。盡管 IGBT 和碳化硅都是牽引逆變器系統(tǒng)的可行選擇，但逆變器在整個(gè)牽引系統(tǒng)中的效率與性能表現(xiàn)，仍受多種因素影響。在牽引逆變器的設(shè)計(jì)中，轉(zhuǎn)換效率和峰值功率是兩大核心考量。本文將聚焦安森美(onsemi) 解決方案的特性和優(yōu)勢(shì)展開(kāi)講解。
2025-08-15 16:13:02
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日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:462907 
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測(cè)器數(shù)量，已吸引愈來(lái)愈多太陽(yáng)能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:302024 傳統(tǒng)光伏并網(wǎng)逆變器使用工頻變壓器進(jìn)行隔離，體積大、笨重、成本高、效率低。鑒于此，本文提出了一種利用半橋LLC串聯(lián)諧振電路進(jìn)行隔離的光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案，該設(shè)計(jì)方案分析了兩級(jí)式光伏并網(wǎng)逆變器各級(jí)結(jié)構(gòu)
2013-12-02 14:29:5410298 
輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（重慶大學(xué)）的研究人員周林、解寶、鄭晨等，在2017年第18期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》上，提出一種單相并網(wǎng)LCL型逆變器的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，能降低并網(wǎng)逆變器的直流母線電壓限制，擴(kuò)大逆變器在低功率場(chǎng)合下的應(yīng)用。
2017-12-09 07:40:0014093 在設(shè)計(jì)寬帶隙子系統(tǒng)（例如SiC逆變器和LLC諧振轉(zhuǎn)換器）時(shí)，在一些應(yīng)用中，KEMET的I類(lèi)MLCC，KC-LINK可以用作合適的高效電容器解決方案。 在SiC逆變器中，DC-Link電容器需要
2021-03-30 11:03:024755 在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:508296 安全可靠的運(yùn)行帶來(lái)影響。因此針對(duì)基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元，重點(diǎn)研究了其低感設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)方法，并提出了功率單元的整體設(shè)計(jì)方案。通過(guò)優(yōu)化疊層母排的結(jié)構(gòu)，將高壓交流模塊與低壓直流模塊的雜
2024-02-22 09:39:264666 
為滿(mǎn)足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
(IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿(mǎn)足特定要求很有誘惑力，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，這樣做的成本很高，而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。 相反，設(shè)計(jì)人員可以使用現(xiàn)成的 IGBT 模塊，將多個(gè)功率器件組合到一個(gè)封裝中。此類(lèi)模塊支持設(shè)計(jì)人員以最
2020-12-28 11:39:098536 
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
%。如該例所示，毫無(wú)疑問(wèn)，SiC功率元器件將成為能源問(wèn)題的一大解決方案。SiC的優(yōu)點(diǎn)如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然，這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn)，接下來(lái)希望再了解一下低阻值、高速工作、高溫
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
和過(guò)壓保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)高效的功率竊取。主要特色 高效的 24V 交流功率竊取低成本集成解決方案更長(zhǎng)的電池壽命快速且精確的電流限制精確過(guò)壓保護(hù)
2018-12-27 15:22:31
的GD3100和GD3160等柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了智能化并允許編程，不僅可以在惡劣的運(yùn)行條件下保護(hù)SiC或IGBT功率器件，還可以提高系統(tǒng)效率，縮短故障檢測(cè)/反應(yīng)時(shí)間。GD3160結(jié)構(gòu)框圖集成的高電壓
2022-09-20 08:00:00
處理器經(jīng)過(guò)調(diào)制、濾波、升壓等，得到與照明負(fù)載頻率、額定電壓等相匹配的正弦交流電供系統(tǒng)終端用戶(hù)使用。有了逆變器，就可使用直流蓄電池為電器提供交流電。2、方案概述Ameya360 太陽(yáng)能發(fā)電逆變器解決方案主要
2018-09-17 13:48:44
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專(zhuān)為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過(guò)將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13
逆變器，新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率
2017-05-10 11:32:57
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開(kāi)關(guān)頻率，不僅可以通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
，適合關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景。我們的純正弦波逆變器解決方案克萊美科技提供高性能、高可靠性的純正弦波逆變器解決方案，涵蓋以下服務(wù)：定制化開(kāi)發(fā)： 根據(jù)客戶(hù)需求定制功率、電壓、頻率等參數(shù)。技術(shù)支持： 提供從設(shè)計(jì)到調(diào)試的全流程技術(shù)支持。高效交付： 模塊化設(shè)計(jì)，縮短開(kāi)發(fā)周期，快速響應(yīng)客戶(hù)需求。
2025-03-03 15:58:50
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開(kāi)始，ROHM將為文圖瑞車(chē)隊(duì)提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
摘要：傳統(tǒng)光伏并網(wǎng)逆變器使用工頻變壓器進(jìn)行隔離，體積大、笨重、成本高、效率低。鑒于此，本文提出了一種利用半橋LLC串聯(lián)諧振電路進(jìn)行隔離的光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案，該設(shè)計(jì)方案分析了兩級(jí)式光伏并網(wǎng)
2018-09-29 17:05:13
電壓波形；圖5（d）是逆變器電流輸出波形。從圖中我們可看出逆變器輸出電壓波形幾乎不失真，輸出電流THD控制在5%以?xún)?nèi)，達(dá)到了很好的控制效果?！ ?.總結(jié) 本文提出的一種ARM控制的逆變器的設(shè)計(jì)方案
2018-11-29 11:13:17
是使模塊工作在17V,這樣一來(lái)，無(wú)論電池電壓是多少，都能從模塊獲取全部75W的功率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高效DC/DC電源轉(zhuǎn)換器將控制器輸入端的17V電壓轉(zhuǎn)換為輸出端的電池電壓。由于DC/DC轉(zhuǎn)換器將電壓從17V降至
2018-09-29 17:16:38
隨著能源和環(huán)境問(wèn)題日益凸顯，太陽(yáng)能作為一種清潔的可再生能源迅速發(fā)展，太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施激增，其中
逆變器必不可少。安森美半導(dǎo)體的
功率集成
模塊（PIM）
方案提供高能效、高可靠性的
逆變器設(shè)計(jì)?！ ≡陔姵?/div>
2020-10-27 10:15:55
，SiC 功率模塊是首選解決方案，因?yàn)榕c傳統(tǒng) IGBT技術(shù)相比，它們提供更低的開(kāi)關(guān)損耗。以下文章演示了采用 1200 V / 1200 A 三菱電機(jī) SiC 功率模塊的額定額定功率為 500 kW 的 DC
2023-02-20 15:32:06
分布式逆變器持續(xù)火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對(duì)成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機(jī)功率千瓦數(shù)也因此不斷得以提高。占據(jù)市場(chǎng)主流的逆變器，功率已經(jīng)從50~60KW過(guò)渡至70
2019-01-10 10:12:47
的開(kāi)關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無(wú)需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢(shì)。由
2018-12-04 10:14:32
：基于AVR單片機(jī)的逆變并網(wǎng)裝置的設(shè)計(jì)200W太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)逆變器控制設(shè)計(jì)方案基于DSP 56F801的正弦波輸出DC-AC電源設(shè)計(jì)方案一種高頻鏈DC-AC矩陣變換器前級(jí)高頻逆變電路方案闡述基于臨界電流
2014-12-12 17:50:12
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
，適合關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景。我們的純正弦波逆變器解決方案克萊美科技提供高性能、高可靠性的純正弦波逆變器解決方案，涵蓋以下服務(wù)：定制化開(kāi)發(fā)： 根據(jù)客戶(hù)需求定制功率、電壓、頻率等參數(shù)。技術(shù)支持： 提供從設(shè)計(jì)到調(diào)試的全流程技術(shù)支持。高效交付： 模塊化設(shè)計(jì)，縮短開(kāi)發(fā)周期，快速響應(yīng)客戶(hù)需求。
2025-02-27 15:52:59
山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案TM S320F280… 山特6~10kw逆變器方案，源碼，原理圖，PCB檔案，。
2021-11-15 09:11:22
準(zhǔn)備做DC750v轉(zhuǎn)AC220V逆變器電源，700w左右的，大家有什么芯片及外圍方案推薦嗎?哪個(gè)廠家做這類(lèi)芯片專(zhuān)業(yè)比較穩(wěn)定可靠？
2024-02-05 14:36:11
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)
2019-05-07 06:21:51
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
近十年來(lái)，單相電網(wǎng)用igbt無(wú)刷直流電機(jī)逆變器進(jìn)展甚微。采用精確柵極驅(qū)動(dòng)的GaN fet(如Navitas GaN功率ic)可以提高性能。系統(tǒng)和運(yùn)行成本。非常低的功率損耗使熱工程更簡(jiǎn)單，而且高切換
2023-06-16 07:53:41
（IPS-RA）4. 航空級(jí)智能功率開(kāi)關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
的原理的基礎(chǔ)上，提出了一種基于LCL型濾波器的光伏并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案，該方案中所設(shè)計(jì)的控制系統(tǒng)外環(huán)功率環(huán)采用模糊控制策略，內(nèi)環(huán)電流環(huán)釆用重復(fù)控制策略，該控制方法可以兼顧電流控制和直接功率控制的優(yōu)點(diǎn)，既保證了
2018-09-29 16:39:11
，汽車(chē)等。自從一開(kāi)始，F(xiàn)raunhofer ISE就推廣了SiC技術(shù)并展示了其優(yōu)勢(shì)，這些設(shè)備在系統(tǒng)級(jí)為電力電子產(chǎn)品提供通過(guò)構(gòu)建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
率，同時(shí)提高功率和電流密度。在電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下，需要具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能
2022-11-02 12:02:05
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
混合動(dòng)力汽車(chē)EV/HEV逆變器設(shè)計(jì)方案
隨著我們的元件不斷提供高成本效益、高效率和高功率密度，英飛凌也在推動(dòng)面向未來(lái)個(gè)人移動(dòng)性的電動(dòng)系統(tǒng)解
2010-04-10 11:25:531435 
太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)方案
本文對(duì)這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察，并推薦了針對(duì)開(kāi)關(guān)和整流器件的最佳選擇。 太陽(yáng)
2010-04-19 09:07:531044 基于H橋級(jí)聯(lián)型逆變器PWM控制設(shè)計(jì)方案
摘 要：本文主要對(duì)大功率高壓變頻器H橋級(jí)聯(lián)型逆變器的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了探討，主要從系統(tǒng)中
2010-04-27 09:38:329582 
介紹了一種利用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的逆變器的設(shè)計(jì)方案及工作原理，該技術(shù)降低了功率器件的開(kāi)關(guān)損耗，提高了逆變器的效率。
2011-09-28 10:52:286413 
本文介紹了一種基于電壓前饋型控制芯片LM25037 的車(chē)載逆變器設(shè)計(jì)方案，闡述了電路的基本結(jié)構(gòu)、控制方案。
2012-09-10 16:04:3311189 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111816 并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案
2016-01-11 14:04:56
24 日立運(yùn)用了以前開(kāi)發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開(kāi)發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
2016-09-26 18:06:141718 高效單級(jí)變換式LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)方案
2017-01-14 11:16:5013 為了得到高達(dá) 20kHz 的開(kāi)關(guān)頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結(jié)構(gòu)。SKiM IGBT 產(chǎn)品組合為光伏和 UPS 市場(chǎng)上提供了最優(yōu)的效率。相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:0212 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 基于TL494小功率逆變器設(shè)計(jì)方案資料下載
2018-05-22 10:18:15167 新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:003682 在之前我們也講過(guò)很多關(guān)于逆變器的設(shè)計(jì)方案總歸各有各的優(yōu)點(diǎn)，有的簡(jiǎn)單有的實(shí)用，有時(shí)候發(fā)表的知識(shí)理論講解在真正使用時(shí)并不太行，今天直接給大家分享一個(gè)大功率的逆變器，這個(gè)電路的輸出功率可以達(dá)到50w，如果
2020-10-14 16:38:3113037 
雙向儲(chǔ)能解決方案，包括混合逆變器在內(nèi)的雙向儲(chǔ)能解決方案要求高功率效率、性能和設(shè)備緊湊性。
2021-03-18 16:11:025953 功率模塊包括IGBT模塊、MOSFET模塊、IPMs（智能功率模塊）和SIP模塊。功率模塊廣泛應(yīng)用于大功率逆變器應(yīng)用，如可再生能源轉(zhuǎn)換、電池備份系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)、牽引和航運(yùn)。 對(duì)于高
2021-09-27 15:31:46927 山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案TM S320F280… 山特6~10kw逆變器方案，源碼，原理圖，PCB檔案，。
2021-11-08 14:06:02127 多家公司已將 SiC 技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已經(jīng)為未來(lái)基于 SiC 的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅 （SiC）MOSFET 即將徹底取代硅功率開(kāi)關(guān)；該行業(yè)需要能夠應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)的新驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。
2022-08-09 08:02:073141 
當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門(mén)研究方向。
2022-10-19 09:22:231740 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211335 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:221533 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:362060 
電動(dòng)汽車(chē)充電樁作為電動(dòng)汽車(chē)的能量補(bǔ)給裝置，充電時(shí)間和壽命是關(guān)系到其性能的最關(guān)鍵因素。這就對(duì)充電樁的充電效率提出了要求。本文針對(duì)兩電平15KW SIC充電樁的解決方案進(jìn)行了分析，同時(shí)簡(jiǎn)述了其他功率的充電樁設(shè)計(jì)方案。
2023-10-24 10:23:113734 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過(guò)SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24613 
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:561088 iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:441134 
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:46775 
焊接切割設(shè)備通?？梢酝ㄟ^(guò)功率模塊解決設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)其高效、穩(wěn)定的輸出功率，從而幫助設(shè)備延長(zhǎng)使用壽命和保持穩(wěn)定性。為了滿(mǎn)足高效、穩(wěn)定、耐用的焊接切割設(shè)備需求，MPRA1C65-S61SiCDiode模塊
2024-06-04 11:55:061207 
硅基解決方案向基于SiC的設(shè)計(jì)升級(jí)。而SiC功率器件，需要與高性能的高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器配合使用，才能充分發(fā)揮出其優(yōu)勢(shì)特性。
2024-08-27 09:40:171989 恩智浦半導(dǎo)體宣布與電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)采埃孚股份公司（ZF Friedrichshafen AG）合作下一代基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)（EV）牽引逆變器解決方案。解決方案采用恩智浦先進(jìn)的GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在加速800V和SiC功率器件的采用。
2024-08-27 09:48:182411 光伏并網(wǎng)逆變器是將太陽(yáng)能光伏電池產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為可并入電網(wǎng)的交流電的重要裝置，其中逆變器的效率和輸出性能直接影響光伏系統(tǒng)的整體性能。本文提出了一種基于T型三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案，該
2025-01-10 16:51:273049 
傾佳電子楊茜介紹全國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC功率器件（如BASiC基本股份）50kW光伏逆變器設(shè)計(jì)方案： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
2025-02-13 12:17:11735 
進(jìn)入2025年，海外儲(chǔ)能市場(chǎng)呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)： 通過(guò)采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場(chǎng)得到廣泛認(rèn)可并得到客戶(hù)買(mǎi)單 ，比如德國(guó)SMA推出新一代采用
2025-03-30 15:54:50897 在新能源汽車(chē)高速發(fā)展的浪潮中，主驅(qū)逆變器作為電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件，直接影響整車(chē)的動(dòng)力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫等特性，正在逐步取代傳統(tǒng)硅基解決方案。
2025-04-17 14:58:181098 
SiC（碳化硅）模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）行業(yè)迅速普及，主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-04-30 14:30:531035 
基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561 
瓶頸的關(guān)鍵?；景雽?dǎo)體（BASiC Semiconductor）通過(guò)自主研發(fā)的SiC MOSFET模塊及配套解決方案，為商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)提供了高效、可靠的技術(shù)選擇。
2025-05-17 05:47:10612 傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28493 亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471100 
SiC MOSFET模塊革命：傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC模塊開(kāi)啟高效能新時(shí)代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者 ? ? 一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)（直擊客戶(hù)痛點(diǎn)） 極致能效，成本銳減
2025-07-29 09:57:57511 
方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專(zhuān)為新能源車(chē)主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的高性能SiC MOS功率模塊，旨在提供高效、可靠的主驅(qū)電控解決方案。
2025-07-31 17:22:171297 
以下是基于B3M010C075Z（750V）和B3M013C120Z（1200V）
SiC MOSFET的 T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS
高效設(shè)計(jì)方案 ，融合多電平拓?fù)鋬?yōu)勢(shì)與
SiC器件特性： ? 核心拓?fù)?/div>
2025-08-10 14:57:25935 
在當(dāng)今電動(dòng)車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)蓬勃發(fā)展的時(shí)代，牽引逆變器作為核心部件，對(duì)功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB 碳化硅（SiC）功率模塊憑借其卓越特性，成為了眾多工程師關(guān)注的焦點(diǎn)。今天，我們就來(lái)深入剖析這款模塊，探討它在電動(dòng)車(chē)牽引逆變器應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2025-11-27 09:51:38305 
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度。今天，我們要介紹的是安森美（onsemi）的NXH010P90MNF1碳化硅（SiC）模塊，它以其出色的特性為多種應(yīng)用場(chǎng)景帶來(lái)了新的解決方案。
2025-12-05 15:58:30283 已全部加載完成
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