Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機(jī)臺(tái)能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，用電子束對(duì)樣品斷面(剖面)進(jìn)行觀察，亦可進(jìn)行EDX的成份分析。iST宜特檢測(cè)具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
真空技術(shù)是結(jié)合機(jī)械、電機(jī)、材料、化工和航太等技術(shù)發(fā)展出來(lái)的產(chǎn)業(yè)，亦是目前我國(guó)與美、日等國(guó)極力推動(dòng)之十大新興產(chǎn)業(yè)之一。真空技術(shù)應(yīng)用范圍日趨廣泛，運(yùn)用對(duì)象包括光電、半導(dǎo)體和LCD產(chǎn)業(yè)等，近年來(lái)尤其在光電、IC和LCD等產(chǎn)業(yè)之制造設(shè)備，更是成長(zhǎng)迅速。EMI濺射鍍膜具有以下特點(diǎn)：
2019-07-25 07:27:32
FIB聚焦離子束電路修改服務(wù)芯片 在開(kāi)發(fā)初期往往都存在著一些缺陷，F(xiàn)IB(Focused Ion Beam, 聚焦離子束) 電路修改服務(wù)，除了可提供了 芯片 設(shè)計(jì)者直接且快速修改 芯片 電路，同時(shí)
2018-08-17 11:03:08
P FIB 與DB FIB師出同源，最大差異在離子源與蝕刻效率。DB FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面，P FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問(wèn)題。P FIB可大范圍面積快速執(zhí)行，蝕刻速率提升20倍。
2019-08-15 15:57:55
的應(yīng)力影響。宜特任何材料都可以以離子束剖面研磨(CP)進(jìn)行約1mm大范圍剖面的制備，由于不受應(yīng)力影響，因此更適用于樣品表面之材料特性的分析(例如EDS、AES、EBSD等表面分析)，有效樣品處理范圍約
2018-08-28 15:39:44
聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) FIB-SEM應(yīng)用
聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統(tǒng)主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標(biāo)記以及TEM超薄片樣品的制備。
1.FIB切片
2023-09-05 11:58:27
進(jìn)行元素組成分析。1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦
2020-02-05 15:13:29
缺陷清晰明了，給客戶和供應(yīng)商解決爭(zhēng)論焦點(diǎn)，減少?gòu)?fù)測(cè)次數(shù)與支出。 （4）FIB其他領(lǐng)域定點(diǎn)、圖形化切割 3. 誘導(dǎo)沉積材料利用電子束或離子束將金屬有機(jī)氣體化合物分解，從而可在樣品的特定區(qū)域進(jìn)行材料
2020-01-16 22:02:26
本文介紹了離子束濺射鍍膜機(jī)電源的設(shè)計(jì)方案，并著重闡述了短路保護(hù)電路、自動(dòng)恢復(fù)電路和線性光電隔離電路的設(shè)計(jì)。測(cè)試結(jié)果表明：該電源能滿足離子束濺射鍍膜機(jī)設(shè)備的要
2009-10-16 09:41:59
31 源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元
2023-05-11 14:14:53
離子束加工原理和離子束加工的應(yīng)用范圍，離子束加工的特點(diǎn)。
2011-05-22 12:48:41
18996 
離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來(lái)。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)
2011-12-16 11:28:081631 
成都一家本土企業(yè)通過(guò)自主創(chuàng)新，研制出了可以廣泛應(yīng)用于眾多工業(yè)領(lǐng)域的基礎(chǔ)熱源———層流電弧等離子束，這種等離子束可以產(chǎn)生穩(wěn)定、可控的熱源，溫度可在15000攝氏度至200攝氏度間調(diào)節(jié)。其在3D打印技術(shù)中也可以得到應(yīng)用.
2013-09-24 15:43:381909 在一張頭發(fā)薄厚、米粒大小的透明塑料薄膜上雕刻出復(fù)雜的電路，對(duì)離子束加工是小菜一碟。北京埃德萬(wàn)斯公司，一家不到百人的小公司，不聲不響地持有這一前景無(wú)限、體現(xiàn)國(guó)家頂級(jí)加工能力的利器。 初冬，中關(guān)村環(huán)保園一間工廠里，幾十臺(tái)離子束刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)正在運(yùn)行。
2016-12-13 01:48:112195 近日，中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院等離子體物理研究所在自主發(fā)展聚變工程技術(shù)即研發(fā)射頻負(fù)離子束源方面取得重要進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定可重復(fù)的百秒量級(jí)強(qiáng)流負(fù)離子束引出。
2020-08-06 15:43:131411 電子束加工和離子束加工是近年來(lái)得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們?cè)诰芪⒓?xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來(lái)說(shuō)，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-04-03 13:51:004042 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-03-25 16:40:0817286 
離子束用于各種應(yīng)用場(chǎng)合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子 束電流通常非常?。╩A）， 所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來(lái)進(jìn)行測(cè)量。今天安泰測(cè)試為大家介紹如何使用吉時(shí)利皮安表6485 型和 6487 型皮安表來(lái)進(jìn)行這種測(cè)量工作。在電流靈敏度更高時(shí)，可以改用靜電計(jì)來(lái)進(jìn)行測(cè)量。
2021-09-10 14:04:571049 物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如真空蒸發(fā)、濺射 （Sputtering）鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在圓片表面形成薄膜。
2022-11-03 15:32:2011934 二次離子質(zhì)譜（SIMS）是一種分析方法。具有高空間分辨率和高靈敏度的工具。它使用高度聚焦的離子束（通常是氧氣或（無(wú)機(jī)樣品用銫離子）“濺射”樣品表面上選定區(qū)域的材料。
2022-11-22 10:44:091721 
科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米
2023-01-16 17:10:223197 有人曾這樣形容磁控濺射技術(shù)——就像往平靜的湖水里投入了石子濺起水花。磁控濺射真空鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）的一種，其原理是：用帶電粒子加速轟擊靶材表面，發(fā)生表面原子碰撞并產(chǎn)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，使靶材原子從表面逸出并沉積在襯底材料上的過(guò)程。
2023-04-18 10:30:074559 離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:223677 
上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:471960 
上海伯東客戶某高校使用國(guó)產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備, 工藝過(guò)程中, 國(guó)產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個(gè)小時(shí)就會(huì)燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無(wú)法滿足長(zhǎng)時(shí)間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致
2023-05-25 15:53:362833 
NanoFab 顯微鏡可在鎵、氖及氦離子束之間實(shí)現(xiàn)無(wú)縫切換。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 快速亞 10 nm 結(jié)構(gòu)加工 使用氖和氦離子束加工有超高精度要求的精細(xì)亞 10 納米結(jié)構(gòu)。無(wú)論是使用濺射、氣體輔助切割、氣體
2023-07-19 15:45:07969 
光通信的信息載體是光波,?為了進(jìn)一步提高光通信系統(tǒng)中光信號(hào)的傳輸質(zhì)量,?滿足光通信系統(tǒng)的使用要求,??上海伯東美國(guó) KRi 離子源通過(guò)離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)光模塊
2023-08-07 14:08:311350 
上海伯東美國(guó) KRi 霍爾離子源 EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi 霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū).
2023-05-11 13:26:301598 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:341863 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.
2023-05-25 10:22:371871 
博仕檢測(cè)聚焦離子束FIB-SEM測(cè)試案例
2023-09-04 18:49:411605 
上海伯東提供適用于光學(xué)鍍膜機(jī)的離子源和真空系統(tǒng) 光的干涉在薄膜光學(xué)中應(yīng)用廣泛. 光學(xué)薄膜技術(shù)的普遍方法是借助真空濺射的方式在玻璃基板上涂鍍薄膜. 光學(xué)鍍膜是光學(xué)器件上的單個(gè)或多個(gè)材料沉積薄層, 實(shí)現(xiàn)
2023-09-08 11:34:112316 
磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種常見(jiàn)的物理氣相沉積 (PVD) 工藝，具有速度快、溫度低、損傷小等優(yōu)點(diǎn)，其關(guān)鍵特點(diǎn)是使用一個(gè)磁場(chǎng)來(lái)控制并增強(qiáng)濺射過(guò)程。已發(fā)展成為工業(yè)鍍膜中非
2023-12-04 11:17:411274 
離子束拋光的工作原理、樣品參數(shù)選擇依據(jù)；然后，利用離子束拋光系統(tǒng)對(duì)典型的封裝互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行拋光， 結(jié)合材料和離子束刻蝕理論進(jìn)行參數(shù)探索；最后， 對(duì)尺寸測(cè)量、成分分布和相結(jié)構(gòu)等信息進(jìn)行觀察和分析， 為離子束拋光系統(tǒng)在微電子封裝破壞
2024-07-04 17:24:421199 
口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質(zhì)或惰性材料.
2024-09-12 13:31:021151 
? ? ? 本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的影響。 磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對(duì)薄膜的性能有著決定性的影響。這些參數(shù)包括濺射氣壓、濺射功率、靶基距、基底溫度、偏置電壓、濺射氣體等。通過(guò)精確控制這些
2024-11-08 11:28:013030 納米科技是當(dāng)前科學(xué)研究的前沿領(lǐng)域，納米測(cè)量學(xué)和納米加工技術(shù)在其中扮演著至關(guān)重要的角色。電子束和離子束等工藝是實(shí)現(xiàn)納米尺度加工的關(guān)鍵手段。特別是聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)，通過(guò)結(jié)合高強(qiáng)度的離子束和實(shí)時(shí)
2024-11-14 23:24:131435 
本文介紹了聚焦離子束（FIB）技術(shù)的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用。 一、FIB 在芯片失效分析中的重要地位 芯片作為現(xiàn)代科技的核心組成部分，其可靠性至關(guān)重要。而在芯片失效分析領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)正
2024-11-21 11:07:011917 
和掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像技術(shù)，為材料分析領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的變化。FIB-SEM技術(shù)FIB-SEM技術(shù)通過(guò)高能離子束對(duì)材料進(jìn)行精確的切割、蝕刻或沉積
2024-11-23 00:51:171907 
。這一過(guò)程與掃描電子顯微鏡（SEM）的成像原理相似，但FIB利用高能離子束對(duì)材料表面原子進(jìn)行剝離，實(shí)現(xiàn)微米至納米級(jí)別的精確加工。FIB技術(shù)結(jié)合物理濺射和化學(xué)氣體反
2024-12-04 12:37:251166 
。FIB技術(shù)的起源FIB技術(shù)的歷史可以追溯到20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)科學(xué)家們開(kāi)始探索使用離子束對(duì)樣品進(jìn)行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里，這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)歷了從實(shí)驗(yàn)室原
2024-12-05 15:32:571050 
尺度的測(cè)量與制造納米技術(shù)，作為全球科研的熱點(diǎn)，關(guān)鍵在于其能夠在納米級(jí)別進(jìn)行精確的測(cè)量和制造。納米測(cè)量技術(shù)負(fù)責(zé)收集和處理數(shù)據(jù)，而納米加工技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)微觀制造目標(biāo)的核心工具。電子束和離子束技術(shù)是這一
2024-12-17 15:08:141789 
???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電子透明區(qū)域可以高精度定位，研磨時(shí)間更短，并且
2024-12-19 10:06:402201 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)憑借其在微納米尺度加工和分析上的高精度和精細(xì)控制，已成為材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)精確操控具有特定能量的離子束與材料相互作用，引發(fā)一系列復(fù)雜
2024-12-19 12:40:461333 
子束技術(shù)概述聚焦離子束技術(shù)是一種先進(jìn)的納米加工技術(shù)，它通過(guò)靜電透鏡將離子束精確聚焦至2至3納米的束寬，對(duì)材料表面進(jìn)行精細(xì)的加工處理。這項(xiàng)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性等多種操作
2024-12-25 11:58:222282 
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內(nèi)加速, 利用離子的物理動(dòng)能, 削去基板表面
2024-12-26 15:21:191646 納米結(jié)構(gòu)加工。液態(tài)金屬鎵因其卓越的物理特性，常被選作理想的離子源材料。技術(shù)應(yīng)用的多樣性聚焦離子束技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出其廣泛的應(yīng)用潛力，如修復(fù)掩模板、調(diào)整電路、分析
2025-01-08 10:59:36936 
聚焦離子束（FIB）在芯片制造中的應(yīng)用聚焦離子束（FIB）技術(shù)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)切割和線路修改，還能用于觀察和制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品。金屬鎵
2025-01-10 11:01:381047 
的FIB裝置是最為常見(jiàn)的類型，因其具有良好的分辨率和加工能力。FIB的三個(gè)基本功能1.濺射功能FIB的濺射功能是其最基礎(chǔ)的應(yīng)用之一。當(dāng)Ga離子束聚焦并照射到樣品表面時(shí)，
2025-01-14 12:04:311488 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)概覽聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)在微觀尺度的研究和應(yīng)用中扮演著重要角色。這種技術(shù)以其超高精度和操作靈活性，允許科學(xué)家在納米層面對(duì)材料進(jìn)行精細(xì)的加工
2025-01-17 15:02:491098 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)概述聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種通過(guò)離子源產(chǎn)生的離子束，經(jīng)過(guò)過(guò)濾和靜電磁場(chǎng)聚焦，形成直徑為納米級(jí)的高能離子束。這種技術(shù)用于對(duì)樣品表面進(jìn)行精密加工，包括切割、拋光和刻蝕
2025-01-24 16:17:291225 
利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行物理濺射，從而達(dá)到拋光的效果。在這個(gè)過(guò)程中，氬氣作為惰性氣體，不會(huì)與樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，保證了樣品的原始性質(zhì)不被破壞。通過(guò)精確控制離子束的
2025-02-10 11:45:38924 
巧妙利用，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)樣品的原子級(jí)別操控。在刻蝕方面，高能離子束如同一把無(wú)形的“刻刀”，對(duì)樣品表面進(jìn)行轟擊，將表面材料逐層剝離，實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)的精細(xì)加工。這種刻蝕過(guò)程
2025-02-11 22:27:50733 
什么是聚焦離子束？聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段，近年來(lái)在眾多領(lǐng)域嶄露頭角。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2025-02-13 17:09:031179 
工作原理聚焦離子束顯微鏡的原理是通過(guò)將離子束聚焦到納米尺度，并探測(cè)離子與樣品之間的相互作用來(lái)實(shí)現(xiàn)成像。離子束可以是氬離子、鎵離子等，在加速電壓的作用下，形成高能離子束。通過(guò)使用電場(chǎng)透鏡系統(tǒng)，離子束
2025-02-14 12:49:241875 
聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)，堪稱微觀世界的納米“雕刻師”，憑借其高度集中的離子束，在納米尺度上施展著加工、分析與成像的精湛技藝。FIB技術(shù)以鎵離子源為核心，通過(guò)精確調(diào)控
2025-02-18 14:17:452727 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)
2025-02-20 14:24:151043 FIB（聚焦離子束）切片分析作為一種前沿的材料表征技術(shù)，憑借其高精度和多維度的分析能力，在材料科學(xué)、電子器件研究以及納米技術(shù)領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它通過(guò)離子束對(duì)材料表面進(jìn)行刻蝕，形成極薄的切片
2025-02-21 14:54:441322 
聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段，近年來(lái)在眾多領(lǐng)域嶄露頭角。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2025-02-24 23:00:421004 
技術(shù)概述聚焦離子束與掃描電鏡聯(lián)用系統(tǒng)（FIB-SEM）是一種融合高分辨率成像與微納加工能力的前沿設(shè)備，主要由掃描電鏡（SEM）、聚焦離子束（FIB）和氣體注入系統(tǒng)（GIS）構(gòu)成。聚焦離子束系統(tǒng)利用
2025-02-25 17:29:36935 
FIB技術(shù)原理聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，憑借其獨(dú)特的原理、廣泛
2025-02-26 15:24:311863 
聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)是一種在微觀尺度上對(duì)材料進(jìn)行加工、分析和成像的先進(jìn)技術(shù)。它在材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造、納米技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用。FIB的基本原理聚焦
2025-03-03 15:51:58736 
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