目前為止，在日常生活中使用的每一個電氣和電子設備中，都是由利用半導體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導體材料(例如硅和其他半導體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學工藝的多個步驟。
2022-09-22 16:04:44
4357 
離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術。當離子注入完成后，靠近表面的硅晶體結構會受到高能離子的轟擊而嚴重損傷，需要高溫退火消除損傷來恢復單晶結構并激活
2022-10-24 09:26:4217910 激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點溫度。由于硅的高導熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離子注入后以最小的雜質(zhì)擴散激活摻雜物離子，這種技術已被用于后45nm工藝技術節(jié)點。激光退火系統(tǒng)可用于尖峰退火系統(tǒng)，以實現(xiàn)更優(yōu)的結果。
2022-11-12 09:13:054871 等離子體工藝廣泛應用于半導體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:315641 阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:089294 
半導體芯片由許多比指甲蓋還小、比紙還薄的微觀層(layer)組成。半導體堆疊得又高又實，形成類似于高層建筑的復雜結構。
2023-07-04 09:25:263609 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復雜且設備昂貴，但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結深，雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴展缺陷。
2023-12-22 09:41:215259 
，加工周期短，速度快。 聯(lián)系方式：姚經(jīng)理、馬經(jīng)理，010-51293689；sales@firstchip.cn工藝能力：1、 熱氧化硅2、 硼、磷擴散，推進3、 離子注入（硼、磷）4、 高低溫退火5
2015-01-07 16:15:47
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。半導體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
滲透、與UV紫外線殺菌等重重關卡，才能放行使用。由于去離子水是最佳的溶劑與清潔劑，其在半導體工業(yè)之使用量極為驚人！ 8、潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機臺空壓所需要的，都得使用氮氣 (98
2011-08-28 11:55:49
在制造半導體器件時，為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體，使之導電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導體中摻入雜質(zhì)形成N型半導體或P型半導體改善其導電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會用于先進產(chǎn)能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導體
2020-02-27 10:42:16
半導體制造技術經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
是各種半導體晶體管技術發(fā)展豐收的時期。第一個晶體管用鍺半導體材料。第一個制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀60年代——改進工藝此階段，半導體制造商重點在工藝技術的改進，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
近幾年來，由于半導體芯片在電腦，通信等領域的廣泛應用，半導體制造業(yè)不僅在全球，在中國也得到了飛速發(fā)展。9月5日工信部部長指出要通過編制十四五規(guī)劃，將培育軟件產(chǎn)業(yè)生態(tài)、推動產(chǎn)業(yè)聚集，加快建設數(shù)字
2020-09-24 15:17:16
離子注入工藝資料~還不錯哦~
2012-08-01 10:58:59
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當離子進入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進內(nèi)部，并在其射程前后和側面激發(fā)出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個有數(shù)百個間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導體制造工藝過程的復雜性，一般很難建立其制造模型，不能對工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進
2018-08-29 10:28:14
`《半導體制造工藝》學習筆記`
2012-08-20 19:40:32
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細內(nèi)容略）晶圓加工（詳細內(nèi)容略）光刻（詳細內(nèi)容略）氧化物生長和去除（詳細內(nèi)容略）擴散和離子注入（詳細內(nèi)容略
2021-07-09 10:26:01
，光刻工藝，蝕刻工藝，離子注入工藝，化學機械拋光，清洗工藝，晶圓檢驗工藝。
后道工序包括組裝工藝，檢驗分揀工藝
書中的示意圖很形象
然后書中用大量示意圖介紹了基板工藝和布線工藝
2024-12-16 23:35:46
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
想用半導體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
{:1:}想了解半導體制造相關知識
2012-02-12 11:15:05
刻蝕 第17章 離子注入 第18章 化學機械平坦化 第19章 硅片測試 第20章 裝配與封裝 本書詳細追述了半導體發(fā)展的歷史并吸收了當今最新技術資料，學術界和工業(yè)界對《半導體制造技術》的評價都很高。
2025-04-15 13:52:11
的同義詞？那CMOS工藝是屬于什么工藝??？我怎么記得以前好像說半導體工藝，一般都是說什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如摻雜、注入、光刻、腐蝕這些又是屬于什么工藝呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
ADC 及DAC 的DRFM 系統(tǒng)得到廣泛應用[1～4 ]。本文利用GaAs MESFET 全離子注入非自對準常規(guī)工藝設計了用于3bit 相位體制DRFM 系統(tǒng)的單片超高速相位體制ADC。測試結果表明
2019-07-09 06:57:23
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
請問各位大俠，離子注入時有遇到做V-CURVE時，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來源】：《濟南大學學報(自然科學版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
M5525100－1/UM型大角度離子注入機:M5525100－1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:02
12 離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發(fā)展和廣泛應用的一種材料表面改性高新技術。
2011-05-22 12:13:576005 
本文詳細介紹離子注入技術的特點及性能，以及離子注入技術的英文全稱。
2011-05-22 12:13:296829 
詳細介紹離子注入技術的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1622013 
離子注入的特點,與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點。
2011-05-22 12:27:085378 離子注入設備和方法:最簡單的離子注入機（圖2）應包括一個產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:558645 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術,其利用離子注入機實現(xiàn)半導體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導體晶體內(nèi)改變其導電特性并最終
2011-05-22 12:34:0086 半導體工藝中應用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導入到半導體晶體，以改變半導體，尤其是表面層的電學性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進行 離子注入的優(yōu)點 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術，大大地推動了半導體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47122 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結深的
2011-05-22 13:00:000 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術專題有離子注入技術基本知識、離子注入技術論文及離子注入技術培訓學習資料。離子注入技術就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
半導體硅工藝學是一部半導體材料技術叢書，重點闡述了半導體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴散和離子注入等工藝技術
2011-12-15 15:17:38119 半導體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:4748 本文詳細介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體制造技術之半導體的材料特性詳細資料免費下載
2018-11-08 11:05:3084 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體制造工藝教程的詳細資料免費下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導體元器件結構 1.3半導體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導體制造企業(yè) 1.6基本的半導體材料 1.7 半導體制造中使用的化學品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00221 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體制造教程之工藝晶體的生長資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導體 Si、Ge…。2. 化合物半導體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:00151 。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術。第六章和第七章介紹半導體摻雜的主要技術；擴散法和離子注入法。第八章涉及一些相對獨立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法?！?b class="flag-6" style="color: red">半導體制造工藝基礎》最后三章集中討論制版和綜合。
2020-03-09 08:00:00375 離子注入機是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:454207 
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個朋友提到的日本日新的離子注入設備。日本日新是全球3大離子注入設備商之一。 1973年的時候，該公司就開始做離子注入的工藝設備。 目前的主要業(yè)務設備如上表。詳細的可以
2020-11-20 10:03:278298 離子注入作為半導體常用的摻雜手段，具有熱擴散摻雜技術無法比擬的優(yōu)勢。列表對比 摻雜原子被動打進到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進去的，不是一個熱平衡下的過程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:306896 
四十五所作為國內(nèi)最大的濕化學設備供應商之一，其設備涵蓋了半導體制造幾乎所有的濕化學制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側腐、電鍍等。
2021-02-01 11:16:356573 
MEMS工藝——半導體制造技術說明。
2021-04-08 09:30:41252 標準的半導體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導體制造
2022-03-14 16:11:138015 
的半導體芯片的結構也變得復雜，包括從微粉化一邊倒到三維化，半導體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化，用于制造的半導體器件和材料的技術革新還沒有停止。為了解決作為半導體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:085277 
與通過傳統(tǒng)熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點。
2022-10-31 09:06:0110388 功率半導體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進行芯片封裝，對加工完畢的芯片進行技術性能指標測試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴散工藝等。
2023-02-24 15:34:136139 半導體材料最重要的特性之一是導電率可以通過摻雜物控制。集成電路制造過程中，半導體材料（如硅、錯或1E-V族化合物砷化鎵）不是通過N型摻雜物就是利用P型摻雜物進行摻雜。
2023-05-04 11:12:515381 
離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結深都與擴散的溫度和時間有關。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:334484 
高電流的硅或錯離子注入將嚴重破壞單晶體的晶格結構，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:135826 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應系統(tǒng)被裝配在注入機內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:174058 
當質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:264483 
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-06-30 16:41:191202 半導體同時具有“導體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導體導電或絕緣。 重復光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:574672 
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-07-03 15:05:551524 
摻雜物的種類、結深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時間的乘積決定。四點探針是離子注入監(jiān)測中最常使用的測量工具，可以測量硅
2023-07-07 09:51:177804 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
半導體的這些參數(shù)的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進行了詳細的研究。因此，還對硅和化合物半導體的起泡過程進行了比較。這項比較研究在技術上是相關的，因為離子注入誘導的層分裂與直接晶片鍵合相結合，
2023-09-04 17:09:311104 
[半導體前端工藝：第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
想要使半導體導電，必須向純凈半導體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:467464 
離子注入是一種重要的半導體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預測材料性能的變化。以下將詳細介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:192387 離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴散工藝更為精確。
2024-02-21 10:23:317498 
本文介紹了離子注入機的相關原理。
離子注入機的原理是什么？
2024-04-18 11:31:514790 
該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)線的離子注入機，屬于半導體加工設備技術領域。該設備主要由支撐框架、離子注入機構、照射箱組件和擾流機構組成，同時配備吸塵除塵組件。
2024-05-28 10:06:201013 
在這篇文章中，我們將學習基本的半導體制造過程。為了將晶圓轉化為半導體芯片，它需要經(jīng)歷一系列復雜的制造過程，包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線、電氣檢測和封裝等。
2024-10-16 14:52:053360 
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接觸的有源區(qū)，或者n型和p型有源區(qū)電阻，以及n型和p型多晶硅電阻。
2024-11-09 10:04:001921 
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-09 11:09:571904 本文介紹了一種在MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應顯著時采用的一種離子注入技術：暈環(huán)技術。 ? 離子注入 在半導體制造工藝中指的是離子注入（Ion
2024-12-31 11:49:173571 
產(chǎn)生的晶格損傷，并激活摻雜劑離子，從而實現(xiàn)預期的電學特性。 1. 離子注入的目的 離子注入是現(xiàn)代半導體制造中不可或缺的工藝之一。通過這一步驟，可以精確控制摻雜劑的種類、濃度和分布，以創(chuàng)建半導體器件所需的P型和N型區(qū)
2025-01-02 10:22:232459 離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導體或其他材料中的一種技術手段，本文詳細介紹了離子注入技術的原理、設備和優(yōu)缺點。 ? 常見半導體晶圓材料是單晶硅，在元素周期表中，硅排列在第14位，硅原子最外層
2025-01-06 10:47:233191 
。這通常涉及到外延生長、光刻、離子注入、擴散等工藝步驟。 外延生長 ：在襯底上生長出所需的半導體材料層。 光刻 ：利用光刻技術在半導體材料上形成所需的圖案。 離子注入 ：通過離子注入改變半導體材料的電學性質(zhì)。 擴散 ：通過高溫擴
2025-01-14 16:55:081781 本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝的主要參數(shù)緊密相連。 離子注入技術的主要參數(shù)
2025-01-21 10:52:253250 
本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
2025-04-23 10:54:051666 
離子注入單晶靶材時，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現(xiàn)晶格間存在特定通道（圖 1）。當離子入射方向與靶材主晶軸平行時，部分離子會直接
2025-09-12 17:16:011978 
在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對注入結果進行嚴格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設計要求。當前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種：四探針法與熱波法，兩種方法各有特點，適用于不同的檢測場景。
2025-11-17 15:33:10732 
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