探索Broadcom AFBR - S4N66P024M 2×1 NUV - MT硅光電倍增管陣列 在當(dāng)今的光子檢測(cè)領(lǐng)域，對(duì)于高精度、高靈敏度的探測(cè)器需求日益增長(zhǎng)。Broadcom的AFBR
2025-12-30 16:10:13
93 深入剖析Broadcom AFBR - S4N66P014M NUV - MT硅光電倍增管 在光子檢測(cè)領(lǐng)域，硅光電倍增管（SiPM）憑借其高靈敏度等特性發(fā)揮著重要作用。今天，我們將深入探討博
2025-12-30 15:45:0691 的優(yōu)勢(shì)，成為了眾多應(yīng)用的首選。TI（德州儀器）推出的 SN65LV1023A 串行器和 SN65LV1224B 解串器組成的芯片組，就是這一領(lǐng)域的佼佼者，能在 10 - 66MHz 時(shí)鐘速度下實(shí)現(xiàn)高效
2025-12-30 10:40:06136 DP83815：10/100 Mb/s集成PCI以太網(wǎng)媒體訪問控制器和物理層芯片解析 在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域，以太網(wǎng)控制器扮演著至關(guān)重要的角色。DP83815作為一款單芯片10/100 Mb/s以太網(wǎng)
2025-12-29 18:00:09464 ，我們就來深入探討一下德州儀器（TI）的DP83848C/I/VYB/YB系列10/100 Mb/s以太網(wǎng)物理層收發(fā)器，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載： dp83848yb.pdf 一、產(chǎn)品
2025-12-29 10:15:0777 深入剖析DP83848x：高性能10/100 MB/s以太網(wǎng)收發(fā)器的卓越之選 在嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，以太網(wǎng)收發(fā)器扮演著至關(guān)重要的角色，它直接影響著數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性、速度和可靠性。今天，我們就來
2025-12-27 15:10:09494 SN65LV1023A-EP與SN65LV1224B-EP：10 - 66MHz LVDS 串行器/解串器的深度剖析 在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域，LVDS（低壓差分信號(hào)）技術(shù)憑借其低功耗、高抗干擾能力等優(yōu)勢(shì)
2025-12-27 11:05:12561 。SN65LV1023A - EP和SN65LV1224B - EP這對(duì)10位串行器/解串器芯片組，專為在10 MHz至66 MHz的時(shí)鐘速度下通過差分背板或非屏蔽雙絞線（UTP）傳輸數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)，為
2025-12-27 11:05:09575 在當(dāng)今各類電子設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)性能要求日益提升的背景下，SPI NOR Flash憑借其高速讀取、低功耗及靈活接口等優(yōu)勢(shì)，成為嵌入式系統(tǒng)代碼存儲(chǔ)的關(guān)鍵元件。GT25Q系列SPI NOR Flash采用先進(jìn)
2025-12-26 11:51:49132 要求。德州儀器（TI）的DP83848C/I/VYB/YB系列PHYTER?單端口10/100 Mb/s以太網(wǎng)物理層收發(fā)器，正是為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)而精心設(shè)計(jì)的。今天，我們就來深入探討這款產(chǎn)品的特性
2025-12-26 11:30:05245 了廣泛應(yīng)用。而TI推出的SN65HVD17xx系列故障保護(hù)型RS - 485收發(fā)器，更是為RS - 485通信提供了可靠的解決方案。今天，我們就來詳細(xì)了解一下這個(gè)系列的收發(fā)器。 文件下載
2025-12-26 09:25:03244 探索S32K3xx系列MCU：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)考量 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，微控制器（MCU）扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在汽車電子等對(duì)性能和可靠性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景中。NXP的S32K3xx系列
2025-12-25 10:55:12322 深度剖析DP83816：10/100 Mb/s集成PCI以太網(wǎng)控制器的全方位解讀 在當(dāng)今數(shù)字化飛速發(fā)展的時(shí)代，以太網(wǎng)通信技術(shù)作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕?，其重要性不言而喻。而DP83816作為一款10/100
2025-12-24 17:55:06481 NXP S32M2xx系列MCU：汽車電機(jī)控制的理想之選 在汽車電子領(lǐng)域，電機(jī)控制是一個(gè)至關(guān)重要的應(yīng)用場(chǎng)景。NXP推出的S32M2xx系列MCU，憑借其高性能、高集成度和豐富的功能特性，成為
2025-12-24 15:55:09150 深入解析S32K39、S32K37和S32K36系列MCU：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在當(dāng)今的電子工程領(lǐng)域，汽車電子的發(fā)展日新月異，對(duì)微控制器（MCU）的性能、功能和安全性提出了更高的要求。NXP
2025-12-24 11:50:03313 就來深入探討一下 Texas Instruments（TI）推出的 TPD1S514x 系列產(chǎn)品，看看它是如何為 USB 充電和主機(jī)接口提供全面保護(hù)的。 文件下載： tpd1s514.pdf 產(chǎn)品概述
2025-12-22 18:10:131040 啟動(dòng)代碼，用RAM進(jìn)行暫存擴(kuò)展內(nèi)存。英飛凌（Infineon）推出的Flash+RAM多芯片封裝（MCP）Gen 2產(chǎn)品，將SEMPER? NOR Flash和HYPERRAM? 2.0集成在一個(gè)封裝中
2025-12-20 16:20:021043 北京2025年12月12日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技在2025 re:Invent全球大會(huì)上推出了云存儲(chǔ)服務(wù)Amazon S3的一系列重磅更新，包括Amazon S3 Vectors正式可用并
2025-12-13 16:43:46392 高達(dá) 190 MB/s 的速度讀取數(shù)據(jù)，并以高達(dá) 22 MB/s 的速度寫入數(shù)據(jù)，這讓其在存儲(chǔ)和傳輸大量數(shù)據(jù)時(shí)非常高效。還內(nèi)置了 ECC 算法和塊管理功能，可以確
2025-12-09 10:49:05
讀取速度很快，而順序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">速度卻不理想？而NAND情況卻有一些截
然相反？
要回答這些問題，必須從最底層——存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)與組織方式理解 NOR 與 NAND 的不同。
一、NOR 與 NAND
2025-12-08 17:54:19
一、概述 node-red-contrib-s7用于與 Siemens S7 PLC 交互的 Node-RED 節(jié)點(diǎn)。S7讀數(shù)據(jù) S7寫數(shù)據(jù) S7高級(jí)讀取支持以S7協(xié)議讀寫西門子系列PLC的數(shù)據(jù)
2025-12-03 16:48:38701 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著各種電力系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F這款N溝道、D2PAK - 7L封裝的650V MOSFET。
2025-12-02 11:24:34426 
在嵌入式系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備及各類存儲(chǔ)應(yīng)用中，SPI NOR FLASH芯片因其接口簡(jiǎn)單、功耗低、讀寫速度快等特點(diǎn)，成為代碼存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)緩存的常見選擇。SPI NOR FLASH是一種基于SPI（串行外設(shè)
2025-12-01 14:52:03348 近日，憶聯(lián)正式推出首款面向OEM市場(chǎng)的消費(fèi)級(jí)PCIe 5.0 SSD產(chǎn)品AM6D1。該產(chǎn)品以高達(dá)11400 MB/s的順序讀取速度、10900 MB/s的順序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">速度，以及1600K/1150K
2025-12-01 14:51:381308 
，以及8GB LPDDR4X緩存顆粒；因此其具備了高達(dá)14800MB/s順序讀取速度、13400MB/s順序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">速度，以及4800TBW的總寫入質(zhì)保。 ? 宏碁掠奪者GM9000神輿8TB PCIe 5.0固態(tài)
2025-11-22 08:05:004542 S7-1200系列PLC可以通過PROFINET與V90 PN型伺服驅(qū)動(dòng)器組合進(jìn)行速度控制，S7-1200 PLC負(fù)責(zé)發(fā)送控制命令和速度給定，并讀取V90伺服驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)和實(shí)際轉(zhuǎn)速;V90伺服驅(qū)動(dòng)器
2025-11-12 14:20:544038 
日本川崎2025年11月4日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）推出新一代 S300 AI 監(jiān)控硬盤 (HDD)，專為滿足現(xiàn)代人工智能 (AI) 視頻監(jiān)控應(yīng)用需求而打造。S300 AI 聚焦
2025-11-06 15:58:564670 博雅BOYA BY25Q32BSSIG是一款32Mbit SPI NOR Flash芯片，支持133MHz高速讀取與XIP技術(shù)，能顯著提升液晶電視的啟動(dòng)速度與系統(tǒng)響應(yīng)。其工業(yè)級(jí)溫度范圍與低功耗特性保障了電視在長(zhǎng)期高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行，并為高清畫質(zhì)處理提供可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)支持。
2025-10-31 09:16:00256 
在這上一篇文章中，我們介紹了ESP32 I2S音頻總線的相關(guān)知識(shí)，簡(jiǎn)要了解了什么是I2S總線、它的通信格式，以及相關(guān)的底層API函數(shù)，這篇文章將介紹一個(gè)小案例——ESP32驅(qū)動(dòng)INMP441讀取音頻
2025-10-23 19:55:023861 
MediaTek 3nm 旗艦座艙芯片——天璣 座艙 S1 Ultra 正式亮相，以先進(jìn)的生成式 AI 技術(shù)和卓越的 3nm 制程，帶來遠(yuǎn)超同級(jí)的算力突破與智能座艙體驗(yàn)。
2025-10-23 11:39:12745 RAYSON RS70BT7G4S16G工業(yè)級(jí)128GB eMMC，-20~85℃寬溫，400MB/s高速，斷電保護(hù)，適用車載、電網(wǎng)、工控，高可靠低功耗。
2025-10-21 09:22:00368 
憶聯(lián)推出AM6系列SSD三款產(chǎn)品，滿足AIPC時(shí)代存儲(chǔ)需求。AM6A1主打低功耗，讀寫速度4900/3600MB/s；AM6B1性能提升1.4-1.7倍，支持專業(yè)創(chuàng)作場(chǎng)景；AM6C1突破性能邊界
2025-10-20 11:11:33288 
STMicroelectronics STM32WBA65I-DK1探索套件采用STM32WBA65RI微控制器作為完整的演示和開發(fā)平臺(tái)。該套件包括Arm^^?^^ Cortex^?^ -M33芯體（帶ARM TrustZone?和主線安全擴(kuò)展）、2Mb閃存、512Kb SRAM和智能外設(shè)資源。
2025-10-16 09:51:07479 
/s。vivo從以往的1個(gè)UFS4.1雙通道讀寫升級(jí)為2個(gè)UFS 4.1四通道并行協(xié)作，真正的雙UFS4.1 4-Lane，大型文件讀寫速率提升達(dá)到70%+，最高讀寫速度可達(dá)到驚人的8.6GB/s
2025-09-26 07:32:385898 兆易創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級(jí)可靠性和XIP技術(shù)，為車載導(dǎo)航系統(tǒng)提供快速啟動(dòng)、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和完整路徑規(guī)劃支持，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。
2025-09-23 09:22:003752 華邦電子128Mb NOR Flash（W25Q128JWSIQ）憑借車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q100認(rèn)證）、52MB/s讀取帶寬及-40℃~125℃寬溫支持，為車載儀表盤提供毫秒級(jí)啟動(dòng)與20年數(shù)據(jù)安全保障。
2025-09-16 09:45:00500 博雅128Mbit NOR Flash BY25Q128ESSIG為智能電力儀表提供高可靠存儲(chǔ)方案，133MHz讀取速度與-40℃~105℃寬溫保障數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)性與穩(wěn)定性。
2025-09-08 09:55:00778 納芯微再度擴(kuò)充NSSine 實(shí)時(shí)控制MCU/DSP產(chǎn)品矩陣，推出全新NS800RT7P65S/D系列MCU/DSP，該系列采用單/雙Cortex-M7內(nèi)核@400MHz內(nèi)核，每個(gè)內(nèi)核配備自研eMath/mMath加速核，支持?jǐn)?shù)學(xué)函數(shù)、FFT及矩陣運(yùn)算加速，大幅提升實(shí)時(shí)運(yùn)算效率。
2025-09-03 14:28:473748 
普冉32Mb NOR Flash P25Q32SH-SSH-IT為U盾提供高速、高可靠性存儲(chǔ)方案，支持10萬次擦寫與20年數(shù)據(jù)保持，1.65V~3.6V寬電壓適配，52MB/s讀取帶寬加速加密驗(yàn)簽。其硬件寫保護(hù)與128位唯一ID增強(qiáng)防克隆能力，滿足金融級(jí)安全需求。
2025-09-01 09:45:006692 ，性能優(yōu)異，順序讀取速度高達(dá)300MB/s，順序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">速度高達(dá)200MB/s，具有更高的性能、大容量與低功耗的核心優(yōu)勢(shì)，并已應(yīng)用于行業(yè)知名品牌！
2025-08-28 10:01:4831106 
為 13.5MB/s，寫入速度為 6.5MB/s，但在 USB2.0
標(biāo)準(zhǔn)，速度最高可達(dá)480Mbps，M483SIDAE 的 USB 讀/寫速度可以達(dá)到什么速度?寫入速度是正常嗎
2025-08-28 06:21:49
。NXP推出的S32K3系列MCU配備了多層次的生命周期管理和硬件安全引擎（Hardware Security Engine, HSE），以確保在產(chǎn)品開發(fā)與部署中的信息安全。
2025-08-18 11:07:052812 
在2025年北京國(guó)際廣播電影電視展覽會(huì)（BIRTV）上，紫光閃芯公司產(chǎn)品紫光閃存UNIS S5 Ultra PCIe 5.0 M.2固態(tài)硬盤與ARECA公司ARC-1689-8N型號(hào)控制器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，在展會(huì)上展示了這一極具競(jìng)爭(zhēng)力的組合方案。
2025-08-18 09:37:192458 
在汽車、物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用場(chǎng)景中，存儲(chǔ)器是否能夠穩(wěn)定運(yùn)行直接影響產(chǎn)品的可靠性。華邦推出的 W25Q-RV 系列 NOR Flash，成功通過 105°C 的工業(yè)級(jí)高溫循環(huán)測(cè)試和儲(chǔ)能測(cè)試，以超越 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的性能，在嚴(yán)苛環(huán)境下為產(chǎn)品保駕護(hù)航。
2025-08-16 17:14:301452 P31-U系列是一款支持Profinet協(xié)議的遠(yuǎn)程分布式IO主機(jī)模塊，用于將IO數(shù)據(jù)映射到Profinet。使用GSD文件進(jìn)行集成，PLC免代碼讀取、寫入I0端口。支持西門子S
2025-08-14 19:33:441476 
將使速率在 PCIe 7.0 的基礎(chǔ)上翻倍至 256.0 GT/s，通過 x16 配置實(shí)現(xiàn) 1TB/s 的雙向帶寬。 ? 從 PCI-SIG 目前公布的細(xì)節(jié)來看，PCIe 8.0 首先實(shí)現(xiàn)了速度的提升
2025-08-08 09:14:197210
USB2.0接口極限
寫入測(cè)試2
601MB
30.998s
19.4 MB/s
速度一致性良好
讀取測(cè)試
601MB
26.934s
22.3 MB/s
讀取快于寫入
2. USB接口類型確認(rèn)
寫入速度
2025-08-07 19:48:25
上述代碼所描述的邏輯電路在Cyclone IV E的EP4CE10F17C8(65nm)這個(gè)器件上能最高運(yùn)行在多少頻率的時(shí)鐘?
2025-08-06 14:54:303772 
的0--9共10個(gè)整形數(shù)據(jù)(20字節(jié)，INT類型)，寫入到西門子的DB65.DBW0--DB65.DBW19;
?04：讀取西門子的DB65.DBW140--DB65.DBW199共30個(gè)整形
2025-07-23 10:09:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，慧榮科技首次曝光了其下一代企業(yè)級(jí)SSD主控芯片——SM8466。該款重磅新品將支持PCIe Gen6標(biāo)準(zhǔn)，采用臺(tái)積電4nm制程，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)28 GB/s的順序讀取和7M
2025-07-18 08:19:002955 Texas Instruments DP83848x 10/100Mb/s以太網(wǎng)PHY專為需要以太網(wǎng)連接的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，其溫度性能超出了典型的工業(yè)溫度范圍。Texas Instruments
2025-07-17 09:37:28598 
conv=fsync
讀取測(cè)試：
# time dd if=/test of=/dev/null bs=1M
讀寫速率分別為615MB/s、19.1MB/s。
3.USB 2.0
Duo256 S
2025-07-11 22:46:08
硬盤，正是為智能制造場(chǎng)景量身打造的國(guó)產(chǎn)高端存儲(chǔ)方案。 G40采用天碩自研的PCIe Gen3.0x4主控芯片，配合長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存，順序讀取速度高達(dá)3600MB/s，寫入速度達(dá)2600MB/s，最大支持4TB容量，滿足智能制造系統(tǒng)中高吞吐率和實(shí)時(shí)響應(yīng)的要求。 其支持-40℃至
2025-07-09 17:12:46591 
推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里。後來，Intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存。它結(jié)合EPROM和EEPROM兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)SRAM接口。
第二種
2025-07-03 14:33:09
GL3213S是USB 3.0到SD3.0單LUN讀卡器控制器。 GL3213S可以支持各種類型的存儲(chǔ)卡，如Secure Digital TM（SD）、SDHC、mini
2025-06-18 12:03:07
在工業(yè)設(shè)備維護(hù)、電氣檢修和建筑診斷領(lǐng)域，精準(zhǔn)、高效的溫度監(jiān)測(cè)工具至關(guān)重要。近日，科創(chuàng)板首批上市企業(yè)睿創(chuàng)微納（688002）旗下品牌Raythink燧石推出全新CX200S系列手持測(cè)溫?zé)嵯駜x。該系列
2025-06-09 17:20:501117 
與昂科旗艦產(chǎn)品AP8000燒錄芯片工具的技術(shù)適配，此舉顯著增強(qiáng)了AP8000系列設(shè)備的芯片兼容性和行業(yè)應(yīng)用范圍。 MX25U51245G是一款512Mb的串行NOR閃存存儲(chǔ)器，其內(nèi)部配置為
2025-05-20 16:27:37619 
在工業(yè)電源領(lǐng)域，金升陽(yáng)始終以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力，結(jié)合市場(chǎng)需求，對(duì)電源產(chǎn)品進(jìn)行持續(xù)性優(yōu)化?；贚M-R2系列的成熟技術(shù)與市場(chǎng)認(rèn)可，金升陽(yáng)正式推出升級(jí)版LM-R2S系列機(jī)殼開關(guān)電源。新品在傳承前代核心優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，在產(chǎn)品性能、工藝結(jié)構(gòu)及可靠性層面實(shí)現(xiàn)跨越式提升，省心省成本，為工業(yè)設(shè)備提供更優(yōu)電源解決方案。
2025-05-10 10:05:311086 
也只有320Mbyte/s左右，還能更快一點(diǎn)嗎？怎么優(yōu)化。希望超過400MB/s。我只需要一個(gè)讀，一個(gè)寫線程即可。其他線程資源可以關(guān)閉掉該如何關(guān)閉。
是不是一定要采用GPIF II那種模式而不是SlaveFifo模式才能突破400MB/s??
有沒有SlaveFifo 示例代碼能突破400MB/s??
2025-05-06 14:36:49
，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND
2025-04-22 10:23:201516 
今日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊
2025-04-16 13:50:011168 ADN2815可提供下列接收器功能：量化以及時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，適用于從10 Mb/s到1.25 Gb/s的連續(xù)數(shù)據(jù)速率。它可自動(dòng)鎖定至所有數(shù)據(jù)速率，而無需外部參考時(shí)鐘或編程。該器件滿足所有的SONET
2025-04-15 11:12:17842 
ADN2813可提供下列接收器功能：量化、信號(hào)電平檢測(cè)、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，適用于從12.3 Mb/s到1.25 Gb/s的連續(xù)數(shù)據(jù)速率。 它可自動(dòng)鎖定至所有數(shù)據(jù)速率，而無需外部參考時(shí)鐘或編程。 該器件
2025-04-15 11:03:501010 
ADN2816可提供下列接收器功能：量化以及時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，適用于從10 Mb/s到675 Mb/s的連續(xù)數(shù)據(jù)速率。它可自動(dòng)鎖定至所有數(shù)據(jù)速率，而無需外部參考時(shí)鐘或編程。該器件滿足所有的SONET
2025-04-15 10:26:561245 
ADN2812可提供下列接收器功能：量化、信號(hào)電平檢測(cè)、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，適用于從12.3 Mb/s到2.7 Gb/s的連續(xù)數(shù)據(jù)速率。它可自動(dòng)鎖定至所有數(shù)據(jù)速率，而無需外部參考時(shí)鐘或編程。該器件滿足
2025-04-15 09:35:301075 
Winbond NOR 閃存 （W25Q256JVEIQ） 安裝在 RT1170 定制板上。
但是，在此狀態(tài)下，使用 MCU Expresso IDE 24.9.25 進(jìn)行調(diào)試在寫入過程中失敗
2025-04-14 07:32:47
使用的sdram型號(hào)是IS42S16160 32mb的是正常的但是更改到IS4216400 8mb的sdram后不能使用，請(qǐng)問1052支持嗎？需要修改哪些配置，請(qǐng)大神講解一下
2025-04-08 19:40:06
我正在嘗試使用 S32K341 在新板上刷寫程序，但在 S32K3X4EVB 上運(yùn)行并為 S32K341配置的相同代碼出現(xiàn)錯(cuò)誤。具體來說，當(dāng)我使用 S32DS 的 J-Link 探針運(yùn)行調(diào)試時(shí)，它在此地址被阻塞，并且不會(huì)將其閃存到內(nèi)存中。有人遇到同樣的問題或可以幫助我嗎？
2025-04-03 08:13:56
在當(dāng)今數(shù)據(jù)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)的時(shí)代，高性能存儲(chǔ)設(shè)備已成為提升各類設(shè)備性能的核心要素。近日，新紫光集團(tuán)旗下品牌紫光閃存強(qiáng)勢(shì)出擊，同步推出兩款 PCIe 5.0 固態(tài)硬盤 —— UNIS SSD S5以及
2025-03-28 09:50:461198 西門子S120變頻器故障及報(bào)警信息的讀取，通?？梢酝ㄟ^以下幾種方式進(jìn)行： 一、通過Web網(wǎng)頁(yè)查看 1. 硬件連接：將PC機(jī)的以太網(wǎng)口與S120的X127調(diào)試端口連接。 2. 打開瀏覽器：打開IE
2025-03-27 07:37:164474 
如何鎖定和解鎖 S32K394/96 系列的 JTAG 端口
我們需要配置 DCF 和 UTEST 閃存嗎？
如果是，請(qǐng)分享配置和 UTEST 內(nèi)存詳細(xì)信息以鎖定和解鎖。
如果沒有，請(qǐng)分享如何鎖定和解鎖 JTAG 端口的信息？
也請(qǐng)分享程序文件
2025-03-26 06:23:59
，
我什至嘗試使用 blhost 工具進(jìn)行刷新，我將固件寫入閃存，我從閃存中讀取，效果很好，但重置后我沒有看到任何區(qū)別。
僅供參考，我嘗試將“l(fā)ed_blinky”版本 .hex 固件刷入 LPC55S69 EVK。
2025-03-26 06:00:21
（BIST_STCU_MB_END_REG（0U））;，文件 Bist_General_S32K3XX.c 第 222 行。
Bist_Run后 MBIST 的值：0x0000 01FE
2025-03-21 06:29:59
我們正在與 S32K312 一起開發(fā)項(xiàng)目，并獲得
I2C 速度問題。我通過參考手冊(cè)設(shè)置 Lpi2c 參數(shù)，并且
通過 GUI 獲得正確的速度 1Mbit/s （lpi2c_setting.png
2025-03-17 08:04:26
兆易創(chuàng)新 今日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世
2025-03-12 16:03:21832 兆易創(chuàng)新最新推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。 該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將
2025-03-12 09:11:001167 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《65~66 FCO-2L-UJ√.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-03 16:49:55
0 Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布推出基于Arm Cortex-A7內(nèi)核的SAMA7D65系列微處理器(MPU)，運(yùn)行頻率高達(dá)1 GHz，并提供集成2 Gb DDR3L的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)及片上系統(tǒng)(SoC)兩款型號(hào)，專為人機(jī)接口(HMI)及高連接性應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-02-28 10:08:191432 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1S2M-MINAS A6N系列 介紹相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MHMF012L1S2M-MINAS A6N系列 介紹
2025-02-25 19:16:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1S2M-MINAS A6S 系列 技術(shù)資料 －基本功能規(guī)格篇－相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2025-02-25 19:10:31
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1S2M-MINAS A6S 系列 技術(shù)資料 －Modbus通信規(guī)格?Block 動(dòng)作功能篇－相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2025-02-25 19:10:09
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2025-02-25 18:58:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1S2-MINAS A6S 系列 技術(shù)資料 －基本功能規(guī)格篇－相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2025-02-24 19:25:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1S2-MINAS A6S 系列 技術(shù)資料 －Modbus通信規(guī)格?Block 動(dòng)作功能篇－相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2025-02-24 19:24:48
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2025-02-24 19:12:07
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2025-02-24 19:05:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1S1-MINAS A6S 系列 技術(shù)資料 －Modbus通信規(guī)格?Block 動(dòng)作功能篇－相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2025-02-24 19:04:16
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間[2
2025-02-20 18:21:571170 
MT28EW512ABA1LJS-0SIT是一款高性能的NOR閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足各類電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具有出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:32:13
近日，三星電子面向中國(guó)市場(chǎng)正式推出了備受期待的新一代高端旗艦智能手機(jī)——Galaxy S25系列。此次發(fā)布的系列包含三款機(jī)型，分別是三星Galaxy S25 Ultra、三星Galaxy S
2025-02-12 11:18:221292 ATSAME54P20A-AZTV13-MB 產(chǎn)品概述 ATSAME54P20A-AZTV13-MB是Microchip推出的一款高性能微控制器，屬于SAME54系列。該器件基于ARM
2025-02-10 21:07:53
MX25U12832FMI02 產(chǎn)品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產(chǎn)的一款高性能 NOR Flash 存儲(chǔ)器，專為需要大容量存儲(chǔ)和快速讀取的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該
2025-02-09 10:21:26
2025年1月23日,三星正式推出了備受矚目的 Galaxy S25 系列旗艦手機(jī),包括 Galaxy S25 Ultra、Galaxy S25 + 和 Galaxy S25三款產(chǎn)品,再次在智能手機(jī)
2025-01-24 16:31:30777 
據(jù)三星官網(wǎng)公示的規(guī)格參數(shù)，三星Galaxy S25系列迎來重大網(wǎng)絡(luò)升級(jí)，Galaxy S25、Galaxy S25+以及Galaxy S25 Ultra三款手機(jī)全系支持Wi-Fi 7無線網(wǎng)絡(luò)
2025-01-24 14:21:313765 在Galaxy Unpacked發(fā)布會(huì)上，三星Galaxy S25系列手機(jī)震撼登場(chǎng)，其與谷歌Gemini的深度整合成為一大亮點(diǎn)。 此次整合后，Gemini AI助手為Galaxy S25系列帶來
2025-01-23 17:41:291404 在今日的三星Galaxy全球新品發(fā)布會(huì)上，被譽(yù)為“史上最薄S系列機(jī)型”的三星Galaxy S25 Ultra震撼登場(chǎng)。 Galaxy S25 Ultra整體尺寸為77.6×162.8×8.2毫米
2025-01-23 17:19:153419 影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談?wù)動(dòng)绊憣懭?b class="flag-6" style="color: red">速度九個(gè)方面：存儲(chǔ)容量和架構(gòu)：存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜，從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時(shí)，需要更多時(shí)間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲(chǔ)架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化，同樣會(huì)限制寫入速度。
2025-01-22 16:48:251099 
Mini SSD在小巧機(jī)身中實(shí)現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。產(chǎn)品支持PCIe 4.0×2接口與NVMe 1.4協(xié)議，采用3D TLC NAND介質(zhì)，讀取速度高達(dá)3700MB/s，寫入速度高達(dá)3400MB/s，容量范圍覆蓋512GB~2TB，充分滿足移動(dòng)設(shè)備、智能終端等多種場(chǎng)景的高效存儲(chǔ)需求。
2025-01-09 11:37:18817 影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031429
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