...
車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體也稱(chēng)“汽車(chē)芯片”,用于車(chē)體控制裝置，車(chē)載監(jiān)控裝置及車(chē)載電子控制裝置等領(lǐng)域，主要分布在車(chē)體控制模塊上、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)等方面，包括動(dòng)力傳動(dòng)綜合控制系統(tǒng)，主動(dòng)安全系統(tǒng)和高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)等，半導(dǎo)體比傳統(tǒng)燃油車(chē)更多用于新能源汽車(chē)，增加電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)的應(yīng)用場(chǎng)景。...
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