瑞薩電子發(fā)表新款晶片組，可為使用于PC、伺服器及儲存系統(tǒng)的CPU電源供應(yīng)器提供穩(wěn)壓器（VR）的功能。此晶片組包含業(yè)界第一款整合基于微控制器（MCU）之?dāng)?shù)位介面的VR控制器R2A30521NP，以及整合電流偵測電路的智慧型脈衝寬度調(diào)變（PWM）-驅(qū)動器-MOSFET裝置（DrMOS） R2J20759NP。

　　瑞薩計劃以系統(tǒng)解決方案的形式提供此新款晶片組，使電源供應(yīng)系統(tǒng)符合Intel公司的VR12.0、VR12.5及最新的VR12.6 VR標(biāo)準(zhǔn)，達到更理想的電源密度、更高的電源效率及更精確的運作。

　　瑞薩VR 12解決方案運用了瑞薩在MCU、類比與分離式功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位。此瑞薩解決方案為數(shù)位類比混合系統(tǒng)，結(jié)合MCU的彈性與類比電路的穩(wěn)定性，以低耗電量達到精確的高速控制。

　　新款晶片組的主要特色：

　　（1） 相較于瑞薩現(xiàn)有的設(shè)計，基板面積可縮小40%。

　　相對于使用電感器電流測量輸出電壓的傳統(tǒng)技術(shù)，瑞薩的系統(tǒng)使用智慧型功率半導(dǎo)體R2J20759NP，它具備內(nèi)建的電流偵測電路，無需在基板上使用電流偵測線路，也無需使用濾波器降低雜訊。另外，智慧型功率半導(dǎo)體R2J20759NP採用小型QFN40封裝，每個相位最多可供應(yīng)40 A。

　?。?） 低電流可在連線待命模式中延長電池使用時間。

　　次世代筆記型電腦、平板電腦及手機需要在待機時以非常少的功率更新資訊。瑞薩的R2A30521NP VR控制器採用與RL78 MCU相同的架構(gòu)，皆具有超低功率模式。與R2J20759NP搭配使用時，VR電源供應(yīng)器的整體耗電量可降低至待機模式約50 mW、連線待機模式約0.8 mW。

　?。?） 以各種組態(tài)支援可擴充電源供應(yīng)器，讓客戶輕鬆延伸其產(chǎn)品系列

　　最多支援兩個電源迴路及八個相位，可提供廣泛的應(yīng)用，從10 W系統(tǒng)如筆記型電腦，到300 W系統(tǒng)如收發(fā)器、高階桌上型電腦及網(wǎng)路VR。瑞薩計劃持續(xù)擴充其產(chǎn)品系列，提供客戶更大的彈性殷應(yīng)市場需求，包括更多的套件選項及更強大的功能與特性以提升效能。

　　除了上述功能特色之外，此新款系統(tǒng)具備極佳的雜訊耐受性，因為不需要額外的線路進行電流偵測。這與在基板上配置線路偵測電流的典型設(shè)計不同，這種設(shè)計很容易受到外部雜訊的影響，例如功率MOSFET產(chǎn)生的開關(guān)雜訊，這是在設(shè)計基板線路佈局時必須謹(jǐn)慎考慮的重點。另外，以串聯(lián)電阻器的電感偵測電流的傳統(tǒng)方式，會造成持續(xù)的隱憂，亦即在變換模式或偵測到電流不平衡時，外部電流偵測電路的設(shè)定值可能會造成故障。此新款系統(tǒng)可直接偵測整合功率MOSFET的汲極電流，因此可避免上述問題。

　　支援獨立存在于硬體與軟體的兩階段設(shè)定，提供對電源供應(yīng)系統(tǒng)而言非常重要的保護功能，例如過電流。例如，可以個別設(shè)定穩(wěn)定狀態(tài)的限制值以及預(yù)期突發(fā)與破壞性異常模式的限制值。此種彈性的電源供應(yīng)設(shè)定方式可同時保留安全性與實用性。R2A30521NP VR控制器亦具備晶片內(nèi)建快閃記憶體并支援事件記錄功能，偵測到保護功能運作時，會自動將事件資訊儲存至快閃記憶體，記錄資料可透過I2C等序列介面讀取，對于系統(tǒng)維護、保護電路歷史檢查等具有廣泛的適用性。

　　VR控制器R2A30521NP利用序列介面與CPU或其他高階系統(tǒng)交換功率或系統(tǒng)狀態(tài)資訊，并以此資訊為基礎(chǔ)，利用專屬的時脈切換運作模式，可確保運作模式始終維持在對功率半導(dǎo)體而言最佳的狀態(tài)。另外，利用基于MCU的VR控制器，即可軟體變更各種參數(shù)，例如運作時脈或保護功能設(shè)定值。封裝採用廣為使用的表面黏著64腳位QFN （8 mm × 8 mm × 0.95 mm，0.5 mm腳位距離）。

　　做為功率區(qū)塊，智慧型功率半導(dǎo)體R2J20759NP智慧型整合驅(qū)動器-MOSFET功率半導(dǎo)體，結(jié)合傳統(tǒng)整合驅(qū)動器-MOSFET功率半導(dǎo)體的功能以及額外的功能，例如電流偵測電路及PWM控制電路。此產(chǎn)品使用相同的40腳位QFN （6 mm × 6 mm × 0.95 mm，0.5 mm腳位距離）封裝，此封裝在已大量生產(chǎn)的整合驅(qū)動器-MOSFET功率半導(dǎo)體中廣為使用。藉由將電流偵測電路與PWM控制電路整合至功率半導(dǎo)體，可完全排除對雜訊敏感的佈線，電流偵測電路與PWM控制電路個別安裝于系統(tǒng)基板時需要此種佈線。如此有助于簡化VR電源供應(yīng)器的電路設(shè)計及基板線路佈局設(shè)計。

　?。墼]1］ 整合驅(qū)動器-MOSFET （DrMOS）是由Intel公司提出的封裝產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，整合于單一封裝的產(chǎn)品包括CPU或類似產(chǎn)品所需要的兩種類型功率MOSFET，以及用于驅(qū)動功率MOSFET的（單一）驅(qū)動器IC。瑞薩的新產(chǎn)品包括「智慧型整合驅(qū)動器-MOSFET功率半導(dǎo)體」，整合了DrMOS以及電流偵測電路與PWM控制器。MOSFET是「金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體」（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）的縮寫。

　　此瑞薩電子新晶片組已開始供應(yīng)樣品。量產(chǎn)時程預(yù)定為2013年1月，預(yù)估至2013年12月可達到每月50萬組的產(chǎn)能。