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從點(diǎn) P2 到點(diǎn) P3 為求和放大器，精密整流器的輸出通過電阻 R3 饋送到求和放大器。電阻 R3 的值是 R5 的一半，或者你可以說它是 R5/2，這就是我們?cè)O(shè)置運(yùn)算放大器 2 倍增益的方式。...
三極管的電流放大作用與其物理結(jié)構(gòu)有關(guān)，三極管內(nèi)部進(jìn)行的物理過程是十分復(fù)雜的，初學(xué)者暫時(shí)不必去深入探討。從應(yīng)用的角度來講，可以把三極管看作是一個(gè)電流分配器。...
虛短，虛短是指運(yùn)放同相輸入端和反相輸入端近似看作短路，但實(shí)際并沒有短接，所以稱為“虛短”， “虛短”即運(yùn)放正負(fù)輸入端的電壓（電位）相等。...
氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方主要是士蘭微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和廈門火炬集團(tuán)。...
半導(dǎo)體器件采用多種封裝。它們可作為引線二極管使用，一些小信號(hào)二極管采用含鉛玻璃封裝，而另一些則采用塑料引線封裝。...
許多達(dá)林頓陣列也可用，其中多個(gè)達(dá)林頓晶體管對(duì)包含在同一個(gè)封裝中。通常，它們包含在 IC 封裝中，因?yàn)樗鼈兺ǔＳ糜隍?qū)動(dòng)顯示器等。這使得達(dá)林頓晶體管對(duì)非常易于使用，并可集成到新的電子電路設(shè)計(jì)中。...
碳化硅（Silicon Carbide，簡(jiǎn)稱SiC）器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。...
簡(jiǎn)單的SC notch filter電路由T型結(jié)構(gòu)的開關(guān)電容組成，當(dāng)fs為高時(shí)，CS1采樣VI電壓，CS2保持輸出VG1；當(dāng)fs為低時(shí)，CS2采樣V1電壓，CS1保持輸出VG1...
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET，就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET，超過這個(gè)范圍就有可能造成損壞。...
對(duì)任意的有源一端口網(wǎng)絡(luò)，可使用一個(gè)等效電壓源來等效。 a、電壓源的電動(dòng)勢(shì)E為外部開路時(shí)的端口電壓; b、電壓源的內(nèi)阻R。為網(wǎng)路內(nèi)部電源為0（即電壓源短路，電流源開路）時(shí)的等效電阻。...
雖然差分信號(hào)兩根信號(hào)都是參考地平面的，地平面浮動(dòng)時(shí)，兩根信號(hào)同時(shí)浮動(dòng)（理想情況下），兩根信號(hào)之間的差值幾乎不變，而接收端是識(shí)別兩個(gè)信號(hào)之間的差值。...
在電壓變換時(shí)，我們常常會(huì)用到調(diào)壓，其中以 PWM 或模擬調(diào)壓應(yīng)用最廣泛，本文給出一種簡(jiǎn)單可行的 FB 點(diǎn)調(diào)壓方式。...
通用型運(yùn)放又分為低增益、中增益和高增益三類，也可稱為通用Ⅰ型、通用Ⅱ型和通用Ⅲ型集成運(yùn)放。...
在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。...
交錯(cuò)式使用2組開關(guān)，因此開關(guān)損耗分散，每個(gè)開關(guān)上的負(fù)載減輕，使熱設(shè)計(jì)更容易。另外，紋波電流更小，有效頻率更高，從而有助于減小濾波器尺寸。這與DC/DC轉(zhuǎn)換器的雙相驅(qū)動(dòng)原理相同。...
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商，SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù)，除確保基本高強(qiáng)度燒結(jié)鍵合，對(duì)應(yīng)導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性的要求外，更能提高 IPM 芯片密度的設(shè)計(jì)，并配合未來銅燒結(jié)鍵合的方向，有效幫助 SiC 模塊...
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器 通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感...
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