美國Integrated Device Technologies(IDT)公司推出了新款低頻帶RF混頻器IC“IDT F1102”,用于支持LTE以及EGSM的無線通信基站(英文發(fā)布資料)。該產(chǎn)品主要面向?qū)F信號轉(zhuǎn)換成IF(中頻)信號的用途。據(jù)介紹,與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品將三階互調(diào)失真(IMD3)改善了15dB以上,而且將耗電量降低了40%以上。
為了支持分集處理,新產(chǎn)品采用雙通道構(gòu)成。支持的RF頻帶為400M~1000MHz、IF頻帶為20M~300MHz,增益為9.0dB。線性度指標(biāo)——輸出三階交調(diào)截取取點(Output Third-order Intercept Point,OIP3)在標(biāo)準(zhǔn)(STD)模式時為+43dBm,在低電流(LC)模式時為+36dBm。消耗電流在STD模式時為330mA,在LC模式時為235mA。噪聲指數(shù)(NF)不到10dB。建立時間不足200ns,IF輸出的阻抗為200Ω。
新產(chǎn)品的電源電壓為+4.75~+5.25V。采用36端子QFN封裝,封裝面積為6mm×6mm?,F(xiàn)已開始面向特定客戶樣品供貨。
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