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在做電路反饋分析的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到術(shù)語(yǔ)電壓串聯(lián)負(fù)反饋，電流串聯(lián)負(fù)反饋之類的定義。那么這些定義對(duì)電路分析的作用在哪里呢？...
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)...
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）...
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過(guò)MOSFET的Tj(max)，基本上沒(méi)有問(wèn)題。...
當(dāng)電阻增加時(shí)，從電源汲取的電流會(huì)減少。因此，我們得出結(jié)論，如果電流饋入高阻抗負(fù)載，則功率不受影響。...
固定電阻器有多種類型，選擇哪一種材料和結(jié)構(gòu)的電阻器，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定，其中貼片電阻最為常用。...
若該電阻太大，因?yàn)镸OS管會(huì)有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長(zhǎng)時(shí)間達(dá)不到飽和開通狀態(tài)，從而過(guò)熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。...
負(fù)載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個(gè)振蕩回路的全部有效電容的總和。這個(gè)CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率調(diào)到標(biāo)稱值。...
雙積分型（Dual-Slope）模數(shù)轉(zhuǎn)換器是一種常見的模數(shù)轉(zhuǎn)換器類型，其作用是將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。它主要用于對(duì)穩(wěn)定且低速變化的輸入信號(hào)進(jìn)行測(cè)量和轉(zhuǎn)換，例如溫度、電壓、壓力等。...
逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Successive Approximation Converter）是一種常用的模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換方式。它通過(guò)逐步逼近輸入信號(hào)的數(shù)值來(lái)獲得逼近的數(shù)字輸出。...
模數(shù)轉(zhuǎn)換器的主要作用是將連續(xù)變化的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，以便于數(shù)字系統(tǒng)進(jìn)行處理、存儲(chǔ)和傳輸。...
常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給MOSFET驅(qū)動(dòng)。...
因?yàn)镽in的存在，導(dǎo)致反相放大器輸入阻抗低，從而導(dǎo)致反相放大器在工作時(shí)會(huì)對(duì)信號(hào)源產(chǎn)生影響，從而對(duì)放大結(jié)果產(chǎn)生影響，下面我們來(lái)講講是怎么對(duì)反相放大器的放大結(jié)果產(chǎn)生影響的？...
LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對(duì)于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點(diǎn)就是工作環(huán)境的壓強(qiáng)，LPCVD的壓強(qiáng)通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強(qiáng)約為101.3KPa。...
聲波是在空氣中傳播的彈性波，人的聽覺(jué)可聽到大約20～20kHz頻率范圍的"聲音"。在DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率電感器中，當(dāng)流過(guò)人耳可聽范圍頻率的交流電流以及脈沖波時(shí)，電感器主體會(huì)發(fā)生振動(dòng)，該現(xiàn)象稱為"線圈噪音"。...
數(shù)字信號(hào)在時(shí)間上和取值上都是不連續(xù)的。數(shù)字信號(hào)存在“采樣”，數(shù)字信號(hào)的值只能在采樣點(diǎn)變化。數(shù)字信號(hào)存在“量化”，數(shù)字電路中使用的數(shù)字信號(hào)一般只能取0和1。...
紅色為輸入端，ui的變化會(huì)影響UBE，把發(fā)射結(jié)看成一個(gè)小電阻，紅色的Q點(diǎn)就會(huì)沿黑線運(yùn)動(dòng)，然后畫出iB的圖像；根據(jù)iC=βiB,畫出iC的圖像，縱坐標(biāo)從μA變成了mA；而輸出端有UCE=UCC-ICRC，當(dāng)UCC、RC不變時(shí)，UCE與IC反相。...
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。...
共集電極、共基電路和共射放大電路都是常見的三極管放大電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 共集電極（Emitter Follower）電路： - 也稱為基本跟隨器電路或電流放大器電路。 - 三極管的發(fā)射極作為輸入端，集電極作為輸出端，而基極通過(guò)輸入信號(hào)與一個(gè)偏置電壓相連。 - 輸入信號(hào)被放大，但輸出與輸入信號(hào)的相位相同，...
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。...
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