針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進(jìn)行對比，有效減小測量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:21
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利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評估。
2023-11-24 16:52:102667 
偏 HTGB試驗(yàn)；其次，針對高壓SiC MOSFET 的特點(diǎn)進(jìn)行了漏源反偏時柵氧電熱應(yīng)力的研究。試驗(yàn)結(jié)果表明，在高壓 SiC MOSFET 中，漏源反偏時柵氧的電熱應(yīng)力較大，在設(shè)計(jì)及使用時應(yīng)尤為注意。
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
2025-03-26 17:42:302015 
了市場上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結(jié)構(gòu)的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，這種結(jié)構(gòu)更能夠發(fā)揮
2023-03-18 00:07:006425 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評估板進(jìn)行性能評估測量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
的，但簡潔性和設(shè)計(jì)優(yōu)雅在工程領(lǐng)域被低估了。SemiSouth還有一個常關(guān)JFET，但事實(shí)證明它的批量生產(chǎn)太難了。今天，USCi，Inc。提供一種正常的SiC JFET，它采用共源共柵配置的低壓硅
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關(guān)器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對兩個波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過了半個小時的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
SIC加裝了散熱片：最后，焊接到板子上：注意：加裝散熱片時，因?yàn)榈撞?b class="flag-6" style="color: red">位置有走線和元器件，散熱片應(yīng)預(yù)留一定的高度，避免短路。評估板硬件準(zhǔn)備完成，接來了做簡易的波形測量。通過使用說明書可知，這個評估板的PWM
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
尖端和示波器輸入之間建立了一條電氣連接。為獲得可用的測量結(jié)果，把探頭連接到電路時，必須使其對電路操作的影響降到最小，探頭尖端的信號必須通過探頭頭部和電纜以足夠的保真度傳送到示波器的輸入。這三個
2017-07-27 09:46:48
和 IEC61010-2-031應(yīng)用相對低頻測量低頻計(jì)算機(jī)和電信測量電源低頻放大器P2220、P2221 無源電壓探頭P2220 和 P2221 200-MHz 無源電壓探頭允許使用位于探頭頭部的一個開關(guān)選擇 1X 或
2020-04-13 17:44:56
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
`出售全新泰克無源電壓探頭TPP0250示波器探頭同時回收示波器各型號 探頭收購 噪聲源【收購二手電子儀器儀表 】 聯(lián)系：***15920845969 Agilent 346A，Agilent
2020-03-13 17:57:26
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFN50N120SIC場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù): SiC 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體
2020-03-04 10:34:36
，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
探頭頭部實(shí)際上是一個線圈，這個線圈纏在磁芯上。當(dāng)這個探頭頭部保持在指定方向及接近承載AC電流的導(dǎo)線時，探頭會輸出一個線性電壓，這一電壓與導(dǎo)線中電壓的比例是已知的。這種與電流有關(guān)的電壓可以在示波器上顯示
2017-08-30 15:43:48
類測試場景下可以測量的最大電壓。而且這個電壓并不是一個恒定值。而是會隨著頻率的變化而變化。一般探頭會給出自己的電壓額定曲線，如下圖所示： 圖35、輸入電容 輸入電容就是從探頭的探頭頭部端測量出的電容
2020-02-14 12:16:38
探頭的結(jié)構(gòu)形式大多數(shù)探頭由探頭頭部、探頭電纜、補(bǔ)償設(shè)備或其他信號調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)和探頭連接頭組成。如圖1所示。圖1 探頭的結(jié)構(gòu)形式為進(jìn)行示波器測量，必須先能夠在物理上把探頭連接到測試點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，大多數(shù)探頭
2009-02-10 20:58:40
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
高壓無源探頭是用于測量高電壓電路中信號的一種工具，它不需要外部電源供電。然而，對于測量整流橋電壓，需要考慮幾個因素以確定是否可以使用高壓無源探頭。
首先，讓我們了解一下整流橋的基本原理。整流橋是一種
2025-07-11 09:21:49
21520 負(fù)責(zé)控制 SiC MOSFET 的開關(guān)過程。
為確保測量精度，漏源電壓和柵極電壓采用光隔離電壓探頭（Micsig MOIP200P）進(jìn)行測量，該探頭具有200 MHz帶寬、180dB的高
2025-04-08 16:00:57
CAT II輸入電壓，適用于測量直流電壓從0到40,000伏特（VDC）。TPP1000探頭的主要特點(diǎn)包括緊湊型探頭頭部、小型探頭主體、剛性端部、可更換的探針頭盒、
2025-03-17 17:49:52
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開關(guān)MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
2018-09-23 11:17:008802 ，分為低頻探頭和高頻探頭，低頻探頭常見的帶寬在幾百KHz以下，高頻探頭帶寬一般在幾MHz以上。 AC電流探頭無源與有源的區(qū)別： AC無源探頭頭部實(shí)際上是一個線圈，這個線圈纏在磁芯上。當(dāng)這個探頭頭部保持在指定方向及接近承載AC電流的導(dǎo)線時，探頭
2019-12-24 11:43:017262 P2221是200-MHz無源電壓探頭，允許使用位于探頭頭部的一個開關(guān)選擇1X或10X衰減，兼容MSO2000和DPO2000系列示波器。
2021-02-14 15:57:00996 有經(jīng)驗(yàn)的工程師都知道，如果我們要使用 數(shù)字示波器來進(jìn)行電源測量的話，就必須先測量MOSFET開關(guān)器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發(fā)射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測試測量任務(wù)
2021-04-29 15:05:441733 共模電壓高壓差分信號，VGs2為低共模電壓低壓差分信號，VDS2為高壓對地信號。根據(jù)信號類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測量，VDS2既可采用高阻無源探頭測量，也可采用差分探頭測量
2021-09-27 08:51:151283 
建立的探頭模型和對暫態(tài)電壓精確測量實(shí)驗(yàn)分析 1、實(shí)驗(yàn)平臺 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測試平臺，以驗(yàn)證所建立的探頭模型和對暫態(tài)電壓精確測量所做的分析，實(shí)驗(yàn)平臺
2022-03-31 17:32:271252 本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發(fā)散振蕩）的性能，并研究了它們在利用零電壓開關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:453909 
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452722 
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967 
（需要使用探頭自帶的小螺絲刀來調(diào)整，調(diào)整時把探頭連接到示波器補(bǔ)償輸出測試位置），以與示波器輸入電容匹配，以消除低頻或高頻增益。下圖的左邊是存在高頻或低頻增益，調(diào)整后的補(bǔ)償信號顯示波形如下圖的右邊所示。 無源探頭的
2022-10-12 16:30:412923 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:062014 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開關(guān)速度較快時，觀察到的波形會發(fā)生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察到的波形會與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:211447 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會給波形測量結(jié)果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形完全不同，因此，連接時要確保這個環(huán)路最小。
2023-02-09 10:19:221275 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在某些位置測量波形時，觀測到的波形可能與實(shí)際波形不同。?理想的做法是測量位置要應(yīng)盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22870 
關(guān)鍵要點(diǎn) ?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。 ?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測波形上。 SiC MOSFET柵-源電壓測量 探頭頭部
2023-02-09 21:25:131713 一般來說無源電壓探頭包含無源探頭，高阻無源電壓探頭，低阻無源電壓探頭，無源高壓探頭等四個探頭。
2023-02-20 15:24:475702 常用的無源電壓探頭都有補(bǔ)償調(diào)節(jié)電容，適用于不同的示波器，必須在初始測量前進(jìn)行校準(zhǔn)，否則會嚴(yán)重影響波形的顯示。 步驟一，打開示波器，讓示波器熱機(jī)持續(xù)一段時間。有些數(shù)字示波器需要在熱機(jī)后期執(zhí)行自校準(zhǔn)程序
2023-02-21 15:27:421312 
無源探頭測量原理是一種基于物理原理的測量方法，它利用物理信號和物理器件之間的相互作用來進(jìn)行測量。無源探頭測量原理通常應(yīng)用于機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測、位移測量和電特性測量等領(lǐng)域。 無源探頭測量原理中關(guān)鍵在于利用
2023-02-23 15:27:291384 
MOSFET手冊推薦柵源電壓-4/15V；模塊給出的都是-5/20V的推薦驅(qū)動電壓，實(shí)際調(diào)研過程中模塊用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模塊建議開通電壓17 20V，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗，關(guān)斷電壓-5V
2023-02-27 14:41:09
10 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:343040 
在電子學(xué)和電路領(lǐng)域中，無源探頭是一種常見的工具，用于測量電路中的電壓和電流。然而，對于初學(xué)者來說，可能會對無源探頭的具體用途和功能產(chǎn)生困惑。本文將詳細(xì)介紹無源探頭的定義、用途以及它們是用來測量電壓
2023-06-29 10:32:101789 
信號能力的探頭。這種探頭通常通過電源或電池提供能源，并使用該能源發(fā)射電磁信號或聲波信號，以在周圍的介質(zhì)中探測目標(biāo)的存在和位置。有源探頭可以被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、超聲波測量、無線通訊等領(lǐng)域。相比而言，無源探頭不具有
2023-07-27 10:24:173464 
。本文將詳細(xì)探討有源探頭和無源探頭的使用區(qū)別。 有源探頭是一種能夠主動放大被測電路信號的探頭。它含有一個內(nèi)部放大器，在引入信號到示波器之前，先將信號放大。這種探頭通常用于需要測量低電壓、高頻率信號的場合。有
2023-08-08 09:50:293394 
在電子領(lǐng)域中，無源探頭是一種被廣泛使用的儀器，用于測量和探測電路中的信號。與有源探頭不同，無源探頭不需要外部電源供電，而是通過電路中的電壓或電流來工作。然而，有一種特殊類型的無源探頭，即無源探頭在沒有任何電壓輸入的情況下仍然具有偏置電壓。
2023-08-15 15:12:371415 SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
示波器的測量范圍和分辨率。 示波器探頭包括探頭引線、接頭插頭、探頭底座和探頭頭部四個部分，探頭頭部是探測電壓波形信號的地方，探頭底座是連接示波器的地方，探頭引線將被測信號傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">探頭頭部，接頭插頭連接到被測電
2023-12-08 10:47:341804 示波器電流探頭可以測量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測量電流信號的工具，它可以將電流轉(zhuǎn)換為可觀測的電壓信號。然而，實(shí)際上示波器電流探頭并不能直接測量電壓，它只能間接測量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:321809 普通探頭如何測量電壓？ 普通探頭是一種常見的電子測試工具，用于測量電壓。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地講解普通探頭如何測量電壓的原理、使用方法、注意事項(xiàng)等方面的內(nèi)容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:403455 無源探頭的輸入電容有什么影響? 無源探頭是一種廣泛應(yīng)用于電子儀器領(lǐng)域的探頭，用于測量電路中的電磁場和電壓等參數(shù)。在使用無源探頭時，輸入電容是不可避免的一個參數(shù)。輸入電容的大小以及特性會對無源探頭
2024-01-08 16:09:141252 示波器無源探頭的選擇方法及注意事項(xiàng)。 一、了解高頻示波器無源探頭的基本原理 高頻示波器無源探頭主要由探頭頭部、探頭引線和示波器連接線等組成。它是一種無源元器件，通過探頭頭部的尖端感應(yīng)到被測電路上的信號，然后通過
2024-01-08 16:36:191814 帶 寬 考 慮 因 素 帶寬是同時涉及探頭帶寬和示波器帶寬的測量系統(tǒng)問題。示波器的帶寬應(yīng)超過要測量的信號的主要頻率，使用的探頭帶寬應(yīng)等于或超過示波器的帶寬。 從測量系統(tǒng)角度看，實(shí)際問題是探頭頭部
2024-01-16 09:51:422057 
高電壓的設(shè)備或系統(tǒng)。 結(jié)構(gòu)和工作原理 高壓探頭通常由以下幾個部分組成： 1. 探頭頭部：位于探頭的前端，用于接觸電路以測量信號。 2. 連接線：將探頭頭部與測量儀器連接，傳輸測量信號。 3. 絕緣層：用于隔離高壓電路，確保
2024-03-25 11:03:221773 
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現(xiàn)象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的柵源振蕩是指在工作過程中，出現(xiàn)的柵極與源極之間產(chǎn)生
2024-03-27 15:33:283305 簡介： 無源探頭是一種被動式接觸探頭，沒有內(nèi)置放大器。它通過與被測電路直接接觸，將電路信號傳送到示波器輸入端。無源探頭廣泛應(yīng)用于直流至高速數(shù)字信號的測量。 2. 探頭選擇與安裝： 選擇合適的無源探頭非常重要。根據(jù)被測電路
2024-04-03 10:29:101490 
高壓無源探頭是一類特殊設(shè)計(jì)的測試探頭，它們能夠承受較高的電壓，并且通常用于測量高壓電路的電壓波形。
2024-05-19 16:12:401430 無源探頭電壓降額曲線是指在電路中使用的一種特殊探頭，用于測量電路中各點(diǎn)的電壓降。它采用被動的方式進(jìn)行測量，不需要外部電源供電，因此稱為“無源探頭”。在實(shí)際工程中，了解電路中各個節(jié)點(diǎn)的電壓降是非
2024-06-13 09:36:141228 
的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 示波器探頭是一種將電壓信號轉(zhuǎn)換為示波器可識別的信號的設(shè)備。它主要由探頭頭、探頭線和探頭附件組成。探頭頭是探頭的核心部分，負(fù)責(zé)將電壓信號轉(zhuǎn)換為示波器可識別的信號。探頭線是連接探頭頭和示波器的電纜，負(fù)責(zé)傳輸信號
2024-08-09 14:30:191463 測信號的電壓值轉(zhuǎn)換為示波器能夠識別的信號。示波器探頭主要由探頭頭、探頭桿、探頭插座和探頭放大器等部分組成。 探頭頭是示波器探頭與被測電路接觸的部分，通常由金屬制成，用于拾取被測電路的信號。探頭桿是連接探頭頭和
2024-08-09 14:33:241201 是測量隔離電壓信號的常用選擇。它測量的是兩個輸入信號之間的差值，而不是單個信號相對于地的電壓。差分探頭具有高共模抑制比(CMRR)，這意味著它能夠有效地抑制兩個輸入信號共有的噪聲和干擾信號，例如來自電源或其他外部源的干
2024-11-18 11:12:271492 
文章對比了無源探頭與高壓探頭在設(shè)計(jì)原理、性能參數(shù)及應(yīng)用場景上的差異，指出無源探頭適用于低電壓測量，高壓探頭適合高電壓環(huán)境，兩者各有優(yōu)劣。
2025-10-09 16:18:37246
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