摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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鋰離子電池隔膜用微孔膜的制備原理與結(jié)構(gòu)分析
摘要：介紹了鋰離子電池隔膜用微孔膜的制備原理與結(jié)構(gòu)，重點敘述了熔融拉伸法和熱致相分離法制備微孔膜的
2009-12-09 09:57:114834 羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設(shè)計者在嚴(yán)苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:163920 銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示了
2022-10-17 09:29:5914084 原理是在高溫真空環(huán)境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成可被液態(tài)釬料潤濕的穩(wěn)定反應(yīng)層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統(tǒng)的DBC（直接鍵合銅）技術(shù)，AMB工藝通過化學(xué)鍵合而非物理共晶實現(xiàn)連接，結(jié)
2025-12-01 06:12:004600 、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準(zhǔn)、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
的振動和沖擊力，機械強度要求高。這就不得不提到我們今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的優(yōu)點1、在高溫下具有高強度和斷裂韌性。2、散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時具有極高的耐熱沖擊性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
設(shè)備載荷，但同時對散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進，更匹配，更環(huán)保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。為什么說氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車的PCB板呢？氮化硅在高溫下具有高強度和斷裂韌性。可以
2021-01-21 11:45:54
了母線設(shè)計，減少系統(tǒng)中的諧波電流電感。低電感設(shè)計：兼容快速開關(guān)，減少動態(tài)損耗，提高了整體效率。氮化硅AMB基板和高穩(wěn)定性焊料：提高了產(chǎn)品使用壽命和安全可靠性。直接門驅(qū)動器配合：實現(xiàn)緊湊型設(shè)計，同時保證
2025-06-25 09:13:14
堅固耐用的設(shè)計設(shè)計用于自動拾取和插入聚酰亞胺劃痕保護快速切換速度：20nSLow Capacitance：50FF氮化硅鈍化MA4FCP305產(chǎn)品詳情MA4FCP305列由硅芯片倒裝PIN二極管
2018-11-16 11:53:06
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
`氮化鋁陶瓷基板因其熱導(dǎo)率高、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)低及高頻性低損耗等優(yōu)點廣為人知，在LED照明、大功率半導(dǎo)體、智能手機、汽車及自動化等生活與工業(yè)領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。但氮化鋁陶瓷散熱基板制備廠商主要
2020-11-16 14:16:37
的產(chǎn)品應(yīng)用，氮化硅后續(xù)的應(yīng)用要求銅厚也有低的（一些要求電流不高的IGBT模塊）碳化硅陶瓷優(yōu)勢：在高達1400℃的溫度下，碳化硅甚至仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高
2021-04-25 14:11:12
氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱 9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層 10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅 11、利用光刻技術(shù)和離子
2011-12-01 15:43:10
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
膜，以及高分子膜和金屬膜等。由于在表面硅MEMS加工技術(shù)中最常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它們通常采用LPCVD或PECVD來制作。2、PECVD制膜技術(shù)PECVD法是利用輝光放電的物理作用
2018-11-05 15:42:42
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:291232 PECVD原理
PECVD作用：在硅片表面鍍上一層深藍色的氮化硅膜，可以充分吸收太陽光，降低反射，并且氮化硅膜有鈍化的作用，保護電池
2010-07-18 11:29:189295 在太陽電池表面形成一層減反射薄膜是提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率比較可行且降低成本的方法。應(yīng)用PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)，采用SiH4和NH3氣源以制備氮化硅薄膜。研究探
2011-07-25 11:30:287663 
針對激光在傳輸過程中的光能損失 ，本文根據(jù)光學(xué)薄膜理論，設(shè)計制備了減反射膜和抗激光的高反射膜，并對激光膜的鍍膜材料 、膜系設(shè)計、沉積工藝及離子輔助沉積等參數(shù)進行了深入研究。研究結(jié)果表明，制備的減反膜
2017-11-09 11:14:11
6 針對目前氮化硅陶瓷球材料性能評價體系不完善，以及各個廠家生產(chǎn)的陶瓷球質(zhì)量參差不齊的問題，對3個較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數(shù)進行了研究
2018-03-20 15:53:131 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對襯底應(yīng)力過大，容易出問題；
2020-06-02 08:00:000 瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團隊已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:393272 據(jù)報道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學(xué)性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實現(xiàn)所需的各項功能，因此出現(xiàn)了新的材料平臺。氮化硅（Si3N4）就是其中
2021-05-07 16:00:103887 
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386263 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:572046 
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲密度，我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無漏
2021-12-28 16:38:088494 
摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻?b class="flag-6" style="color: red">氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋光。金剛石成核和生長運行在微波等離子體化學(xué)氣相
2022-01-21 15:02:041353 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在
2022-02-15 11:11:144832 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區(qū)覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強張力。經(jīng)過氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后，沒有被氮化硅覆蓋的區(qū)域再生長出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:0510822 在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:597112 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:002711 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導(dǎo)體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導(dǎo)介質(zhì)的氮化硅陶瓷基板的熱傳導(dǎo)性是主要問題。
2022-10-13 16:29:581356 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:333478 2022年9月，威海圓環(huán)先進陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標(biāo)到了國際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進國家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護和應(yīng)用產(chǎn)品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:576784 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述
2022-12-06 09:42:401771 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:395497 優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機械強度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優(yōu)勢。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:242741 
采用如圖2所示工藝制備獲得石墨烯納米孔。首先，通過低壓化學(xué)氣相沉積法在硅片兩側(cè)沉積200 nm的低應(yīng)力氮化硅（Si3N4）薄膜。隨后，通過光刻與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）工藝在背面Si3N4薄膜上刻蝕出硅基體釋放窗口。接著使用氫氧化鉀（KOH）刻蝕基體硅
2022-12-15 16:45:001727 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 進入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第三代半導(dǎo)體材料也相繼問世，將當(dāng)代的信息技術(shù)推向了更高的臺階。
2023-02-06 17:02:523512 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 12/1月刊 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料
2023-02-10 17:10:041381 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機會。
2023-02-15 16:37:091407 
。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，被認(rèn)為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:470 國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢
2023-03-15 17:22:552353 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅磨介圈
2023-03-31 11:40:351977 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因為如此斯利通現(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:402778 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:463457 新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:452666 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:161374 
的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等，嚴(yán)重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:123349 
目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:561588 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:064579 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:232822 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:438300 等技術(shù)，在聚合物基材上形成?層透明導(dǎo)電膜。其中，物理?相沉積和溶液法是?前應(yīng)?最?泛的制備?法。 ?、柔性光電膜的制備過程需要控制好制備條件，以保證薄膜的質(zhì)量和均勻性。?般來說，柔性光電膜的制備過程包括以下步驟： 透明導(dǎo)電膜
2023-07-17 15:29:021713 以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:497025 
）級別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)，工藝良率超95%。 ? 相對于傳統(tǒng)硅光技術(shù)，氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優(yōu)點。此外，氮化硅硅光芯片也是優(yōu)異的多材料異質(zhì)異構(gòu)平臺，可集成磷化銦（InP）、鈮酸鋰（LiNbO?）等材料，實現(xiàn)應(yīng)用更
2023-11-17 09:04:543703 、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細介紹碳化硅和氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結(jié)構(gòu)，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:514542 京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:061243 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:094881 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:1117304 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 、介電常數(shù)高等優(yōu)點，在集成電路制造領(lǐng)域被廣泛用作表面鈍化層、絕緣層、擴散阻擋層、刻蝕掩蔽膜等。 LPCVD?和?PECVD?制備氮化硅薄膜特性對比（下表） 低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）氮化硅工藝需要高溫，通常在?700~800°C，而等離子體增強
2024-11-24 09:33:392761 
小、化學(xué)穩(wěn)定性好以及介電常數(shù)高等一系列優(yōu)點。本文將主要介紹了氮化硅薄膜的制備方法、特性及其在半導(dǎo)體器件制造中的具體應(yīng)用，重點對比低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）兩種制備工藝，并詳細解析低應(yīng)
2024-11-29 10:44:513427 
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
2025-02-07 09:44:141237 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051133 
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進微納制造中的應(yīng)用與工藝演進路徑。
2025-04-09 16:19:531996 
在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合，卻蘊含著諸多獨特的性質(zhì)，在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:332495 
很多行業(yè)的人都在好奇一個問題，就是spm清洗會把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實踐與理論，給大家找到一個結(jié)果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40867 本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07:121114 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231755 
在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產(chǎn)品
2025-07-05 18:04:002005 氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學(xué)性能組合，已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機械強度及熱穩(wěn)定性，為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
2025-07-12 10:17:2014194 
氮化硅陶瓷導(dǎo)熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能，在電子行業(yè)，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域，正扮演著越來越重要的角色。
2025-07-25 17:58:54827 氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
2025-07-25 17:59:551453 在新能源汽車快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術(shù)演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，氮化硅(Si?N?)憑借其獨特的性能
2025-08-02 18:31:094296 氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環(huán)境（H2, CO）中的應(yīng)用分析 在新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域的功率模塊應(yīng)用中，逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰(zhàn)，有時還需耐受如氫氣（H2）、一氧化碳（CO
2025-08-03 11:37:341292 氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關(guān)鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其獨特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場環(huán)境下電磁干擾引發(fā)的信號失真、串?dāng)_和成型缺陷
2025-08-05 07:24:00858 熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運臂是半導(dǎo)體潔凈室自動化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性。本文首先分析氮化硅陶瓷的物理化學(xué)性能，然后
2025-11-23 10:25:252123 
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨特的物理化學(xué)性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發(fā)
2025-12-21 08:46:471582 
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